SAM�54 (Kopiowanie)

Zasada działania tranzystora MOSFET z indukowanym kanałem

Kanał przewodzący prąd w

/mWtoM MMtntf,

Izolator bramkowy > O.

n

w do mimiki

D"\ifonUot

» / (ładunki nkeruchonm)

IfllMf

■tony

I©*- Q+ €>♦ ©♦

'unwMMit'' '

brwnka

)♦ $♦ ©♦ o	ST
|)4 0' O	9 V
>4. 0-4 04 0	ŚŁJ

jHHBKKWtinMLttgU. JŁ n.r y * ImiiiWkoMN O • j (ładunki mchome)    J

obszarze inwersyjnym d/a U.

obaiar Inwunyjny "/>**

| nbijar | zubożony

	\l	-'O
n	Jf© 0 0		a 0 U
# fl <	©4	0 ł
o * o *	0+ 0+ 0ł	Ot	04 0+ GM © ^1
©♦ $♦		©♦

DótarTwodttlk atou jl

Bez obszaru inwersyjnego D~S dwa złącza:

n~p i p-fl    obszar Inwanyfny

obszar [_ zubożony

U.

U.

fu*

0-* 04 0+ O 4- 3— 04 (l4|

| obi znr zubożony

otew InwwsyMK !?

ITC_SS

© + 0+ O4- o+ o+ ©+ 0 ©♦ ©♦ ©+ Ot/Gt ©♦ 0+ ©i —

oOtorzawodnlk tvou o.