85683 Slajd22 (116)

). Bitową

Istnieje kilka odmian pamięci ROM. różniących się sposobem programowania,

a) Pamięci programowane maską (ang.    czyli

strukturę ich wnętrza ustala się w czasie produkcji.

b)    Programowalne pamięci stale (ang. programmable ROMB. czyli PROM-y). Są programowane przez użytkownika. Programowanie polega na przepalaniu cieniutkich połączeń (tak jak bezpieczników) po odpowiednim ich zaadresowaniu i po doprowadzeniu właściwych sygnałów sterujących. Są to pamięci dość szybkie (25+50 ns). pochłaniające stosunkowo dużo mocy (bipolarne: 0.5+1 W). o małych i średnich pojemnościach (od 32 x 8 do 8K x 8).

c)    Reprogramowalne pamięci stale (ang.    .czyli    ). Bity

informacji są zapamiętywane jako ładunki elektryczne na pływających bramkach tranzystorów MOS. które mogą być usuwane z bramek przez naświetlanie promieniowaniem ultrafioletowym o dużej intensywności przez kilkadziesiąt minut (obudowy tych pamięci zawierają przepuszczające ultrafiolet okienka kwarcowe). Pamięci tego typu produkuje się techniką NMOS lub CMOS. Są one niezbyt szybkie (200 ns). pobierają niewiele mocy (zwłaszcza w stanie spoczynku) i mają duże pojemności (od 8K x 8 do 128K x 8). Współczesne pamięci CMOS EPROM są rów nie szybkie, jak pamięci bipolarne (35 ns). Istnieje rów nież tańsza odmiana pamięci EPROM. wykonana z takiej samej struktury krzemowej, umieszczonej w obudowie bez okna kwarcowego, nazywana OTP-EPROM (ang. one-time-programmable EPROM). która może być programowana tylko jeden raz.

d)    Elektrycznie kasowalne PROM-y (ang.    . czyli    ). Zachowują

się tak samo. jak pamięci EPROM. lecz są programow ane i kasow ane elektrycznie, napięciem o w artości - 5 V. bez wyjmowania z układu aplikacyjnego.

Pamięci ROM sa szeroko stosowane w sprzęcie komputerowym i mikroprocesorowym, gdzie służą do przechowywania docelowych programów i tablic z danymi. Jednakże na obecnym etapie należy mieć na uwadze, że pamięci ROM o małych pojemnościach mogą zastępować zespoły bramek o skomplikowanej sieci połączeń.