ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 100 101

100 EUktromka. Zbiór zadań

możemy wykorzystać rozwiązanie zadania 4.19, modyfikując we wzorach końcowych tylko wielkości opisujące tranzystor r₂, tj. wzmocnienie prądowe i napięcie baza-emiter.

%

5.Tranzystor unipolarny

W niniejszym skrypcie uwzględniono trzy rodzaje tranzystorów unipolarnych (polowych):

-    złączowy (JFET);

-    z izolowaną bramką i wbudowanym kanałem, lub inaczej zubożeniowy (typu DMOS);

-    z izolowaną bramką i indukowanym kanałem lub inaczej wzbogaceniowy (typu EMOS).

Na Rys. 5.1 pokazano symbole tych trzech rodzajów tranzystorów oraz konwencję stosowanych oznaczeń napięć i prądów. _    _ ,, _

^Fl?T

/V

Ry*. S.l. Symbole tranzystorów unipolarnych i konwencja oznaczania napięć i prądów    f

Każdy z tranzystorów unipolarnych może pracować w dwóch stanach (obszarach): nienasycenia lub nasycenia. W przypadku tranzystorów JFET i DMOS z kanałem typu n, w obszarach nienasycenia i nasycenia spełnione są odpowiednio nierówności U_GD>U_P i VaD<V_r, gdzie {//.jest napięciem odcięcia kanału, natomiast w przypadku tranzystora EMOS nierówności U_aD>U_T i 1}_CD<U_T, gdzie U_T jest napięciem tworzenia się kanału. Przy zmianie kanału z typu n na p nierówności te zmieniają znak. Reguły zebrano w tabeli Tabela 5.1.

T»hłU S.l. Reguły obe<i»j«c« interny pracy tnmzyrtorńw unipolarnych Z"A~i>CA »-> y    ,

i ^g5r-

iryX

Rodzaj Tranzystora	Stan nienasycenia		Stan nasycenia
	kanał n	kanał p	kanał n	kanał p
JFET złączowy	VGD^>1Jr U(rT ><//	Ugd^<Up U«- <ć(4?	^vgd^<vp	, }>GD>Vr Ute <ću?
DMOS wł	UGD^> Up	UGd<Up	^GD^< Up	ugd>uf
EMOS IM	uGD^> UT	Ugd^<Vt	U GD ^<UT	^GD’^> UT

Ze względu na fakt, że prąd bramki jest pomijalnie mały w porównaniu z prądem drenu i prądem iródla, mamy l_D *» l_s.

Charakterystyka przejściowa tranzystora polowego złączowego i typu DMOS w zakresie nasycenia jest opisana równaniem paraboli