4

Równania czwómikowe można przedstawić za pomocą równoważnej sieci elektrycznej

Równania czwómikowe można przedstawić za pomocą równoważnej sieci elektrycznej

Indeks przy symbolu h oznacza

b- układ WB e- układ WE c- układ WC

Rya. 7. Sieć elektryczna równoważna równaniom hybrydowym dla układu WE. Wartości parametrów zależą od układu włączenia tranzystora, rodzaj układu włączenia oznaczany jest dodatkowym trzecim indeksem literowym. Wartości parametrów w poszczególnych układach włączenia można wzajemnie przeliczać na podstawie zależności dostępnych w literaturze

Dysponując zmierzonymi charakterystykami statycznymi tranzystora można łatwo te parametry wyznaczyć (Rys. 2) Jest to duża zaleta modelu hybrydowego.

Przykładowe wartości przyjmowane przez parametry czwómikowe typu h, oraz przybliżone relacje pomiędzy parametrami typu h i parametrami innego popularnego modelu - modelu typu hybryd n podają tabelki:

hne= lkfi		h| lc lbb' + ^rb c ^w lVe
h12c = 1CT^4 V/V		h|2c = 3(gb’c/Km)
h2,e =50-500A/A		h2le* 3
h22c= 10“* - 10 ^5 S		łl22c *> Rce

Te i inne, równoważne modele znajdują zastosowanie podczas analizy układów pracy z tranzystorami bipolarnymi, na przykład układu wzmacniacza małych sygnałów:

+ 1 5V

Ro = lOOk

lys. 8 Tranzystor bipolarny npn w układzie wzmacniacza WE. a) układ inwertera do pomiaru charakterystyki przejściowej, ) wzmacniacz jednotranzystorowy.

C) POMIARY

1 Pomiary wykonać dla jednego tranzystora i układu pracy wskazanego przez prowadzącego.

2.    Podczas pomiarów zwracać uwagę na utrzymywanie stałej wartości parametrów.

3.    Pomiary przeprowadzić w możliwie szerokim zakresie dopuszczalnych prądów i napięć, w razie wątpliwości wartości te należy uzgadniać z prowadzącym zajęcia.

4 Na każdą krzywą powinno przypadać nie mniej niż 15 punktów pomiarowych.

1.    Określić typ (npn - pnp) oraz rozkład wyprowadzeń końcówek tranzystora przy pomocy testera złącz

Układ wspólnego emitera

2.    Zestawić układ pomiarowy do zbadania charakterystyk statycznych tranzystora pracującego w układzie WE.

3.    Zmierzyć charakterystyki: wejściową UBE Ob) I oce-wm , przejściową Ic Ob) I uac-a™* Charakterystyki te

można wyznaczyć jednocześnie, zmieniając prąd wejściowy Ig i mierząc równocześnie napięcie wejściowe U BE oraz prąd wyjściowy iQ Pomiary wykonać dla trzech wartości parametru UcE. Zmierzyć charakterystyki: wyjściową IC0~)CE) I    oddziaływania zwrotnego UgEOJCE) I ig=amt- Charakterystyki te można

wyznaczyć jednocześnie, zmieniając napięcie wyjściowe UcE i mierząc równocześnie prąd wyjściowy łę oraz napięcie wejściowe U BE Pomiary wykonać dla trzech wartości parametru Ig . Ze szczególną uwagą należy wykonać pomiary w zakresie nasycenia.

Układ wspólnej bazy

4.    Zestawić układ pomiarowy do zbadania charakterystyk statycznych tranzystora pracującego w układzie WB.

5.    Zmierzyć charakterystyki: wejściową UbeOE) I vco=<*w- oraz przejściową IcOe) I u_CB Charakterystyki te można wyznaczyć jednocześnie, zmieniając prąd wejściowy Ig i mierząc równocześnie napięcie wejściowe Ube ^oraz P^r<id wyjściowy !(' Pomiary wykonać dla trzech wartości parametru i Cg

6.    Zmierzyć charakterystyki: wyjściową lc(UcB) I oraz oddziaływania zwrotnego UbeO^CB) I w zakresie aktywnym. Można je wyznaczyć jednocześnie, zmieniając napięcie wyjściowe VqB > mierząc równocześnie prąd wyjściowy Ic oraz napięcie wejściowe Ube Po wyznaczeniu charakterystyk wyjściowych w obszarze pracy aktywnej zmierzyć te charakterystyki w zakresie nasycenia (po zmianie polaryzacji złącza kolektorowego).

Charaktery styki prądów zerowych, wyznaczenie napięcia przebicia złącz

7.    Zmierzyć charakterystyki prądowo-napięciowe złącz BE i BC w obu kierunkach Odpowiednio dokładne pomiary powinny umożliwić wyznaczenie charakterystyk prądów Icbo(Uce) oraz Iebo(Ube), a także co najmniej jednego z napięć przebicia złącz W trakcie pomiarów należy pamiętać o zabezpieczeniu układów badanych za pomocą odpowiednio dobranego rezystora dekadowego.

8.    Zmierzyć charakterystyki Icer(Ucb) dla przypadków R ’0, 0<R<«> oraz R=co dla wybranego typu tranzystora.

Wyznaczenie charakterystyki częstotliwościowej i częstotliwości granicznych wzmacniacza tranzystorowego w układzie WE

9.    W oparciu o dostępne w laboratorium podstawki zestawić układ pomiarowy do pomiaru charakterystyki przejściowej = t(U„) wzmacniacza w układzie wspólnego emitera (rys. 8a). Pomiary przeprowadzić zasilając wejście i wyjście układu z zasilaczy stabilizowanych metodą „punkt po punkcie”.

10,    W oparciu o schemat przedstawiony na rys. 8b) zestawić układ pomiarowy do pomiaru charakterystyki amplitudowej k„ = f(f) wzmacniacza w układzie wspólnego emitera. Pomiary wykonać dla wartości pojemności C2 i rezystancji Rc podanych przez prowadzącego. Pomiary ponowić przy podwojonej wartości C2 i rezystancji Rc o połowę mniejszej niż podane poprzednio. Pomiary częstotliwości wykonywać należy częstościomierzem a amplitudy sygnałów wejściowego i wyjściowego za pomocą oscyloskopu.

4