280 (50)

— 280

Tranzystor bipolarny

że wskutek generacji par elektron-dziura w bazie elektrony są usuwane przez złącze baza-kolektor, a dziury tworzą ładunek przestrzenny w bazie polaryzując nieznacznie złącze E-B w kierunku przewodzenia.

Charakterystyki wyjściowe

W pierwszym przybliżeniu można przyjąć, że charakterystyki I_c(Uce)i_b wychodzą z początku układu współrzędnych. W rzeczywistości I_c = 0 przy napięciu U_CB dodatnim, a przy U_CE = 0 płynie prąd I_c o kierunku przeciwnym do normalnego i wartości proporcjonalnej do prądu I_u. Taki przebieg charakterystyk ,,przv zerze” jest zrozumiały, jeśli zauważy się (rys. 5.35), że przy U_CE = 0

NP    N

Rys. 5.35

Ilustracjo objaśniająca zjawiska zachodzące przy Uce — O

oraz I_B > O złącza E-B, B-C są polaryzowane w kierunku przewodzenia, czyli z emitera i kolektora są wstrzykiwane eloktrony, które rekombinują z dziurami dostarczanymi z obwodu bazy. Ponieważ w tym przypadku 1„ = I_E+I_C, a prąd I_B jest mały, można przyjąć, że prąd I_c przy U_CE = O jest, praktycznie biorąc, równy zeru. Tylko w niektórych zastosowaniach tranzystorów (na przykład tranzystor pracujący jako klucz dwukierunkowy) resztkowy prąd kolektora (kilkadziesiąt p.A) przy U_CE = 0 lub resztkowe napięcie U_CE (kilka mV) przy I_c — O może mieć istotne znaczenie.

W miarę wzrostu napięcia U_CE tranzystor „wychodzi” ze stanu nasycenia (złącze B-C jest coraz słabiej polaryzowane w kierunku przewodzenia, gdyż maleje \ U_cn\ = = I Uce~ V nn\) i przy U_Ce > U be pracuje w obszarze normalnym. Ten zakres pracy charakteryzuje się niemal stałą wartością prądu kolektora, który jest wprost proporcjonalny do prądu bazy (I_c = /3_W/_S). Jednak obserwuje się pewien wzrost prądu I_c w miarę zwiększania napięcia U_CE, przy czym nychylenie charakterystyki I_c (U_CE) jest nawet znacznie większe, niż to było dla charakterystyki Ic(U_CB) w układzie WB. Przyczyna tego nachylenia jest identyczna jak dla układu WB — modulacja efektywnej szerokości bazy. Ponieważ w tym przypadku niewielka część napięcia U_CE odkłada się również na złączu E-B w kierunku przewodzenia, w miarę zwiększania napięcia U_CE nie tylko maleje efektywna szerokość bazy, lecz również zwiększa się wstrzykiwanie nośników z emitera. Dlatego nachylenie charakterystyki wyjściowej w układzie WE jest większe niż j w układzie WB.

Charakterystyka przejściowa

W pierwszym przybliżeniu jest to liniowa zależność I_c = n- Napięcie U_a wpływa na tę zależność poprzez modulację efektywnej szerokości bazy. W do-l kładniejszych rozważaniach należy uwzględnić zależność współczynnika /?₄-; od prądu I_c (rys. 5.21b).