276

Zmiany rezystancji materiałów półprzewodnikowych wykorzystywanych do budowy termistorów w funkcji temperatury są na tyle charakterystyczne, że można je podzielić na trzy grupy:

a)    termistory oznaczone jako NTC (ang. Ne-gative Temperaturę Coeficient) o ujemnej wartości temperaturowego współczynnika rezystancji;

b)    termistory PTC (ang. Positive Temperaturę Coeficient) o dodatniej wartości temperaturowego współczynnika rezystancji;

c)    termistory CTR (ang. Critical Temperaturę Resistor) o nagłym, prawie skokowym zmniejszeniu się rezystancji w wąskim (rzędu kilku stopni) przedziale zmian temperatury.

Charakterystyki temperaturowe rezystancji R = j\T) dla tych trzech grup termistorów są przedstawione na rysunku 5.47.

W ćwiczeniu wykorzystuje się termistor NTC. Charakterystyka R_t=KD termistor a ma przebieg wykładniczy, dlatego wygodniej jest przedstawić ją w skali logarytmicznej (rys. 5.48).

Logarytmując wyrażenie (5.114) otrzymujemy:

AEn. 1

lnR_r=lnA + —9-.    (5.115)

k 1

Z wyrażenia (5.115) wynika, że wielkość lnR_r jest wprost proporcjonalna do

Pomiar rozpoczynamy od ściśle określonej temperatury (najczęściej jest to temperatura otoczenia T_Q), dlatego wykres rozpoczyna się od pewnego punktu C i kończy się w punkcie D, tak jak przedstawia rysunek 5.48. Przedłużając otrzymaną z doświadczenia prostą tak, aby przecięła się z osią rzędnych, można otrzymać rezystancję termistora w nieskończenie wysokiej temperaturze. Znajomość tej wartości rezystancji pozwala wyznaczyć stałą A, natomiast tangens nachylenia tej prostej do osi odciętych umożliwia obliczenie szerokości energetycznej AEq strefy wzbronionej de nego półprzewodnika ze wzoru: