barlik,nowak0026

131

2.3. Falowniki niezależne

przełączania (p. 3.5.2). Rodzaj zastosowanych obwodów przeciwprzepięciowych lub odciążających oraz ich struktury zależą nie tylko od chronionego elementu półprzewodnikowego, lecz także od topologii obwodu głównego przekształtnika.

W falownikach realizowanych za pomocą tranzystorów IGBT, charakteryzujących się krótkimi czasami przełączeń, zasadnicze znaczenie mają obwody przeciwprzepięcio-we, które jednocześnie mogą spełniać funkcje odciążające. Przyczyną groźnych przepięć są wszelkie pasożytnicze indukcyjności połączeń w obwodzie głównym, które mogą osiągać wartości L_n < 0,5 pH. W celu ograniczenia tych indukcyjności do wartości

Rysunek 2.82. Trójfazowe falowniki napięcia zrealizowane za pomocą tranzystorów IGBT: a) układ z obwodami przeciwprzepięciowymi i odciążającymi; b), c) gałęziowe obwody przeciwprzepięciowe; d) układ o wspólnym obwodzie przeciwprzepiędowym L„, L_aj> L_n2, L„₃ - pasożytnicze indukcyjności połączeń