CCF20090228010

W celu pełnego opisu właściwości kondensatora należy do układu zastępczego z Rys. 5.4 dodać układy zastępcze pozostałych linii oraz rezystory szeregowe reprezentujące straty w przewodnikach i rezystory równolegle reprezentujące straty w dielektryku. Prowadzi to do komplikacji modelu kondensatora, która ogranicza jego użyteczność. W związku z tym częściej stosowany jest układ zastępczy z Rys. 5.5, który poprawnie odtwarza właściwości kondensatora poniżej pierwszej częstotliwości rezonansowej oraz umożliwia symulację rezonansu szeregowego i równoległego.

Ti

C,

OT

T

L_s

_TYY\_

1 ^Cp	1 i
1 Rs -A/'—	i;

X

Wartość pojemności szeregowej C (stanowiącej użyteczny parametr kondensatora mi ędzypalczastcgo) można obliczyć na podstawie wykresu z Rys. 5.9 onizzależności (5.3). N» 1 oznacza lu ilość palców.

'2 i. 6 8 10 1520 łi/x--►

Rys. 5.9. Wykres do obliczania pojemności szeregowej kondensatora mi ędzypalczastcgo.

C=2A/(Ą+1)|(/V-3)/f, + /t₂|

(5-3)

—J

Pamiętając zależność kondensatora plaskiego

pojemno ś ć

(5.2)

Rys. 5.5. Uproszczony układ zastępczy kondensatora monolitycznego włączonego szeregowo do prowadnicy falowej.

(b) Kondensatory cienko- i grubowarstwowe

l

Strukturę tycli kondensatorów przedstawia Rys. 5.5. Są to w istocie rzeczy kondensatory p laskie, wykonane na pod łożu drogą naniesienia cienkich warstw metalizacji i dielektryka (kondensatory cienkowarstwowe — stosowane głównie w MMUS) lub też wykonane w podobny sposób, jednak technologią^grubowarstwową (stosowane w MUS grubowarstwowych iia podłożach nieorganicznych).

określającą C =Cn t:_rS/d

(d) Kondensatory równoleg Ic wykorzystujące krótkie odcinki NLPf' 5.4. łuduktory

(a) łuduktory do monta żu powierzchniowego

;Kys. 5.11. Układ zastępczy iuduktora do montażu powierzchniowego

(z« - przcnikalnoś ć dielektryczna próżni, f_r - wzgl ędna sta la dielektryczna dielektryka izolacyjnego, S - powierzchnia okładek,, rf-gruboś ć dielektryka izolacyjnego)

oraz uwzględniając warunek (5.1) łatwo dojdziemy do wniosku, ;/.c technologia la nic umożliwia realizacji'kondensatorów o dużej pojemności

\*

NLP

' U/A

Rys. 5.5- Widziany z boku kondensator plaski włączony szeregowo do NLP.

(c) Kondensatory „miedzypalczastc” (ang. iutcrdigital)

Strukturę takiego kondensatora pokazano na Rys. 5,2. Ma ona na celu ominięcie praktycznych ograniczeń wartości pojemności szczeliny w NLP i    przezzwi ększcuic efektywnej d 1 ugo ści

Tłys. 5J7. Widziany Z góry kondensator mi ędzyplaczasty w NLP.

(li) łuduktory powietrzne solcnoidaluc (Rys. 5.12.)

łuduktory te zawierają do kilku maksymalnie zminiaturyzuj wanych zwojów drutu o ma lej średnicy. Stosowane są w MUS do o Ił. 2 Gilz. Posiadają układ zastępczy jak na Rys. 5.11.

yO-

Rys.5.12. Powietrzny iuduktorsolcnoidaluy

(c) Połączenia w M-US wykonywane za pośrednictwem drutu montażowego lub taśm

Przykład takiego połączenia pokazano na Rys. 5.IJ. Podobne połączenia występują również wewnątrz obudów do mikrofalowych przyrządów półprzewodnikowych. leli indukcyjnoś ć jest parametrem pasożytniczym, jednak czasem może być wykorzystana jako element układu dopasowującego. Układ zastępczy po I ączcnia jest podobny jak na Rys. 5.11.

' 1

"li

C,

szczeliny przy zachowaniu warunku (5.1). Przybliżony układ zastępczy kondensatora przedstawiono na Rys. 5.g.

T, 1,0/72,; C :,A//2, !t₂

¹ HI .i:

T

Rys- 5.13. Element dyskretny (np. dioda półprzewodnikowa) wmontowany szeregowo w NLP.

Rys.5-£. Układ zastępczy kondensatora międzypalczastcgo.