DSCN1471 (2)

tafto-*) <£(■»

, foebodraery rr *■*'

Vcc • l„*n • ^um	<S2»
przy zmianie prądu bazy /. P«nkt pocy 0 pr,tu,wM £ w polu chuak- lerystyk kolektorowych /c(C/„) po 1™ * i-k-aaneii K 1 inie te nazywamy prostą obdążtnia (rys X Tb) /c ■ -.u można /„ oraz obliczyć rezystancje H, > *c K. - ^<U>‘n
^łc	(84)
«ec *	(Ł5)
Wiadomo, ze w tranzystorze bipolarnym istnieją zależności:	(8.6)
^7c * ^aaU ' Um	(8-7)
'c*— '•-rh^1 2'"' •*>'«. <**> ' °o ^1 “o
Po wstawieniu zaleznotei (8.5) mamy
. . Mtfcc-iu f0 ... ’c Ro *(Po*	<S.9>

Dla lemperaiury zlicza mniejszej od 70-r80*C prąd /_CB0 tranzystorów krzemowych nukj mocy jest rzędu nanoamperów i zwykle moie być pominięty. Niemniej należy pamiętać. że prąd ten podwaja się wraz ze wzrosłem temperatury o ok. I0*C\

jak współczynnik u umów" F ety częstotliwość graniczna /_T (palrz. nwdz- 56) zmieniają się wraz ze zmiana wartości pra-iu l_c.

Przy wyborze punklu pracy (ranzyłtorów muszą być ip.-fn.onr ruiiepujacc warunki

1    Punki pracy mini być bezpieczny dla eleinenlów - w żadnych warun-Lach nic powinny być przekroczone graniczne wartości mocy. prądów i ru-p*ęć; niezawodność clcmcnlów wj/nu, gdy zwiększa sie odstęp cd wartości giamcznyeh.

2    Punkt pracy powinien zapewnić luytbaie założonych podstawowych parametrów układu.

3.    Pbnki pracy powinien być tu tyk stabilny. aby przy zmianach warunków zewnętrznych (np temperatury, napięcia zasilania) zapewnić funkcyooo-wanae układu zgodnie z wymaganiami.

4.    Wybór punklu pracy mmi uwzględniać sposób zasilania układu, przy zasilaniu ze żzćdcl chemicznych pożądana jen nuninul.zacya poboru peąJ-a

8.2. UKŁAD ZASILANIA Z WYMUSZONYM PRĄDEM BAZY

Elementarny układ zasilania tranzystora bipolarnego z wymuszonym pełdem bazy jen przedstawiony na rys. 8.2a.

Układ opiwH równania Kirchżaoffa

U_cc • lc**’ ^Uc*

0-1)

.    ___„ —,    muiw vp»zy ssaiyiu i'⁴

dzic emitera) o ok. 2 m\TC Natomiast w spółczynnik ss/roocroensa prądowepo p_e toin* znacznie ze wzrentem temperatury. Typowe są zmiany o 0.6- 1-> 'C Wymicniccw zjawiska prowadzą do szybkiego wztołtu prądu 7_C « «naj-wianym układzie, gdy temperatura podnosi się Ponadto silna zależność /_c cd wartości P₀ czyni ten układ podatnym na np. wymianę tranzystora, bowiem parametr p„ podlega znacznym rozrzutom już w procesie predukcy nawet u przypadku tranzystorów tego samego typu Zmiana {J„ może prowa

70

1

Z ifC-Ł/ym.) uumW F I mi »«ił frw) yu Io u

2

irunriw iu ayytziu ullal* do mocy dy-ip-n..mrj IXj tlladr brz./unwrro F - I