55158

Przy pracy tranzystora jako wzmacniacza jego punkt pracy znajduje się w obszarze aktywnym (Q). Przy pracy jako tranzystora jako przełącznika punkt pracy przechodzi pomiędzy obszarami nasycenia i zatkania.

Najprostszy model tranzystora składa się ze źródła prądowego w obwodzie emitera oraz kunduktancji w obwodzie bazy.

By otrzymać model nadający się do analizy w zakresie wyższych częstotliwości należy uwzględnić pojemności związane z poszczególnymi złączami. (Cde (pojemność dyfuzyjna) jest związaną z nośnikami wstrzykniętymi z emitera do bazy.

Tranzystor bipolarny układ wspólnego emitera

W układzie wspólnego emitera jedno z wyprowadzeń zarowno sygnału wejściowego, jak i wyjściowego jest przyłączone do emitera. Układ taki jest często stosowany - charakteryzuje się wzmocnieniem zarowno napięciowym jak i prądowym.

Tranzystor bipolarny układ wspólnej bazy

W układzie wspólnej bazy jedno z wyprowadzeń zarowno sygnału wejściowego, jak i wyjściowego jest przyłączone do bazy. Układ taki jest stosowany głownie w obwodach wysokiej częstotliwości.

Tranzystor bipolarny stabilizacja punktu pracy układ wspólnego kolektora

Układ wspólnego kolektora nie wymaga specjalnych rozwiązań stabilizacji punktu pracy.

Wytwarzanie monokryształów Metoda Czochralskiego

Metoda Czochralskiego polega na powolnym wyciąganiu zarodka z tygla z roztopionym półprzewodnikiem.

Tygiel ogrzewany jest piecem indukcyjnym.

Do stopu można dodać domieszki, otrzymując półprzewodnik odpowiedniego typu.

Wytwarzanie złącz pn tranzystory wyciągane

Metoda polega na dodawaniu do stopu, z którego wyciąga się pręt półprzewodnika na zmianę domieszki akceptorowej i donorowej. Obecnie nie wytwarza się w ten sposób tranzystorów, ale podobna metoda bywa stosowana do wytwarzania fotoogniw.