5768085468

Złącze metal-półprzewodnik (m-s).

prostującego, 3) symbol graficzny diody Schottky’ego

W wyniku pokrycia półprzewodnika warstwą metalu powstaje złącze metal-półprzewodnik (z ang. Metal-Semiconductor). W zależności od rodzaju metalu naniesionego na półprzewodnik można uzyskać złącza m-s o bardzo różnych właściwościach elektrycznych. Na rys. 4.5 pokazano przykład budowy podzespołu zwanego diodą Schotkyego, w którym występują dwa złącza m-s. Ich charakterystyki prądowo-napięciowe pokazane są na rys. 4.6. Złącze (1) to zwyczajne złącze wykorzystywane na wyprowadzenia, zwane omowym. Jego charakterystyka I(U) jest liniowa i niezależna od kierunku przyłożonego napięcia. Złącze (2) powstaje na styku odpowiednio dobranego metalu i półprzewodnika. Jego charakterystyka I(U) jest nieliniowa i wykazuje zdolność do tylko jednokierunkowego przewodzenia prądu, podobnie jak złącze p-n. Przepływ prądu przewodzenia przez złącze m-s związany jest z ruchem elektronów z półprzewodnika do metalu.

Natomiast przepływ ładunków mniejszościowych w przeciwnym kierunku jest znikomy. Dzięki temu złącza te szybciej reagują na zmiany napięcia niż złącza p-n. Szybkość działania diod z prostującym złączem m-s jest znacznie większa niż diod ze złączem p-n i dlatego diody te stosowane są głównie w obwodach wielkich częstotliwości.

Spadek napięcia na przewodzącym złączu m-s jest mniejszy niż na krzemowych złączach p-n i wynosi około 0,4V. Wadą tych diod jest stosunkowo niskie dopuszczalne napięcie wsteczne, którego wartości są rzędu 100V.

Właściwości kierunkowe złączy p-n oraz m-s wykorzystywane są między

innymi w diodach stosowanych do prostowania prądu elektrycznego.

17