6790847010
2016-05-11
kS'
Intel Transistor Leadership
|
H |
LflJ u u |
! U |
W | |
|
lnvented SiGe Strained Silicon |
2^ Gen. SiGe Strained Silicon |
lnvented Gate-Last High-k Metal Gate |
a^Gen. Gate-Last High-k Metal Gate |
First to Implement Tri-Gate |
Strained Silicon
High-k Metal Gate
(intei)
Elementy elektroniczne - układy scalone
kC'
Bulk Transistor
the inversion layer (where source-drain current flows) The influence of subslrate voltage degrades electrical sub-threshold slope (transistor turn-off characteristics) NOT fully depleted
Elementy elektroniczne - układy scalone
20
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
2016-05-11 ikC NAJNOWSZE TECHNOLOGIE MOS Todays TransistorTransistors Go Vertical IEEE SPECTRUM 2007
2016-05-11UlkS Tranzystor planarny vs. 3D intel) Rok
2016-05-11 Elementy elektroniczne - układy scaloneUlUKŁADY SCALONE CMOSPROJEKTOWANIE Ike tranzystor
Image012 stracony, co równałoby się utracie informacji. Ta właściwość struktury tranzystora MOS zost
Image025 porównywalna lub nieco większa niż układów z kanałem p. Przekrój struktury tranzystora MOS
2016-05-11 2016-05-11ELEMENTYELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel. 617-27-
2016-05-11UlPRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY DIODY MOCY IkO llll /■!!!
2016-05-11!!! PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY IkC Literatura • S.
2016-05-11III hcUKŁAD SCALONY - DEFINICJA Układ scalony - układ elektroniczny wyko
2016-05-11UlUKŁADY SCALONE CMOSPROJEKTOWANIE ke varaktor Elementy elektroniczne - układy scalone 15
2016-05-11 mUKŁADY SCALONE CtAOS PROJEKTOWANIEIke 16
2016-05-11 liiTROCHĘ HISTORII Istniejąca od dawna (koniec XIX w.) potrzeba bezstykowej regulacji moc
2016-05-11III , kc..... PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE
2016-05-11III , kcPRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE
więcej podobnych podstron