PNFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów


Tranzystory PNFET Prąd w kanale jest strum. nośników większo. Dostarczonych przez jedną elaktrodę zwaną źródłem a odbierane przez drugą zwaną drenem.Dla tranz. `n'drenem jest ta spośród dwu rozpatry. elektrod która ma wyższy potencjał dodatni. Tranzystor PNFET praccuje tylko przy polaryzacji zaporowej złącza bramka-kanał.

Zasada działania Szerokość kanału zależy stopnia domieszk. kanału i bramki oraz od polaryzacji złacza kanał źródło. Prąd drenu jest funkcją napięcia

dren-źródło oraz bramka- źródło. Dwie charakteryst.

- przejściowa Id(UGS) /UDS=CONST

- wyjściowa Id(UDS) /UGS=CONST

Charakter. wyjściowa - zależność prądu Id od UDS. Kanał można traktować jako rezystor dla małych napięć. Złącze bramka-kanał jest spoolaryz. w kierunku zaporowym przy czym im bliżej drenu tym polar,jest mocniejsza.Odpowiednio dla tej polaryzacji rozszerza się warstwa zaporowa złącza bramka-kanał. Efektem tego jest zmniejszenie przekroju kanału.Przy zwiększaniu UDS kanał staje się co raz cieńszy więc rezysta. kanału wzrasta. Powoduje to zmniejszanie nachylenia charakteryst.

Dalsze zwiększanie UDS. powoduje zetknięcie się dwuch warst zaporowych w pobliżu drenu w punkcie o nazwie punkt odcięcia.. Niemożliwy staje się wtedy wzrost pradu Id. UDS.=UDSSAT

Charakterystyka przejściowa - w miarę zwiększania ujemnej wartości napięcia UGS warstwa zaporowa rozszerza się,powodując zmniejszenie przekroju kanału czyli wzrost rezystancji kanału, a to powoduje zmniejszenie prądu Id przy UDS. W miarę zwiększania ujem. wartości UGS następuje zetknięcie się oobu warstw zaporowych, czyli kanał zosteje odcięty. Takii stan to odcięcie a takie napięcie UGS to napięcieodcięcia Up. Dalszy wzrost - UGS może doprowadzić tylko do przebicia złącza bramk-kanał.

Z tego wszystkiego wynika że PNFET może pracować w jednym z trzech zakresów:

-nieprzewodze. (zatkania) /UGS/>/Up/ UDS.-dowolne

-nienasycenia dla /UGS/</Up/ oraz /UDS/</UDSsat/

-nasycenia /UGS/</Up/ oraz /UDS/>/UDSsat/



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
dioda laserowa, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
WARYSTOR, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MIS, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wpływ temp na złącze P-N, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fotorezystor, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
IZOLACJA, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MISFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wytwarzanie warst domieszkowych, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
HALLOTRONY, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gra2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Układy scalone warstwowe, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Fotoogniwo, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fototranzystory, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów

więcej podobnych podstron