Politechnika Lubelska	Laboratorium podstaw elektroniki
w Lublinie	Ćwiczenie nr 1
Józwik Tomasz, Dubiel Marek, Kopacz Piotr		Semestr IV	Grupa: ED4.4	Rok akademicki: 1996/97
Temat ćwiczenia: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora.			Data wykonania: 3.03.1997	Ocena:

Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB.

charakterystyka wejściowa i przejściowa.

UCB=2V			UCB=4V			UCB=4V
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0	0	0	0	0	0	0	0	0
0,5	2	2	0,53	5	5	0,53	5	5
0,54	5	5,5	0,56	10	10	0,56	10	11
0,57	10	11	0,58	15	16	0,58	15	15,5
0,59	15	17	0,6	20	21	0,59	20	21
0,61	20	21	0,61	25	26	0,61	25	26
0,62	25	27	0,63	30	31	0,62	30	32
0,63	30	32	0,64	35	36	0,63	35	37

charakterystyka wyjściowa i charakterystyka oddziaływania wstecznego.

IE=10mA			IE=20mA			IE=30mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
0	11	0,57	0	21	0,6	0	32	0,63
2	11	0,57	2	21	0,6	2	32	0,63
3	11	0,57	3	21	0,6	3	32	0,63
4	11	0,57	4	21	0,6	4	32	0,63
5	11	0,57	5	21	0,6	5	31	0,63
6	12	0,57	6	21	0,6	6	31	0,61
7	12	0,56	7	21	0,6	7	31	0,61
8	12	0,56	8	21	0,6	8	31	0,61

parametry mieszane.

h_11b=DU_cb/DI_e=8V/1mA=8kW

h_21b=DI_c/DI_e=1mA/1mA=1

h_22b=DI_C/DU_cb=1mA/8V=125mS

h_12b=DU_eb/DU_cb=0,01V/8V=0,00125

Wyznaczanie charakterystyk statycznych w układzie WE.

wyznaczanie charakterystyk wejściowych, oraz charakterystyki przejściowej.

UCE=2V			UCE=4V			UCE=4V
UEB	IB	IC	UEB	IB	IC	UEB	IB	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0	0	0	0	0	0	0	0	0
0,44	5	0,06	0,44	5	0,05	0,44	5	0,05
0,43	10	0,25	0,43	10	0,3	0,5	10	0,3
0,53	15	0,53	0,53	15	0,6	0,53	15	0,65
0,54	17	0,74	0,54	17	0,75	0,54	17	0,8
0,56	20	1	0,56	20	1	0,56	20	1
0,57	22	1,15	0,57	22	1,15	0,57	22	1,25
0,58	25	1,35	0,58	25	1,4	0,58	25	1,55

wyznaczanie charakterystyk wyjściowych, oraz charakterystyki oddziaływania wstecznego.

IB=20mA			IB=25mA			IB=10mA
UCC	IC	UEB	UCC	IC	UEB	UCC	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
0	0	0,48	0	0	0,5	0	0	0,42
0,082	0,2	0,52	0,082	0,3	0,55	0,1	0,1	0,48
0,25	0,65	0,55	0,15	0,85	0,57	0,15	0,2	0,49
0,3	0,8	0,56	0,3	1,3	0,58	0,3	0,25	0,49
0,4	0,9	0,56	0,4	1,3	0,58	0,4	0,25	0,49
0,6	0,9	0,56	0,6	1,3	0,58	0,6	0,25	0,49
0,8	0,9	0,56	0,8	1,3	0,58	0,8	0,25	0,49
0,9	0,9	0,56	0,9	1,3	0,58	0,9	0,25	0,49

wyznaczanie parametrów mieszanych dla układu WE.

h_11e=DU_be/DI_b=0,02V/6,5mA=3,08W

h_21e=DIc/ DI_b=0,5mA/6,5mA=0,08

h_22e=DI_c/DU_ce=0,5mA/0,32V=0,0016S

h_12e=DU_be/DU_ce=0,02V/0,32V=0,0625

Wnioski.

Jak widzimy w układzie We impedancja wejściowa tranzystora jest rzędu kilku omów w przeciwieństwie do układu z wspólnym emiterem gdzie impedancja jest rzędu kilku kilo omów. W tym ostatnim układzie wzmocnienie prądowe jest równe jedności natomiast we WE wzmocnienie prądowe jest bardzo małe. Admitancja wejściowa tranzystora we WE jest dużo większa od admitancji WB. Współczynnik oddziaływania wstecznego we WE jest dużo większy od tego samego współczynnika we WB.

---