Modele czwórnikowe

u₁=z₁₁i₁+z₁₂i₂ r. Impe u₁=h₁₁i₁+h₁₂u₂ r.mieszane

u₂=z₂₁i₁+z₂₂i₂ dacyjne i₂=h₂₁i₁+h₂₂u₂

h₁₁-imp. wejś

h₁₂-współ.odział.

zwrot. h₂₁-wz.prąd

y_11­-­admit.wejścio

h₁₁=1/ y₁₁

Każdą parę równań można przedstawić w postaci sieci elektrycznej. Wartości h zalężą od układu włącz.: WB h₂₁=0.99 WE h₂₁= 100 (β) WC h₂₁ β+1

Parametry macierzy rozproszenia dla częs>300MHz

Zamiast napięć i prądów stosuje się ich liniowe kombinacje. b₁=s₁₁a₁+s₁₂a₂ b₂=s₂₁a₁+s₂₂a₂

Dla małych częstot. - h .Dla dużych częstotliwości

gdy widać przesunięcia między U i I stosuje się y.

Dla bardzo dużej częstotliwości stosuje się par. s.

Modele fizyczne (schematy zastępcze)-

stanowią mniej lub bardziej wierne odbiecie zjawisk zachodzących wewnątrz tranzystora. Większość schematów zastęp. ma strukturę T lub Π. W obszarze aktywnym normalnym można pominąć poj. dyfuzjyną kolektora C_dc. Jeżeli uwzględnimy wpływ zjawisk modulacji efektywnej szerok. Bazy to model należy uzupeł. konduktanc. zwrotną g_b`c.

Cb`e=Cje+Cde

Gdy WE i częst< 8kHz można pominąć poj.

Gdy 8KHz<f<1,6MHz należy dać Cb`c

Gdy f>1.6MHz nie można pominąć żadnej poj.

Ujemny wpływ rezystancji rozproszenia bazy:

-zmniejszenie max. częst generacji

-wypychanie I_E , zwiększanie współcz. szumów

Tranzystory dużej mocy. Nierównomierność gęstości I_E jest tym mniejsza im mniejsza jest średnica E oraz im bliżej emitera znajduje się elektroda bazy. Dlatego dla tr.dużej mocy zamiast jednej warstwy emitera daje się połączenia równoległych warstw emitera a małych

powierzchniach.

Tranz.mikrofalowe to takie gdy f_T> 1GHz.

a) tran.małej mocy , parametry

-częstotl.grani.,wzmocnienie, współ.szumów

Najważniejsze aby otrzymać jak najmniejszą

rezystancję rozproszenia bazy r_bb Wymagania:

cieńka B , małe powierzchnie złączy

b) tranz dużej mocy , parametry:

-częst.gran, moc rozpraszana, wzmocn mocy

W celu odprowadzenia dużego ciepła tranzystory mocy maja duże obudowy o jednej płaskiej powierzchni zapewniające dobry styk z radiatorem.