Ćwiczenie 28
Zdejmowanie charakterystyk tranzystora
I. Zagadnienia do samodzielnego opracowania
Rodzaje półprzewodników i ich własności.
Model pasmowy półprzewodników.
Zasada działania złącza p-n.
Zasada działania tranzystora bipolarngo.
Literatura:
J. Massalski, M. Massalska, Fizyka dla inżynierów, t.1, WNT, Warszawa 1980
J. Orear, Fizyka, WNT, Warszawa 1990
II. Metodologia wykonania pomiarów
Celem ćwiczenia jest otrzymanie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego w układzie ze wspólnym emiterem.
Zmontować układ wg schematu (rysunek). Baza tranzystora zasilana jest napięciem pobieranym z 6-woltowego zasilacza przez dzielnik napięcia
. Mikroamperomierz mierzy prąd bazy
począwszy od kilkudziesięciu mikroamperów do 1mA. Prąd kolektora
płynący przez miliamperomierz
ma wartość kilkunastu miliamperów. Do zasilania kolektora służy zasilacz stabilizowany z możliwością ograniczenia prądu.
Schemat obwodu do zdejmowania charakterystyk tranzystora
Zdjąć charakterystykę
przy
. W tym celu pokrętłem regulacji napięcia w zasilaczu ustalić odpowiednie napięcie kolektora. Dzielnikiem napięcia
zmieniać prąd bazy
i odczytywać odpowiadające mu wartości prądu kolektora
. Pomiary powtórzyć dla trzech różnych napięć
wskazanych przez prowadzącego ćwiczenia.
Wyznaczyć współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora β.
Zdjąć charakterystykę
przy
. W tym celu dzielnikiem napięcia
dobrać prąd bazy
, dla którego mierzona będzie zależność
, napięcie kolektora zmienia się pokrętłem regulacji napięcia w zasilaczu. Przy odczytywaniu wskazań mierników
i woltomierza należy sprawdzić czy nie ulega zmianie prąd bazy i ewentualnie skorygować go dzielnikiem
. Pomiary należy przeprowadzić dla trzech wartości prądu bazy
wskazanych przez prowadzącego ćwiczenia.
Tabele pomiarowe
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
[ μA ] |
[ mA ] |
[μA ] |
[mA ] |
[μA ] |
[mA ] |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
[ V ] |
[mA ] |
[V ] |
[mA ] |
[V ] |
[mA] |
|
|
|
|
|
|
Na papierze milimetrowym sporządzić wykres zależności
i
. Na wykresie zaznaczyć niepewności pomiarowe.
2