DIODY
DIODY
Diodą półprzewodnikową nazywamy elemęt wykonany z półprzewodnika posiadającego jedno złącze P-N
Z 2 końcówkami wyprowadzonymi na zewnątrz, z których jedna nazywa się anodą [A] a druga katoda [k]
Przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia prądu elektrycznego przepływa od anody do katody.
Diody półprzewodnikowe stosowane są w układach prostowania prądu zmiennego w układach modulacji i detekcji,przełączania,generacji i w układach wzmacniania sygnałów elektronicznych.Diody prostownicze są
Przeznaczone do prostowania napięcia lub prądu przemiennego o małej częstotliwości [m.cz.] mogą być
Wykonane z krzemu i germanu. Diody krzemowe zaczynają przewodzić w polaryzacji po przekroczeniu napięcia 0,6 V natomiast germanowe zaczynają przewodzić po przekroczeniu 0,3V diody są stosowane przede wszystkim w układach prostowniczych prostowniczych bloków zasilania są one również stosowane w powielaczach wysokiego napięcia.
Najważniejsze parametry diody półprzewodnikowej
Parametry podstawowe:
Napięcie przewodzenia - [UF] przy odpowiednim prądzie przewodzenia i [IF]
Prąd wsteczny - [IR] przy odpowiednim napięciu w kierunku zaporowym
Parametr przeciążeniowy - I2t dla diody mocy. Wartość prądu w kierunku przewodzenia wynosi od 106do 108
Razu większa niż wartość prądu w kierunku zaporowym. Ze względu na wydzielaną moc diody dzielimy na
Małej mocy {do 1W} diody średniej mocy {1W-10W} dużej mocy {powyżej10W} diody mogą być produkowane o mocy kilku {kW}kiedy prąd przewodzenia przekracza wartość 10A diody powinny być na radiatorach odprowadzających ciepło
Oznaczenia niektórych typów diod:
A - diody detekcyjne mieszające i szybko przełączające
B - diody o zmiennej pojemności
C - tranzystor małej i średniej mocy małej częstotliwości
D - tranzystor mocy małej częstotliwości
E - diody tunelowe
F - tranzystor małej mocy średniej mocy, wielkiej częstotliwości
G - elemęt powielający złożony z różnych struktur
H - sonda do mierzenia pola magnetycznego(czujnik halla)
K - generator halla w otwartym obwodzie magnetycznym
L - tranzystor mocy bardzo wielkiej częstotliwości
M - generator halla w zamkniętym obwodzie magnetycznym
P - element optoelektroniczny czuły na promieniowanie fotodetektor
Q - element optoelektroniczny fotogeneracyjny
E - tyrystor małej mocy
S - tranzystor impulsowy
T - tyrystor mocy
U - tranzystor impulsowy mocy
Y - oznacza diody prostownicze
X - oznacza diody powielające
Z - oznacza diody Zenera
Systemy oznaczania elemętów półprzewodnikowych w Polsce i w europie. Oznaczenie składa się z 2 części:
- literowej -2 litery
- numerowej - 1 litera i 3liczby lub 2 litery i 2 liczby
Pierwsza litera oznacza materiał, z jakiego jest zbudowana:
A - dioda germanowa z budowana z materiału o szerokości pasma zabronionego od 0,6 do 1,0eV
B - materiał o szerokości pasma zabronionego od 1,0 do 1,3eV
C - materiał o szerokości pasma zabronionego powyżej 1,3eV
D - materiał o szerokości pasma zabronionego mniejszy niż 0,6eV
R - inny materiał
Litera P oznacza znak umowny wytwórcy
Litera V oznacza,[przecinek], kiedy napięcie stabilizacji nie jest liczbą całkowitą
B - tranzystor krzemowy
C - tranzystor małej mocy i częstotliwości
107 - do zastosowań powszechnego użytku
BYYP80 - 500R
B - dioda krzemowa
Y - dioda prostownicza
Y - dioda do zastosowań profesjonalnych
P - wytwórca
500 - max napięcie wsteczne
R - dioda z polaryzowana odwrotnie