word -elektronika, DIODY, DIODY


DIODY

DIODY

Diodą półprzewodnikową nazywamy elemęt wykonany z półprzewodnika posiadającego jedno złącze P-N

Z 2 końcówkami wyprowadzonymi na zewnątrz, z których jedna nazywa się anodą [A] a druga katoda [k]

Przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia prądu elektrycznego przepływa od anody do katody.

Diody półprzewodnikowe stosowane są w układach prostowania prądu zmiennego w układach modulacji i detekcji,przełączania,generacji i w układach wzmacniania sygnałów elektronicznych.Diody prostownicze są

Przeznaczone do prostowania napięcia lub prądu przemiennego o małej częstotliwości [m.cz.] mogą być

Wykonane z krzemu i germanu. Diody krzemowe zaczynają przewodzić w polaryzacji po przekroczeniu napięcia 0,6 V natomiast germanowe zaczynają przewodzić po przekroczeniu 0,3V diody są stosowane przede wszystkim w układach prostowniczych prostowniczych bloków zasilania są one również stosowane w powielaczach wysokiego napięcia.

Najważniejsze parametry diody półprzewodnikowej

Parametry podstawowe:

Napięcie przewodzenia - [UF] przy odpowiednim prądzie przewodzenia i [IF]

Prąd wsteczny - [IR] przy odpowiednim napięciu w kierunku zaporowym

Parametr przeciążeniowy - I2t dla diody mocy. Wartość prądu w kierunku przewodzenia wynosi od 106do 108

Razu większa niż wartość prądu w kierunku zaporowym. Ze względu na wydzielaną moc diody dzielimy na

Małej mocy {do 1W} diody średniej mocy {1W-10W} dużej mocy {powyżej10W} diody mogą być produkowane o mocy kilku {kW}kiedy prąd przewodzenia przekracza wartość 10A diody powinny być na radiatorach odprowadzających ciepło

Oznaczenia niektórych typów diod:

A - diody detekcyjne mieszające i szybko przełączające

B - diody o zmiennej pojemności

C - tranzystor małej i średniej mocy małej częstotliwości

D - tranzystor mocy małej częstotliwości

E - diody tunelowe

F - tranzystor małej mocy średniej mocy, wielkiej częstotliwości

G - elemęt powielający złożony z różnych struktur

H - sonda do mierzenia pola magnetycznego(czujnik halla)

K - generator halla w otwartym obwodzie magnetycznym

L - tranzystor mocy bardzo wielkiej częstotliwości

M - generator halla w zamkniętym obwodzie magnetycznym

P - element optoelektroniczny czuły na promieniowanie fotodetektor

Q - element optoelektroniczny fotogeneracyjny

E - tyrystor małej mocy

S - tranzystor impulsowy

T - tyrystor mocy

U - tranzystor impulsowy mocy

Y - oznacza diody prostownicze

X - oznacza diody powielające

Z - oznacza diody Zenera

Systemy oznaczania elemętów półprzewodnikowych w Polsce i w europie. Oznaczenie składa się z 2 części:

- literowej -2 litery

- numerowej - 1 litera i 3liczby lub 2 litery i 2 liczby

Pierwsza litera oznacza materiał, z jakiego jest zbudowana:

A - dioda germanowa z budowana z materiału o szerokości pasma zabronionego od 0,6 do 1,0eV

B - materiał o szerokości pasma zabronionego od 1,0 do 1,3eV

C - materiał o szerokości pasma zabronionego powyżej 1,3eV

D - materiał o szerokości pasma zabronionego mniejszy niż 0,6eV

R - inny materiał

Litera P oznacza znak umowny wytwórcy

Litera V oznacza,[przecinek], kiedy napięcie stabilizacji nie jest liczbą całkowitą

B - tranzystor krzemowy

C - tranzystor małej mocy i częstotliwości

107 - do zastosowań powszechnego użytku

BYYP80 - 500R

B - dioda krzemowa

Y - dioda prostownicza

Y - dioda do zastosowań profesjonalnych

P - wytwórca

500 - max napięcie wsteczne

R - dioda z polaryzowana odwrotnie



Wyszukiwarka