ZADANIE 1A 

 

 
 
V

CC

  = 10 V 

R

B1

 = 20 k

Ω

 

R

C

  = 8.2 k

Ω

 

D

1

, D

2 

:  { U

F

 = 0.6V, r

d

 = 0 } 

D

3

 

(LED)

:  { U

F

 = 1.6V, r

d

 = 0 } 

T

1 

: { U

BEP

 = 0.7V, U

CE-sat

 = 0.2V, 

β

 = 200 } 

T

2 

: { U

EBP

 = 0.7V, U

EC-sat

 = 0.2V, 

β

 = 200 } 

T

3

, T

4 

: { U

BEP

 = 0.7V, U

CE-sat

 = 0.3V, 

β

 = 200 } 

1) Przeanalizuj działanie układu pokazanego 
na rysunku zakładaj

ą

c, 

ż

e pr

ą

dy bazy mo

ż

na tutaj 

pomin

ąć

 (

 I

C

 = I

E  

)

  i dobierz (oblicz) warto

ś

ci 

rezystorów R

B2

 , R

E2

 i R

E3

 tak, aby pr

ą

d płyn

ą

cy 

przez diod

ę

 D

3

 (

LED

) miał wart. ok. 2mA oraz aby 

pr

ą

d I

2

 miał warto

ść

 3mA, a pr

ą

d I

3

 = 10mA.  

 

2) Dobierz warto

ść

 rezystora R

E1

 tak, aby 

tranzystor T1 wchodził w stan nasycenia przy 
napi

ę

ciu wej

ś

ciowym U

WE

 = 2.3V . Wyznacz 

potrzebne charakterystyczne warto

ś

ci i 

narysuj zale

ż

no

ść

 U

O

 = f(U

WE

) dla 

U

WE

 

∈

∈

∈

∈

 <0V, 3.3V> . Podaj maksymaln

ą

 i minimaln

ą

 

warto

ść

 napi

ę

cia wyj

ś

ciowego U

O

  w tym układzie.  

(Nadal zakładaj

ą

c, 

ż

e pr

ą

dy bazy maj

ą

 pomijalnie 

mały wpływ na działanie tego układu.)   

 
3) Przeanalizuj ponownie działanie tego układu, 
tym razem uwzgl

ę

dniaj

ą

c pr

ą

dy bazy tranzystorów 

i narysuj jeszcze raz zale

ż

no

ść

 U

O

 = f(U

WE

) 

wskazuj

ą

c na zauwa

ż

one istotne ró

ż

nice.  

(Najlepiej pokaza

ć

 to na tle charakterystyki 

uzyskanej w punkcie 2., naszkicowanej cienk

ą

 lini

ą

 

przerywan

ą

.)   

 
 
 
 
 

ZADANIE 1B 

 

 

 

 
V

CC

  = 10 V 

R

B1

 = 20 k

Ω

 

R

C

  = 7.2 k

Ω

 

D

1

, D

3

, D

4 

:  { U

F

 = 0.6V, r

d

 = 0 } 

D

2

 

(LED)

:  { U

F

 = 1.6V, r

d

 = 0 } 

T

1 

: { U

BEP

 = 0.7V, U

CE-sat

 = 0.2V, 

β

 = 200 } 

T

2 

: { U

EBP

 = 0.7V, U

EC-sat

 = 0.2V, 

β

 = 200 } 

T

3

, T

4 

: { U

BEP

 = 0.7V, U

CE-sat

 = 0.3V, 

β

 = 200 }  

 
1) Przeanalizuj działanie układu pokazanego 
na rysunku zakładaj

ą

c, 

ż

e pr

ą

dy bazy mo

ż

na tutaj 

pomin

ąć

 (

 I

C

 = I

E  

)

   i dobierz (oblicz) warto

ś

ci 

rezystorów R

B2

 , R

E2

 i R

E3

 tak, aby pr

ą

d płyn

ą

cy 

przez diody D

3

 i D

4

 miał wart. ok. 1mA oraz aby 

pr

ą

d I

2

 miał warto

ść

 2mA, a pr

ą

d I

3

 = 10mA.  

 

2) Dobierz warto

ść

 rezystora R

E1

 tak, aby 

tranzystor T1 wchodził w stan nasycenia przy 
napi

ę

ciu wej

ś

ciowym U

WE

 = 3.2V . Wyznacz 

potrzebne charakterystyczne warto

ś

ci i 

narysuj zale

ż

no

ść

 U

O

 = f(U

WE

) dla U

WE

 

∈

∈

∈

∈

 <0V, 5V> 

.  Podaj maksymaln

ą

 i minimaln

ą

 

warto

ść

 napi

ę

cia wyj

ś

ciowego U

O

  w tym układzie.  

(Nadal zakładaj

ą

c, 

ż

e pr

ą

dy bazy maj

ą

 pomijalnie 

mały wpływ na działanie tego układu.)   

  

3) Przeanalizuj ponownie działanie tego układu, 
tym razem uwzgl

ę

dniaj

ą

c pr

ą

dy bazy tranzystorów 

i narysuj jeszcze raz zale

ż

no

ść

 U

O

 = f(U

WE

) 

wskazuj

ą

c na zauwa

ż

one istotne ró

ż

nice.  

(Najlepiej pokaza

ć

 to na tle charakterystyki 

uzyskanej w punkcie 2., naszkicowanej cienk

ą

 lini

ą

 

przerywan

ą

.)