ZADANIE 1A

V

CC

= 10 V

R

B1

= 20 k

Ω

R

C

= 8.2 k

Ω

D

1

, D

2

: { U

F

= 0.6V, r

d

= 0 }

D

3

(LED)

: { U

F

= 1.6V, r

d

= 0 }

T

1

: { U

BEP

= 0.7V, U

CE-sat

= 0.2V,

β

= 200 }

T

2

: { U

EBP

= 0.7V, U

EC-sat

= 0.2V,

β

= 200 }

T

3

, T

4

: { U

BEP

= 0.7V, U

CE-sat

= 0.3V,

β

= 200 }

1) Przeanalizuj działanie układu pokazanego
na rysunku zakładaj

ą

c,

ż

e pr

ą

dy bazy mo

ż

na tutaj

pomin

ąć

(

I

C

= I

E

)

i dobierz (oblicz) warto

ś

ci

rezystorów R

B2

, R

E2

i R

E3

tak, aby pr

ą

d płyn

ą

cy

przez diod

ę

D

3

(

LED

) miał wart. ok. 2mA oraz aby

pr

ą

d I

2

miał warto

ść

3mA, a pr

ą

d I

3

= 10mA.

2) Dobierz warto

ść

rezystora R

E1

tak, aby

tranzystor T1 wchodził w stan nasycenia przy
napi

ę

ciu wej

ś

ciowym U

WE

= 2.3V . Wyznacz

potrzebne charakterystyczne warto

ś

ci i

narysuj zale

ż

no

ść

U

O

= f(U

WE

) dla

U

WE

∈

∈

∈

∈

<0V, 3.3V> . Podaj maksymaln

ą

i minimaln

ą

warto

ść

napi

ę

cia wyj

ś

ciowego U

O

w tym układzie.

(Nadal zakładaj

ą

c,

ż

e pr

ą

dy bazy maj

ą

pomijalnie

mały wpływ na działanie tego układu.)

3) Przeanalizuj ponownie działanie tego układu,
tym razem uwzgl

ę

dniaj

ą

c pr

ą

dy bazy tranzystorów

i narysuj jeszcze raz zale

ż

no

ść

U

O

= f(U

WE

)

wskazuj

ą

c na zauwa

ż

one istotne ró

ż

nice.

(Najlepiej pokaza

ć

to na tle charakterystyki

uzyskanej w punkcie 2., naszkicowanej cienk

ą

lini

ą

przerywan

ą

.)

ZADANIE 1B

V

CC

= 10 V

R

B1

= 20 k

Ω

R

C

= 7.2 k

Ω

D

1

, D

3

, D

4

: { U

F

= 0.6V, r

d

= 0 }

D

2

(LED)

: { U

F

= 1.6V, r

d

= 0 }

T

1

: { U

BEP

= 0.7V, U

CE-sat

= 0.2V,

β

= 200 }

T

2

: { U

EBP

= 0.7V, U

EC-sat

= 0.2V,

β

= 200 }

T

3

, T

4

: { U

BEP

= 0.7V, U

CE-sat

= 0.3V,

β

= 200 }

1) Przeanalizuj działanie układu pokazanego
na rysunku zakładaj

ą

c,

ż

e pr

ą

dy bazy mo

ż

na tutaj

pomin

ąć

(

I

C

= I

E

)

i dobierz (oblicz) warto

ś

ci

rezystorów R

B2

, R

E2

i R

E3

tak, aby pr

ą

d płyn

ą

cy

przez diody D

3

i D

4

miał wart. ok. 1mA oraz aby

pr

ą

d I

2

miał warto

ść

2mA, a pr

ą

d I

3

= 10mA.

2) Dobierz warto

ść

rezystora R

E1

tak, aby

tranzystor T1 wchodził w stan nasycenia przy
napi

ę

ciu wej

ś

ciowym U

WE

= 3.2V . Wyznacz

potrzebne charakterystyczne warto

ś

ci i

narysuj zale

ż

no

ść

U

O

= f(U

WE

) dla U

WE

∈

∈

∈

∈

<0V, 5V>

. Podaj maksymaln

ą

i minimaln

ą

warto

ść

napi

ę

cia wyj

ś

ciowego U

O

w tym układzie.

(Nadal zakładaj

ą

c,

ż

e pr

ą

dy bazy maj

ą

pomijalnie

mały wpływ na działanie tego układu.)

3) Przeanalizuj ponownie działanie tego układu,
tym razem uwzgl

ę

dniaj

ą

c pr

ą

dy bazy tranzystorów

i narysuj jeszcze raz zale

ż

no

ść

U

O

= f(U

WE

)

wskazuj

ą

c na zauwa

ż

one istotne ró

ż

nice.

(Najlepiej pokaza

ć

to na tle charakterystyki

uzyskanej w punkcie 2., naszkicowanej cienk

ą

lini

ą

przerywan

ą

.)