Parametry dynamiczne tranzystora MOS

 

g

gs

  –  konduktancja    wejściowa  (o  bardzo  małej  wartości),  występującą

w obwodzie wejściowym G-S, której mała wartość wiąŜe się z bardzo duŜą
rezystancją izolatora pod bramką.

 

g

ds

 – konduktancję wyjściową (występującą w obwodzie D-S).

 

g

m

 – transkonduktancję.

Dwa  ostatnie  parametry  definiowane  są  tak  samo  jak  w  przypadku  ich

odpowiedników dla tranzystora PNFET.

Elektryczny schemat zastępczy zawiera ponadto:

 

C

gs

  –  pojemność  bramka-źródło,  wynikającą  ze  zmian  ładunku  bramki  przy

zmianach napięcia u

gs

,

 

C

gd

  –  pojemność  bramka-dren  wynikającą  ze  zmian  ładunku  bramki  przy

zmianach napięcia u

gd

,

 

C

gb

  –  pojemność  bramka-podłoŜe  wynikającą  ze  zmian  ładunku  (obszaru

zuboŜonego) przy zmianach napięcia u

gb

.

Przedstawione  parametry  zaliczane  są  do  parametrów  dynamicznych

tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką.

Oprócz  nich  określana  jest  f

m

  –  częstotliwość    graniczna  pracy

tranzystora,  przy  której  prąd  płynący  przez  pojemność  wejściową  jest  równy
prądowi dostarczanemu przez źródło prądowe g

m

u

gs

.

G

C

gb

S,B

g

gs

g

ds

C

ds

C

gd

g

m

u

gs

D

S,B

Elektryczny małosygnałowy schemat  zastępczy tranzystora

MIS  dla  zakresu  średnich  częstotliwości.

C

gs