Parametry dynamiczne tranzystora MOS

g

gs

– konduktancja wejściowa (o bardzo małej wartości), występującą

w obwodzie wejściowym G-S, której mała wartość wiąże się z bardzo dużą
rezystancją izolatora pod bramką.

g

ds

– konduktancję wyjściową (występującą w obwodzie D-S).

g

m

– transkonduktancję.

Dwa ostatnie parametry definiowane są tak samo jak w przypadku ich

odpowiedników dla tranzystora PNFET.

Elektryczny schemat zastępczy zawiera ponadto:

C

gs

– pojemność bramka-źródło, wynikającą ze zmian ładunku bramki przy

zmianach napięcia u

gs

,

C

gd

– pojemność bramka-dren wynikającą ze zmian ładunku bramki przy

zmianach napięcia u

gd

,

C

gb

– pojemność bramka-podłoże wynikającą ze zmian ładunku (obszaru

zubożonego) przy zmianach napięcia u

gb

.

Przedstawione parametry zaliczane są do parametrów dynamicznych

tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką.

Oprócz nich określana jest f

m

– częstotliwość graniczna pracy

tranzystora, przy której prąd płynący przez pojemność wejściową jest równy
prądowi dostarczanemu przez źródło prądowe g

m

u

gs

.

G

C

gb

S,B

g

gs

g

ds

C

ds

C

gd

g

m

u

gs

D

S,B

Elektryczny małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora

MIS dla zakresu średnich częstotliwości.

C

gs