1
Projekt współfinansowany przez Uni
ę
Europejsk
ą
w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
In
ż
ynieria wytwarzania
Dr in
ż
. Andrzej Kubiak
1.
Definicje mikro- i nanotechnologii
2.
Zagadnienia utrzymania czysto
ś
ci w procesach mikro- i
nanotechnologii
3.
Materiały półprzewodnikowe – własno
ś
ci, wytwarzanie, obróbka
mechaniczna
4.
Trawienie materiałów półprzewodnikowych
5.
Technologia procesów fotolitografii
6.
Domieszkowanie półprzewodników
7.
Wytwarzanie nowych warstw. Tlenek krzemu
8.
Osadzanie pró
ż
niowe cienkich warstw
9.
Osadzanie chemiczne z fazy lotnej
10. Monta
ż
i hermetyzacja struktur
11. Struktury mechatroniczne
In
ż
ynieria wytwarzania
Dr in
ż
. Andrzej Kubiak
1.
Definicje mikro- i nanotechnologii
2.
Zagadnienia utrzymania czysto
ś
ci w procesach mikro- i
nanotechnologii
3.
Materiały półprzewodnikowe – własno
ś
ci, wytwarzanie, obróbka
mechaniczna
4.
Trawienie materiałów półprzewodnikowych
5.
Technologia procesów fotolitografii
6.
Domieszkowanie półprzewodników
7.
Wytwarzanie nowych warstw. Tlenek krzemu
8.
Osadzanie pró
ż
niowe cienkich warstw
9.
Osadzanie chemiczne z fazy lotnej
10. Monta
ż
i hermetyzacja struktur
11. Struktury mechatroniczne
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
2
Najwa
ż
niejsze parametry nowych warstw
Najwa
ż
niejsze parametry nowych warstw
- skład chemiczny warstwy
- struktura krystalograficzna
- orientacja krystalograficzna
- adhezja warstwy do podło
ż
a
- grubo
ść
warstwy
- współczynnik załamania warstwy
- stała dielektryczna (dla warstw dielektrycznych)
- rezystywno
ść
warstwy
- współczynnik rozszerzalno
ś
ci cieplnej
- napr
ęż
enia mechaniczne wzgl
ę
dempodło
ż
a
- jednorodno
ść
- sposób pokrycia uskoków podło
ż
a
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
3
Wymagania wobec warstw dielektrycznych
stosowanych w technologii krzemowej
Wymagania wobec warstw dielektrycznych
stosowanych w technologii krzemowej
• Du
ż
a stabilno
ść
chemiczna – materiał warstwy dielektrycznych nie mo
ż
e wchodzi
ć
w
reakcje z materiałami, z którymi si
ę
styka (podło
ż
e, metalizacja, atmosfera otaczaj
ą
ca)
• Prostota i zgodno
ść
technologii wytwarzania warstw dielektrycznych z technologi
ą
wytwarzania przyrz
ą
dów. Proces wytwarzania warstw dielektrycznych musi by
ć
dostatecznie prosty i łatwy, aby ograniczy
ć
do minimum liczb
ę
przyrz
ą
dów z warstwami
wadliwymi, a jednocze
ś
nie proces ten musi przebiega
ć
w warunkach, które nie wpływaj
ą
niekorzystnie na te elementy, które wykonano wcze
ś
niej.
• Odpowiednie własno
ś
ci cieplne i mechaniczne układu dielektryk – podło
ż
e. W
warunkach pracy i przechowywania przyrz
ą
du powinna by
ć
zapewniona silna adhezja na
całej powierzchni styku obu materiałów. Ponadto zmiany temperatury nie powinny
powodowa
ć
zbyt silnych napr
ęż
e
ń
na granicy dielektryk – podło
ż
e wynikaj
ą
cych z
niedopasowania współczynników rozszerzalno
ś
ci cieplnej.
• Jednorodno
ść
warstwy pod wzgl
ę
dem składu i struktury. Wymaganie to dotyczy
stało
ś
ci proporcji składników warstwy oraz jednorodno
ś
ci fizykochemicznej na całej jej
powierzchni. Szczególnie istotne s
ą
tu wtr
ą
cenia i zanieczyszczenia atomami
pierwiastków obcych, które mog
ą
lokalnie zmienia
ć
własno
ś
ci fizyczne warstwy.
• Kontrolowana grubo
ść
. Niemal we wszystkich zastosowaniach grubo
ść
oraz
jednorodno
ść
grubo
ś
ci warstw stanowi bardzo istotny parametr technologiczny
decyduj
ą
cy np. o napi
ę
ciu przebicia warstwy izolacyjnej
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
4
Pokrywanie uskoków
Pokrywanie uskoków
- powierzchnia podło
ż
a jest płaska jedynie podczas realizacji pierwszego procesu
fotolitografii
- ka
ż
dy kolejny proces powoduje generacj
ę
kolejnych uskoków
- najcz
ęś
ciej po
żą
dane jest konfokalne pokrycie powierzchni (o jednakowej
grubo
ś
ci) przez powstaj
ą
ce warstwy
- taki typ pokrycie wyst
ę
puje przede wszystkim podczas wzrostu warstwy z
udziałem materiału podło
ż
a (utlenianie termiczne), natomiast dla metod osadzania
chemicznego (Chemical Vapour Deposition - CVD) i naparowania fizycznego
(Physical Vapour Deposuition - PVD) jest to powa
ż
ny problem technologiczny
- lokalne zw
ęż
enie grubo
ś
ci warstwy dielektrycznej powoduje zwi
ę
kszenie
nat
ęż
enia pola elektrycznego, co mo
ż
e powodowa
ć
przebicie, za
ś
w przypadku
warstwy przewodz
ą
cej – lokalny wzrost g
ę
sto
ś
ci pr
ą
du i miejscowe przegrzewanie
warstwy
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
5
Klasyfikacja procesów wytwarzania nowych warstw
Klasyfikacja procesów wytwarzania nowych warstw
Podło
ż
e
Procesy, w wyniku których powstaj
ą
nowe warstwy
Podło
ż
e
Podło
ż
e
Pierwotna
powierzchnia
podło
ż
a
Procesy, w których atomy podło
ż
a nie
bior
ą
udziału w budowaniu nowej
warstwy:
• osadzanie chemiczne (CVD)
• osadzanie fizyczne (PVD)
Procesy, w których atomy
podło
ż
a bior
ą
udział w
budowaniu nowej warstwy:
• utlenianie termiczne
• azotkowanie termiczne
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
6
Tlenek krzemu - własno
ś
ci
Tlenek krzemu - własno
ś
ci
•
ś
wietne własno
ś
ci dielektryczne - stała dielektryczna
ε
r
≅
3,8 jest wystarczaj
ą
co
du
ż
a do budowy kondensatorów na podło
ż
u krzemowym oraz wystarczaj
ą
co
mała aby stała czasowa RC, dotycz
ą
ca izolacji
ś
cie
ż
ek poł
ą
cze
ń
elektrycznych,
nie ograniczała cz
ę
stotliwo
ś
ci pracy przyrz
ą
dów (prawdziwe do roku 2000)
• doskonałe własno
ś
ci izolacyjne - napi
ę
cie przebicia cienkiej warstwy SiO
2
wynosi około 15 000 kV/cm!
• bardzo dobre własno
ś
ci na styku powierzchni Si/SiO
2
• łatwo
ść
wytwarzania za pomoc
ą
ró
ż
nych technik
• łatwo
ść
strukturyzacji, czyli mo
ż
liwo
ść
wytrawiania zb
ę
dnych fragmentów
warstwy SiO
2
• stabilno
ść
chemiczna pozwalaj
ą
ca zabezpiecza
ć
krzem oraz struktury
półprzewodnikowe przed czynnikami zewn
ę
trznymi
2
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
7
Tlenek krzemu - zastosowania
Tlenek krzemu - zastosowania
• tlenki podbramkowe tranzystorów MOS - po
żą
dana grubo
ść
rz
ę
du kilku nm,
bardzo dobre własno
ś
ci elektryczne, wysokie napi
ę
cie przebicia
• warstwa dielektryka w kondensatorach - po
żą
dana du
ż
a pojemno
ść
przy
małej powierzchni, np. w pami
ę
ciach DRAM (Dynamic Random Access Memory)
pojemno
ś
ci rz
ę
du 30pF zajmuj
ą
powierzchni
ę
0,25
µ
m
• izolacja - np. pomi
ę
dzy tranzystorami na wspólnym podło
ż
u lub pomi
ę
dzy
warstwami poł
ą
cze
ń
elektrycznych
• warstwa maskuj
ą
ca w procesach domieszkowania lub implantacji
• warstwa buforowa zmniejszaj
ą
ca napr
ęż
enia przy nakładaniu materiałów o
własno
ś
ciach innych ni
ż
krzem (np. azotek krzemu)
• pasywacja gotowych struktur
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
8
Tlenek krzemu – metody wytwarzania
Tlenek krzemu – metody wytwarzania
Tlenek krzemu mo
ż
e by
ć
otrzymywany metodami:
- utleniania termicznego w temperaturach 700-1200
o
C – tlenki najwy
ż
szej
jako
ś
ci, podczas wytwarzania niezb
ę
dny jest dost
ę
p do powierzchni krzemu
- osadzania pró
ż
niowego z fazy lotnej (CVD) – tlenki gorszej jako
ś
ci
(porowate), niska precyzja kontroli grubo
ś
ci, mog
ą
by
ć
wykonywane na
dowolnych powierzchniach
- rozwirowania emulsji organicznej zawieraj
ą
cej SiO
2
– tlenki najni
ż
szej
jako
ś
ci, niskie koszty
h
tt
p
:/
/w
w
w
.t
f.
u
n
i-
k
ie
l.
d
e
/m
a
tw
is
/a
m
a
t/
e
lm
a
t_
e
n
/i
n
d
e
x.
h
tm
l
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
9
Termiczne utlenianie krzemu
Termiczne utlenianie krzemu
Proces „suchy”- płytka wystawiona jest na działanie czystego tlenu
- uzyskuje si
ę
wysokiej jako
ś
ci tlenek u
ż
ywany m.in. jako warstwa izolacyjna pod
bramk
ą
tranzystora MOS
Si + O
2
=> SiO
2
Proces „mokry” – prowadzony w atmosferze pary wodnej powstałej ze
spalania wysokiej czysto
ś
ci wodoru i tlenu
- tlenek otrzymany t
ą
metod
ą
ma gorsze wła
ś
ciwo
ś
ci (mo
ż
e by
ć
u
ż
ywany np. do
maskowania), natomiast znacznie wi
ę
ksza jest szybko
ść
jego wzrostu
2Si + H
2
O => SiO
2
+ H
2
Si
Si
d
ox
0,56 d
ox
0,44 d
ox
SiO
2
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
10
Utlenienie krzemu
Utlenienie krzemu
Utlenianie „suche”:
• mała szybko
ść
wzrostu tlenku
• bardzo dobre wła
ś
ciwo
ś
ci elektryczne
Utlenianie „mokre”:
• du
ż
a szybko
ść
wzrostu tlenku
• du
ż
a liczba defektów strukturalnych
h
tt
p
:/
/w
w
w
.t
f.
u
n
i-
k
ie
l.
d
e
/m
a
tw
is
/a
m
a
t/
e
lm
a
t_
e
n
/i
n
d
e
x.
h
tm
l
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
11
Utlenienie krzemu
Utlenienie krzemu
Wraz z post
ę
pem procesu warstwa tlenku krzemu narasta coraz wolniej
(reagenty s
ą
oddzielane coraz grubsz
ą
warstw
ą
SiO
2
)
h
tt
p
:/
/w
w
w
.t
f.
u
n
i-
k
ie
l.
d
e
/m
a
tw
is
/a
m
a
t/
e
lm
a
t_
e
n
/i
n
d
e
x.
h
tm
l
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
12
Parametry termicznego utleniania krzemu
Parametry termicznego utleniania krzemu
Temperatura
- niska (<800
o
C) – mała szybko
ść
procesu, w strukturze pojawiaj
ą
si
ę
elementy niepo
żą
dane (grupy OH) i defekty strukturalne
- wysoka (>800
o
C) – du
ż
a szybko
ść
procesu, mała liczba defektów
strukturalnych i chemicznych tlenku
Skład atmosfery
- tlen „suchy” – tlenek o najlepszych własno
ś
ciach elektrycznych, fizycznych i
chemicznych, wolniejszy wzrost
- tlen + para wodna (tlen mokry) lub tylko para wodna – tlenek zawiera liczne
defekty strukturalne, pogorszone własno
ś
ci elektrofizyczne na granicy krzem-
tlenek
Ci
ś
nienie
- obni
ż
one – spowolnienie procesu utleniania
- podwy
ż
szone – przyspieszenie procesu utleniania
3
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
13
Lokalne utlenianie krzemu
Lokalne utlenianie krzemu
- lokalne utlenianie krzemu (Local
Oxidation of Silicon - LOCOS) – utlenianie
tylko wybranych fragmentów powierzchni
- stosowane m.in. w celu odizolowania
s
ą
siednich tranzystorów MOS
- po
żą
dana jest du
ż
a grubo
ść
warstwy
SiO
2
, dlatego stosuje si
ę
utlenianie mokre
- wymaga zabezpieczenia powierzchni
krzemu mask
ą
b
ę
d
ą
c
ą
barier
ą
dla tlenu –
stosuje si
ę
azotek krzemu (Si
3
N
4
)
- azotek krzemu skutkuje powstaniem
silnych napr
ęż
e
ń
mechanicznych w
procesie utleniania, st
ą
d musi by
ć
nakładany na buforow
ą
warstw
ę
cienkiego
tlenku krzemu
SiO
2
Si
3
N
4
Si
charakterystyczny kształt
– „ptasi dziób”
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
14
Piec do termicznego utleniania krzemu
Piec do termicznego utleniania krzemu
Cechy:
• temperatura: 700 - 1200 °C
• atmosfera O
2
, O
2
+H
2
O lub N
2
+H
2
O
• stabilizacja temperatury na poziomie 0,5
o
C przez zastosowanie segmentów
grzejnych o du
ż
ej pojemno
ś
ci cieplnej utrzymywanych stale w zadanej
temperaturze (du
ż
e koszty utrzymania – jeden piec – jedna temperatura procesu)
• konieczno
ść
utrzymywania okre
ś
lonego gradientu temperatury podczas
wsuwania/ wysuwania podło
ż
y z pieca (napr
ęż
enia termiczne) – coraz silniejsze
ograniczenia dla coraz wi
ę
kszych podło
ż
y
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
15
Piec do termicznego utleniania krzemu
Piec do termicznego utleniania krzemu
Nowoczesne piece do termicznego utleniania du
ż
ych (>200mm) podło
ż
y
krzemowych maj
ą
konstrukcj
ę
wertykaln
ą
, która umo
ż
liwia m.in. łatwiejsz
ą
automatyzacj
ę
procesu wsuwania / wysuwania oraz mo
ż
liwo
ść
obracania łódki z
podło
ż
ami w celu uzyskania lepszej jednorodno
ś
ci rozkładu temperatury.
Obecnie podło
ż
a wsuwane s
ą
do pieca w temp. 450 – 700
o
C w atmosferze gazu
neutralnego, nast
ę
pnie s
ą
podgrzewane do zadanej temperatury utleniania, po
czym zmieniany jest dopływ gazu z neutralnego na tlen (lub par
ę
wodn
ą
). Po
zako
ń
czeniu procesu dopływ tlenu jest zast
ę
powany dopływem gazu neutralnego,
po czym podło
ż
a s
ą
studzone do temp. ko
ń
cowej i wyjmowane.
Zalety
- mo
ż
liwo
ść
stosowania jednego pieca do procesów o ró
ż
nych temperaturach
- jednakowy bilans cieplny wszystkich podło
ż
y
- mo
ż
liwo
ść
przeprowadzenia dodatkowego wygrzewania powstałego układu Si-
SiO
2
w tym samym piecu, w ramach jednego procesu termicznego
7. Wytwarzanie nowych warstw.
Utlenianie termiczne krzemu
16
Piec do termicznego utleniania krzemu
Piec do termicznego utleniania krzemu
Porównanie urz
ą
dze
ń
do proceu termicznego utleniania podło
ż
y
krzemowych firmy Koyo Thermo Systems Co.:
http://www.crystec.com/kllcompe.htm
Trójsekcyjny piec horyzontalny
(podło
ż
a 3’ – 150mm)
Wertykalny piec VF-1000
(podło
ż
a 3’ – 300mm)