background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 

 

 

 
 

 

MINISTERSTWO EDUKACJI 

NARODOWEJ  

 

 

 

Eugeniusz Hofman   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Badanie i pomiary układów analogowych stosowanych 
w telekomunikacji 725[02].01.03          
 

 

 

 

 

Poradnik dla ucznia                    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Wydawca   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Instytut Technologii Eksploatacji – Państwowy Instytut Badawczy Radom 2006  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  1 

Recenzenci: 
dr inż. Grzegorz Żegliński 
mgr inż. Stanisław Górniak 
 
 
Opracowanie redakcyjne: 
mgr inż. Eugeniusz Hofman 
 
 
 
Konsultacja: 
mgr inż. Andrzej Zych 
 
 
 
Korekta: 

 
 
 

Poradnik  stanowi  obudowę  dydaktyczną  programu  jednostki  modułowej  725[02].01.03 

Badanie  i  pomiary  układów  analogowych  stosowanych  w  telekomunikacji  zawartego 
w modułowym 

programie 

nauczania 

dla 

zawodu 

monter 

sieci 

urządzeń 

telekomunikacyjnych. 

 

 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

Wydawca 

Instytut Technologii Eksploatacji – Państwowy Instytut Badawczy, Radom 2006

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  2 

SPIS  TREŚCI

  

     

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.   Wprowadzenie 

2.   Wymagania wstępne 

3.   Cele kształcenia 

4.  Materiał nauczania 

4.1. Diody półprzewodnikowe 

 4.1.1. Materiał nauczania 

 4.1.2. Pytania sprawdzające 

10 

 4.1.3. Ćwiczenia 

10 

 4.1.4. Sprawdzian postępów 

12 

4.2. Prostowniki 

13 

 4.2.1. Materiał nauczania 

13 

 4.2.2. Pytania sprawdzające 

14 

 4.2.3. Ćwiczenia 

15 

 4.2.4. Sprawdzian postępów 

17 

4.3. Tranzystor bipolarny 

18 

 4.3.1. Materiał nauczania 

18 

 4.3.2. Pytania sprawdzające 

20 

 4.3.3. Ćwiczenia 

21 

 4.3.4. Sprawdzian postępów 

22 

4.4. Tranzystor polowy 

23 

 4.4.1. Materiał nauczania 

23 

 4.4.2. Pytania sprawdzające 

24 

 4.4.3. Ćwiczenia 

25 

 4.4.4. Sprawdzian postępów 

26 

4.5. Elementy optoelektroniczne 

27 

 4.5.1. Materiał nauczania 

27 

 4.5.2. Pytania sprawdzające 

30 

 4.5.3. Ćwiczenia 

31 

 4.5.4. Sprawdzian postępów 

33 

4.6. Tyrystor 

34 

 4.6.1. Materiał nauczania 

34 

 4.6.2. Pytania sprawdzające 

35 

 4.6.3. Ćwiczenia 

36 

 4.6.4. Sprawdzian postępów 

36 

4.7. Wzmacniacze  

37 

 4.7.1. Materiał nauczania 

37 

 4.7.2. Pytania sprawdzające 

42 

 4.7.3. Ćwiczenia 

42 

 4.7.4. Sprawdzian postępów 

43 

4.8. Wzmacniacze operacyjne 

44 

 4.8.1. Materiał nauczania 

44 

 4.8.2. Pytania sprawdzające 

45 

 4.8.3. Ćwiczenia 

46 

 4.8.4. Sprawdzian postępów 

48 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  3 

 

4.9. Filtry 

49 

 4.9.1. Materiał nauczania 

49 

 4.9.2. Pytania sprawdzające 

51 

 4.9.3. Ćwiczenia 

51 

 4.9.4. Sprawdzian postępów 

53 

4.10. Wzmacniacze selektywne 

54 

 4.10.1. Materiał nauczania 

54 

 4.10.2. Pytania sprawdzające 

55 

 4.10.3. Ćwiczenia 

55 

 4.10.4. Sprawdzian postępów 

56 

4.11. Generatory napięć sinusoidalnych 

57 

 4.11.1. Materiał nauczania 

57 

 4.11.2. Pytania sprawdzające 

59 

 4.11.3. Ćwiczenia 

59 

 4.11.4. Sprawdzian postępów 

60 

4.12. Stabilizatory 

61 

 4.12.1. Materiał nauczania 

61 

 4.12.2. Pytania sprawdzające 

62 

 4.12.3. Ćwiczenia 

63 

 4.12.4. Sprawdzian postępów 

65 

5.   Sprawdzian osiągnięć 

66 

6.   Literatura 

71 

 
 
 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  4 

1. WPROWADZENIE

 

  

 

 

 

 

 

 
 
Poradnik  będzie  Ci  pomocny  w  przyswajaniu  wiedzy  o  podstawowych  materiałach 

i urządzeniach telekomunikacyjnych, ich właściwościach oraz zastosowaniu w magistralnych, 
stacyjnych i podstawowych instalacjach abonenckich telekomunikacyjnych. 
 

W poradniku zamieszczono opisy:  

 

elementów półprzewodnikowych: diody, tranzystory, elementy optoelektroniczne, 

 

urządzeń elektronicznych: wzmacniacze, stabilizatory, filtry aktywne, generatory, 

 

bloki urządzeń analogowych stosowanych w telekomunikacji. 
Reforma  gospodarcza  i  szybki  rozwój  nowoczesnych  technologii  spowodowały  zmiany 

dotyczące  zapotrzebowania  na  określone  kwalifikacje  zawodowe.  Rozwój  technologii 
informatycznych, telekomunikacji  i  między  innymi Internetu przyczyniły  się do zwiększenia 
zapotrzebowania na usługi telekomunikacyjne.  

Celem  kształcenia  w  zawodzie  monter  sieci  i  urządzeń  telekomunikacyjnych  jest 

przygotowanie  aktywnego,  mobilnego  i  skutecznie  poruszającego  się  na  rynku  pracy 
absolwenta.  Będzie  to  możliwe,  jeżeli  uczniowie  będą.  nabywali  zarówno  wiedzę  jak 
i umiejętności  zawodowe  na  takim  poziomie,  który  pozwoli  im  na  ciągłe  doskonalenie, 
poszerzanie  kwalifikacji,  ocenę  własnych  predyspozycji  i  możliwości,  podejmowanie 
racjonalnych  decyzji,  dotyczących  własnego  rozwoju  zawodowego  oraz  planowania  kariery 
zawodowej.     

Modułowy program nauczania dla zawodu umożliwia: 

 

nabywanie oraz potwierdzanie kwalifikacji zawodowych zarówno w systemie szkolnym, 
jak i pozaszkolnym, 

 

dostosowywanie procesu kształcenia do indywidualnych potrzeb uczniów, 

 

adaptację treści kształcenia do zmieniających się potrzeb rynku pracy, 

 

przeniesienie punktu ciężkości z procesu nauczania na proces uczenia. 
Cele  kształcenia  i  materiał  nauczania są  ściśle powiązane  z  zadaniami  zawodowymi,  co 

umożliwia: 

 

przygotowanie ucznia do wykonywania podstawowych zadań zawodowych, 

 

powiązanie teorii z praktyką, 

 

odejście od materializmu dydaktycznego, 

 

integrację różnych dziedzin wiedzy. 

 

  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  5 

 
 
 

 

 

 

 

Schemat układu jednostek modułowych 

 

 

725[02].O1.02 

Badanie i pomiary  

obwodów prądu przemiennego 

725[02].O1 

Pomiary parametrów elementów 

i układów elektronicznych 

725[02].O1.01 

Badania i pomiary 

obwodów prądu stałego 

725[02].O1.03 

Badanie i pomiary układów 

analogowych 

stosowanych w telekomunikacji 

725[02].O1.04 

Badanie i pomiary układów cyfrowych 

stosowanych w telekomunikacji 

 

725[02].O1.05 

Analiza działania podstawowych 

maszyn i urządzeń elektrycznych 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  6 

2. WYMAGANIA WSTĘPNE

  

 

 

 

 

 
Przystępując do realizacji programu jednostki modułowej, powinieneś umieć: 

 

korzystać z różnych źródeł informacji, 

 

klasyfikować materiały ze względu na własności elektryczne, 

 

rozróżniać podstawowe wielkości elektryczne, 

 

stosować podstawowe jednostki wielkości elektrycznych w układzie SI, 

 

interpretować przedrostki przed nazwami jednostek, 

 

stosować podstawowe prawa elektrotechniki,  

 

rozróżniać typy oporników, 

 

rozpoznawać na podstawie wyglądu oraz symbolu różne typy oporników, 

 

przewidywać wpływ zmiany parametrów konstrukcyjnych opornika i temperatury na jego 
rezystancję, 

 

obliczać  rezystancję  zastępczą  oporników  połączonych  równolegle,  szeregowo 
i w sposób mieszany, 

 

rozpoznawać symbole źródeł napięcia i prądu stałego, 

 

obliczać parametry źródeł napięcia połączonych szeregowo i równolegle, 

 

obliczać i szacować podstawowe wielkości elektryczne w układach prądu stałego, 

 

oceniać wpływ zmian rezystancji na napięcie, prąd, moc,  

 

obsługiwać woltomierz, amperomierz prądu stałego oraz omomierz,  

 

obsługiwać miernik uniwersalny, 

 

dobierać metodę pomiaru, 

 

dobierać przyrządy pomiarowe do pomiarów w układach prądu stałego, 

 

rysować proste układy pomiarowe 

 

planować pomiary w obwodach prądu stałego, 

 

organizować stanowisko pomiarowe, 

 

łączyć układy prądu stałego zgodnie ze schematem, 

 

realizować pomiary podstawowych wielkości elektrycznych w układach prądu stałego, 

 

analizować  i  interpretować  wyniki  pomiarów  w  układach  prądu  stałego  oraz  wyciągać 
wnioski praktyczne, 

 

przedstawiać wyniki w formie tabeli i wykresu, 

 

oceniać dokładność pomiarów, 

 

demonstrować efekty wykonywanych pomiarów, 

 

przewidywać zagrożenia dla życia i zdrowia w czasie realizacji ćwiczeń, 

 

udzielać pierwszej pomocy w przypadkach porażenia prądem elektrycznym, 

 

stosować procedurę postępowania w sytuacji zagrożenia. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  7 

3. CELE KSZTAŁCENIA   

 

W wyniku procesu kształcenia, uczeń powinien umieć:

 

 

rozpoznać  na  podstawie  symbolu  graficznego  i  wyglądu  podstawowe  elementy 
elektroniczne, 

 

spolaryzować elementy półprzewodnikowe celem uzyskania określonych stanów pracy, 

 

sprawdzić jakość elementów półprzewodnikowych, 

 

rozróżnić końcówki elementów elektronicznych, 

 

scharakteryzować podstawowe elementy i układy elektroniczne, 

 

zdefiniować podstawowe parametry elementów i układów elektronicznych,  

 

wskazać podstawowe zastosowania elementów i układów elektronicznych, 

 

zinterpretować podstawowe zjawiska z zakresu elektroniki,  

 

zanalizować  działanie  prostych  układów  analogowych  na  podstawie  schematów 
ideowych, 

 

rozpoznać  na  schematach  ideowych  bloki  funkcjonalne:  zasilacze,  generatory,  układy 
wzmacniające,  

 

zanalizować działanie układów analogowych na podstawie schematów blokowych, 

 

dobrać  przyrządy  pomiarowe  do  pomiaru  parametrów  elementów  elektronicznych 
w układach analogowych,  

 

wykonać  pomiary  podstawowych  parametrów  elementów  i  układów  w układach 
analogowych  

 

wykonać regulację w układzie elektronicznym, 

 

obliczyć i szacować podstawowe wielkości elektryczne w układach elektronicznych, 

 

zanalizować i interpretować wyniki pomiarów w analogowych układach elektronicznych 
oraz wyciągać wnioski praktyczne, 

 

skorzystać z katalogów układów elektronicznych, 

 

zlokalizować proste usterki w układach analogowych,  

 

przewidzieć zagrożenia dla życia i zdrowia w czasie realizacji ćwiczeń, 

 

zastosować przepisy bezpieczeństwa i higieny pracy. 

 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  8 

4. MATERIAŁ NAUCZANIA

  

 

 

 

 

 

4.1.  Diody półprzewodnikowe                   

 
4.1.1. Materiał nauczania 

   

 
Diody prostownicze 

Diody  są  to  elementy  o  nieliniowej  i  niesymetrycznej  charakterystyce.  U  podstaw 

działania diod  leżą  zjawiska,  jakie  zachodzą w  złączu pn.  Zjawiska  te  wyjaśnia  fizyka ciała 
stałego

 

 

Rys. 1. Symbol diody. 

 

Parametry charakteryzujące diody prostownicze: 

 

napięcie przewodzenia – przy określonym prądzie przewodzenia, 

 

prąd wsteczny – I

R 

, przy określonym napięciu w kierunku zaporowym, 

 

U

R

  –  wsteczne  napięcie  pracy  równe  0,8  wartości  napięcia,  przy  którym  następuje 

przebicie.  
Dopuszczalne (graniczne) parametry: U

F

 

 

maksymalny prąd przewodzenia – I

0

 

szczytowe napięcie wsteczne – U

RWM

 

rezystancja diody idealnej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia jest równa 0, 

 

rezystancja diody idealnej spolaryzowanej w kierunku zaporowym nieskończenie duża. 
Diody  posiadają  właściwość  jednokierunkowego  przewodzenia  prądu.  Stosowane  są 

w zasilaczach  jako  prostowniki  prądu  zmiennego.  Diody  mają  dwie  końcówki:  anodę 
i katodę,  która  oznaczona  jest  na  obudowie  kreską  lub  kropką.  Przepływ  prądu  przez  diodę 
(od  anody  do  katody)  następuje  wtedy,  gdy  napięcie  na  anodzie  jest  wyższe  od  napięcia  na 
katodzie  o  pewną  wartość  zwaną  napięciem  przewodzenia.  Napięcie  to zależy od  materiału, 
z którego wykonana jest dioda; dla krzemu wynosi ono ok. 0,7V, dla germanu 0,3V.  

 

Charakterystyka diody

+I (mA)

Kierunek 
przewodzenia

-I (µA)

Obszar 
przebicia

+U

Kierunek 
zaporowy

I

U

0

 

  

Rys. 2.

 

Charakterystyka diody półprzewodnikowe [6]. 

 

Diody stabilizacyjne (BZAP30, BZP650) – Zenera. 

Są  to  diody  przeznaczone  do  stabilizacji  lub  ograniczania  napięć.  Diody  stabilizacyjne 

pracują  przy  polaryzacji  w  kierunku  zaporowym,  charakteryzują  się  niewielkimi  zmianami 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

  9 

napięcia  pod  wpływem  dużych  zmian  prądu.  W  kierunku  przewodzenia  zachowują  się  jak 
normalne  diody,  natomiast  przy  polaryzacji  zaporowej  mogą  przewodzić  prąd  po 
przekroczeniu  określonego  napięcia  na  złączu,  zwanego  napięciem  przebicia.  Przy 
niewielkich  napięciach  (do  ok.  6V  podstawową  rolę  odgrywa  zjawisko  Zenera,  powyżej  – 
przebicie lawinowe. Parametry charakteryzujące diody stabilizacyjne: 

 

napięcie stabilizacji – U

Z,

 

 

prąd stabilizacji – I

Ż,

 

 

napięcie przewodzenia – U

F

, przy określonym prądzie przewodzenia, 

 

prąd wsteczny diody – I

R

, przy określonym napięciu wstecznym, 

 

rezystancja  dynamiczna  –  r

Z

,  której  wartość  zmienia  się  w  zależności  od  napięcia 

stabilizacji. 

Rezystancja dynamiczna zależy od wartości  napięcia stabilizacji  i prądu  stabilizacji.  Wynosi 
ona  od  kilku  do  kilkudziesięciu  omów.  Minimalną  rezystancję  dynamiczną  mają  diody 
o napięciu stabilizacji U

Z

 = 6

÷

8 V. 

Diody  Zenera  pracują  przy  polaryzacji  w  kierunku  zaporowym.  Jeżeli  napięcie  wsteczne 
osiągnie  wartość  napięcia  przebicia,  to  już  mały  wzrost  napięcia  powoduje  znaczny  wzrost 
prądu. Obszarem roboczym diod Zenera jest obszar przebicia. Diody Zenera produkowane są 
o różnych napięciach Zenera od 2,7 V do 200 V. 
Każda dioda Zenera musi być połączona z szeregowym rezystorem ograniczającym prąd. 

Właściwości  diody  dla  prądu  stałego  charakteryzuje  rezystancja  statyczna  R 

z

,  a  dla 

sygnałów zmiennych rezystancja dynamiczna r

Z

 .  

 

U

F

I

F

U

I

1

U

R

I

R

 

 

Rys. 3.

 

Charakterystyka diody Zenera [6]

 

Diody pojemnościowe (warikapy B104, BB104, waraktory BXDP74B) 

Diody pojemnościowe to diody półprzewodnikowe w których wykorzystuje się zjawisko 

zmian pojemności warstwy zaporowej złącza p-n pod wpływem doprowadzonego z zewnątrz 
napięcia.  Diodę  polaryzuje  się  w  kierunku  wstecznym. Pojemność  diody  zależy  od  grubości 
warstwy  zaporowej.  Gdy  wartość  napięcia  polaryzującego  diodę  w  kierunku  wstecznym 
wzrasta wówczas pojemność diody maleje. 

Zakres  zmian  pojemności  diody  określa  się  z  jednej  strony  jako  pojemność  minimalną 

wyznaczoną  przy  napięciu  bliskim  napięciu  przebicia,  z  drugiej  strony  pojemność 
maksymalną wyznaczoną przy napięciu bliskim zero. Dla typowych diod pojemność zmienia 
się od kilkunastu do ponad stu pF. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 10 

Warikapy  stosuje  się  do  przestrajania  obwodów  rezonansowych,  natomiast  waraktory 
w układach parametrycznych tj. takich, w których zmienia się w czasie jeden parametr.  

 

Rys. 4

 

Charakterystyka diody pojemnościowej [6]. 

 

4.1.2. Pytania sprawdzające    

 

 

 

 

 

 

 
Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jak spolaryzować diodę w kierunku zaporowym? 
2.  Jakie własności posiada dioda spolaryzowana w kierunku przewodzenia? 
3.  Jakie są parametry diody przy różnej polaryzacji? 
4.  Jakie znasz zastosowanie diod różnych typów? 
5.  Jakiego  typu  diody  pracują  przy  polaryzacji  zaporowej,  a  jakiego typu  przy  polaryzacji 

w kierunku przewodzenia? 

 

4.1.3. Ćwiczenia    

 

 

 
Ćwiczenie 1   

 

Przeprowadź  badanie  diod  półprzewodnikowych  i  diody  Zenera  w  układzie 

przedstawionym na rys. 5, 6 i 7 oraz  zapisz wyniki pomiarów w tabeli 1, 2, 3. 

R 1

A

+

D1 1N4006

V

+

ZASILACZ
      DC

 

Rys. 5.

  

Układ do zdejmowania charakterystyki diod w kierunku przewodzenia I = f ( U) 

Tabela 1. Charakterystyka diody krzemowej w kierunku przewodzenia.

 

I

F

 

[mA] 

0,1 

0,5 

1,0 

5,0 

10,0 

20.0 

40,0 

U

F

 

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tabela

 

2. Charakterystyka diody krzemowej w kierunku zaporowym.

 

U

R

 

[V] 

-0,5 

-1,0 

-2,0 

-6,0 

-10,0  -15,0  -20,0 

I

R

 

[µA]   

 

 

 

 

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 11 

A

+

uA

V

+

ZASILACZ

R

 

Rys. 6.

 

Układ do zdejmowania charakterystyki diod w kierunku zaporowym I = f ( U). 

R 1

A

+

V

+

Z1 1N4000

ZASILACZ
      DC

Iz

Uz

 

Rys. 7.

 

Układ do zdejmowania charakterystyki diody Zenera w kierunku zaporowym I = f ( U).

 

Tabela

 

3. Charakterystyka diody Zenera w kierunku zaporowym.

 

I

Z

 

[mA] 

0,1 

0,5 

1,0 

3,0 

5,0 

10,0 

20,0 

U

Z

 

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  dokonać oględzin diod określając ich typ, oznaczenie, wyprowadzenia, 
2)  zdjąć  charakterystyki  diody  prostowniczej  i  diody  Zenera  w  kierunku  przewodzenia 

i zaporowym wpisując wyniki do odpowiedniej tabeli,  

3)  zgromadzić przyrządy pomiarowe oraz aparaturę wykazaną na schemacie,  
4)  dobrać elementy zabezpieczające, 
5)  dobrać parametry badanych elementów z katalogu, 
6)  połączyć układ pomiarowy według właściwego schematu,  
7)  dobrać zakresy pomiarowe przyrządów, 
8)  po wykonaniu połączenia pokazać nauczycielowi do sprawdzenia, 
9)  wykonać pomiary parametrów wykazanych w odpowiednich tabelach, 
10)  wykreślić na podstawie otrzymanych wyników charakterystyki badanych elementów.  

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, zeszyt, przybory do pisania, kalkulator, 

 

elementy badane, 

 

zasilacz stabilizowany, 

 

przyrządy pomiarowe: mierniki uniwersalne, 

 

przewody laboratoryjne. 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 12 

4.1.4. Sprawdzian postępów  
 

   

 

 

 

 

Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  posługiwać się katalogiem elementów półprzewodnikowych? 

 

 

2)  określić zakres zmian napięcia i prądu w obwodzie badanym? 

 

 

3)  określić zakresy przyrządów pomiarowych? 

 

 

4)  wyznaczyć parametry graniczne diod? 

 

 

5)  obliczyć wartość rezystora R zabezpieczającego układ? 

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 13 

4.2. Prostowniki 
 

4.2.1. Materiał nauczania 

 

 

 

 

 

 

Prostownikiem  nazywamy  kompletne  urządzenie  służące  do  przekształcania  napięcia 

przemiennego  w  napięcie  prądu  stałego.  Składa  się  on  najczęściej  z  elementów 
półprzewodnikowych, transformatora i kondensatorów wygładzających.  
a) 

 

 

 

Rys. 8.

 

Prostownik jednopołówkowy: a) schemat elektryczny,  b) przebieg napięcia wejściowego, 

c) przebieg napięcia na obciążeniu, d) przebieg napięcia na diodzie [5]. 

 
 

W  diodzie  płynie  prąd  tylko  wtedy,  gdy  polaryzacja  napięcia  wejściowego  zapewnia 

spolaryzowanie  diody  w  kierunku  przewodzenia  i  gdy  to  napięcie  jest  większe  od  napięcia 
progowego.  Jeżeli  dioda  jest  spolaryzowana  w  kierunku  zaporowym,  płynie  tylko  bardzo 
mały  prąd  wsteczny.  Jeżeli  w  układzie  prostownika  zostanie  zastosowana  jedna  dioda,  to  w 
każdym okresie doprowadzonego napięcia przemiennego pojawia się tylko  jeden puls prądu 
przewodzenia. Jeżeli na wyjściu układu zostanie załączony woltomierz, to pokaże on wartość 
średnią napięcia pulsujące. 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 14 

 

b)

 

 

 

Rys. 9.

 

Prostownik jednopołówkowy z filtrem pojemnościowym: a) schemat,  

b) przebiegi czasowe napięcia i prądu [5]. 

 

Jeżeli  na  wyjściu  prostownika  zostanie  załączony  kondensator,  to  będzie  on  impulsowo 

ładowany  przez  prostownik  i  rozładowywany  przez  odbiornik.  Kondensator  załączony  na 
wyjściu prostownika zwiększa wartość i wygładza tętnienia napięcia wyprostowanego. Miarą 
zbliżenia przebiegu wyjściowego prostownika do wartości stałej jest współczynnik tętnień k

Jest on określany jako iloraz: 

 

 
W  celu  zmniejszenia  składowej  zmiennej  w  większości  układów  rzeczywistych  stosuje  się 
filtrowanie napięcia wyjściowego poprzez dołączenie kondensatora równolegle do obciążenia. 
Kondensator  ładuje  się  przez  diodę  do  napięcia  równego  amplitudzie  U

m 

napięcia 

przemiennego,  po  czym  rozładowuje  się  przez  obciążenie,  aż  do  chwili,  gdy  dioda  zacznie 
znowu przewodzić, tj. gdy  napięcie  na  jej anodzie osiągnie wartość większą niż na katodzie, 
czyli także na kondensatorze. 

 

Rys. 10.

 

Prostownik mostkowy (dwupołówkowy) a) schemat elektryczny prostownika, b) przebiegi czasowe 

napięcia i prądu przed prostownikiem, c) przebiegi czasowe napięcia i prądu za prostownikiem [7]. 

 

 
4.2.2. Pytania sprawdzające 

 

Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Co nazywamy prostownikiem?

 

2.  Jakie są charakterystyki na wejściu i wyjściu prostownika jednopołówkowego? 
3.  Co to jest współczynnik tętnień?  
4.  Jakie znasz podstawowe układy prostownicze? 
5.  Jakie znasz zastosowanie układów prostowniczych jedno- i dwupołówkowych? 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 15 

4.2.3. Ćwiczenia    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Ćwiczenie 1   

 

Wykonaj badanie obwodu prostownika jednopołówkowego.   

16 V AC

230 V

+

-

C 1

V

+

V1

A

+

A

V

+

V2

R 1

Ch1

+

-

Ch2

+

-

OSC1

D1

 

Rys. 11. Schemat układu pomiarowego dla prostownika jednopołówkowego.

 

 
 

Tabela 6. Tabela wyników pomiarów prostownika jednopołówkowego. 

Pozycja 

potencjometru 

I

0

 

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

U

0 

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

U

t 

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

k

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia  
 
Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  w  układzie  pomiarowym  prostownika  jednopołówkowego  (rys.  11)  zmieniać  prąd 

obciążenia I

ustawiając potencjometr P,  

2)  na  przyrządach  pomiarowych  odczytywać  odpowiednie  wartości  a  wyniki  wpisywać 

w tabeli, 

3)  pomiary wykonać dla wartości kondensatora: C = 0

µ

F;  C = 47 

µ

F;  C = 100

µ

F;  C = 470 

µ

F,  

4)  podczas wszystkich pomiarów obserwować przebiegi oscyloskopowe, 
5)  na  polecenie  prowadzącego  należy  przerysować  wykresy  z  oscyloskopu  zachowując 

wszystkie parametry ustawione na oscyloskopie. 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

elementy badane, 

 

oscyloskop, 

 

przyrządy pomiarowe. 

 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 16 

Ćwiczenie 2   

 

Wykonaj badanie obwodu prostownika dwupołówkowego (mostek Graetz’a). 

N1

N2

230/16

A

+

Ch1

+

-

Ch2

+

-

OSC1

V

+

D1

D2

D3

D4

C

P

 

Rys. 12.

 

Schemat układu pomiarowego dla prostownika dwupołówkowego. 

 

 

Tabela 7. Tabela wyników pomiarów prostownika dwupołówkowego.

 

Pozycja 

potencjometru 

I

0

 

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

U

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

U

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

k

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie powinieneś: 

1)  w  układzie  pomiarowym  prostownika  dwupołówkowego  (rys.  12)  zmieniać  prąd 

obciążenia I

ustawiając potencjometr P, 

2)  na przyrządach pomiarowych odczytywać odpowiednie wartości,  
3)  wyniki wpisywać w tabeli, 
4)  pomiary  wykonać  dla  wartości  kondensatora:  C  =  0

µ

F;  C  =  47 

µ

F;  C  =  100 

µ

F; 

C = 470

µ

F, 

5)  wyniki pomiarów zapisać w tabeli 7, 
6)  obliczenia k

t

 wykonać wg wzoru:  

0

U

U

k

t

t

=

 

z  otrzymanych  wyników  wykreślić  rodziny  charakterystyk  U

0

  =  f(I

0

),  k

t

  =  f(I

0

)  dla 

różnych  wartości  kondensatora  C,  oddzielnie  dla  prostownika  jednopołówkowego  i  dla 
prostownika  dwupołówkowego.  Podczas  wszystkich  pomiarów  obserwować  przebiegi 
oscyloskopowe.  Na  polecenie  prowadzącego  należy  przerysować  wykresy  z  oscyloskopu 
zachowując wszystkie parametry ustawione na oscyloskopie. 
 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

elementy badane, 

 

przyrządy pomiarowe: mierniki uniwersalne, oscyloskop, 

 

oscyloskop, 

 

przewody laboratoryjne. 

 

 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 17 

4.2.4. Sprawdzian postępów    

 

 

 

 

 

 
Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  wymieniać istotne dane katalogowe prostownika? 

 

 

2)  określać zakresy pomiarowe przyrządów pomiarowych? 

 

 

3)  szacować wpływ wartości pojemności? 

 

 

4)  obliczać współczynnik tętnień? 

 

 

5)  porównać własności prostownika jedno- i dwupołówkowego? 

 

 

6)  wyznaczyć charakterystyki prostowników? 

 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 18 

4.3. Tranzystor bipolarny 

 
4.3.1. Materiał nauczania 
   

 

 

 

 

 

Tranzystor  –  trójkońcówkowy  półprzewodnikowy  element  elektroniczny,  posiadający 

zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego.  

Tranzystor  bipolarny  –  tranzystor,  który  zbudowany  jest  z  trzech  warstw 

półprzewodników  o  różnym  rodzaju  przewodnictwa,  tworzących  dwa  złącza  pn;  sposób 
polaryzacji złącza determinuje stan pracy tranzystora. Jeżeli złącza BC i BE są spolaryzowane 
zaporowo,  to  tranzystor  jest  zatkany.  Tranzystor  przewodzi,  jeżeli  złącze  BE  jest 
spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze BC zaporowo. 

 

 

Rys. 13.

 

Rodzaje tranzystorów [7]. 

 

Tranzystor posiada trzy końcówki przyłączone do warstw półprzewodnika, nazywane: 

 

emiter (ozn. E), 

 

baza (ozn. B), 

 

kolektor (ozn. C). 

 

Ze  względu  na  kolejność  warstw  półprzewodnika  rozróżnia  się  dwa  typy  tranzystorów: 

pnp oraz npn.  
 

Tranzystory 

są 

elementami 

półprzewodnikowymi 

umożliwiającymi 

sterowanie 

przepływem  dużego  prądu,  za  pomocą  prądu  znacznie  mniejszego.  Wykorzystuje  się  je  do 
wzmacniania małych sygnałów oraz przetwarzania informacji w postaci cyfrowej. 

 

 

Tranzystory,  tak  zresztą  jak  inne  elementy  elektroniczne,  mają  charakterystyczne  dla 

siebie parametry graniczne, tzn. takie których przekroczenie grozi uszkodzeniem tranzystora. 
Są to:  

U

EBOmax

 – dopuszczalne napięcie wsteczne baza-emiter,  

U

CBOmax

 – dopuszczalne napięcie wsteczne kolektor-baza,  

U

CEOmax

 – maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter,  

c max

 – maksymalny prąd kolektora,  

I

max

 – maksymalny prąd bazy,  

P

st max

 – maksymalna dopuszczalna moc strat.  

Parametry takie  jak I

cmax

, U

CEOmax

, P

strmax

 wyznaczają dopuszczalny obszar pracy, który 

nosi również  nazwę "dozwolonego obszaru pracy  aktywnej" w skrócie SOA (Safe Operating 
Area).  
Podstawowe parametry tranzystora: 
1)  moc  admisyjna  P

a

  –  jest  to  maksymalna  moc,  która  może  wydzielić  się  w  tranzystorze 

P

a

 = U

CE

 * I

C,

 

2)  maksymalny  prąd  kolektora  I

Cmax

  –  jest  to  wartość  prądu,  powyżej  której  maleje 

współczynnik wzmocnienia prądowego, 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 19 

3)  prąd  zerowy  kolektora  I 

CE0

  dla  układu  OE  płynie  przez  tranzystor  przy  polaryzacji 

zaporowej złącza BC, 

4)  maksymalne napięcie kolektora U 

CEmax

 – przekroczenie powoduje przebicie złącza 

5)  współczynnik wzmocnienia prądowego β = I

C

/I

B,

 

  
 

Na  poniższym  wykresie  charakterystyki  wyjściowej  tranzystora  pokazano  dozwolony 

obszar pracy:  

 

Rys. 14.

 

Dozwolony obszar pracy tranzystora [7].  

 

 

Tranzystor  pracujący  w  układach  analogowych  musi  być  w  stanie  aktywnym, 

a w układach cyfrowych – w stanach zatkania lub nasycenia.  
 
Podstawowe charakterystyki 
 

Tranzystor  pracujący  w  dowolnym  układzie  pracy  charakteryzują  prądy  przez  niego 

płynące  i  napięcia  na  jego  zaciskach.  W  związku  z  tym  można  określić  cztery  rodziny 
statycznych  charakterystyk  prądowo-napięciowych,  które  przedstawione  zostały  na 
poniższych rysunkach:  

 

 

Rys. 15

 

Rodzina charakterystyk tranzystora [7].

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 20 

Charakterystyka  wyjściowa  tranzystora,  przedstawia  zależność  prądu  kolektora  I

C

  od 

napięcia  kolektor-emiter  U

CE

  przy  doprowadzonym  napięciu  wejściowym  baza-emiter  U

BE

 

i stałym prądzie bazy I

B

. Z charakterystyki tej można stwierdzić iż powyżej pewnego napięcia 

prąd kolektora prawie nie zależy od napięcia U

CE

, oraz że do wywołania dużej zmiany prądu 

kolektora I

C

 wystarczy mała zmiana napięcia baza-emiter U

BE 

Charakterystyka  przejściowa  przedstawia  prąd  kolektora  I

C

  jako  funkcję  napięcia 

baza-emiter  U

BE

,  oraz  I

B

  =  const.  Charakterystyka  ta  ma  charakter  wykładniczy.  

 

Charakterystyka wejściowa opisuje zależność prądu bazy I

B

 od napięcia baza-emiter U

BE

przy  stałym  napięciu  kolektor-emiter  U

CE

.  Charakterystyka  ta,  podobnie  jak  i  następna  jest 

wykorzystywana rzadziej od dwóch wcześniejszych.  

Charakterystyka zwrotna przedstawia zależność prądu kolektora I

C

 od prądu bazy I

B

, przy 

U

CE

=const Widać na niej, że prąd kolektora jest w pewnym stopniu proporcjonalny do prądu 

bazy.  

 

 

Rys. 16. Rodzina charakterystyk [5]. 

 
4.3.2. Pytania sprawdzające 

 
Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jak są oznaczone końcówki tranzystora bipolarnego? 
2.  Jakie znasz rodzaje tranzystorów ? 
3.  Jakie są podstawowe parametry tranzystora? 
4.  Jaką rolę spełnia tranzystor w układzie elektronicznym?  
5.  Jakie są parametry graniczne tranzystora? 
6.  Jak powinien być spolaryzowany tranzystor? 
7.  Jaki jest przebieg charakterystyk tranzystora?

 

 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 21 

4.3.3. Ćwiczenia    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Ćwiczenie 1 

Wykonaj badanie tranzystorów bipolarnych i wyznacz ich podstawowe charakterystyki.  

 

A

+

T1 BDX35

V

+

V1

V

+

V2

A

+

ZASILACZ
     DC 1

ZASILACZ
     DC 2

Ib

Ube

Ic

Uce

C

B

E

 

Rys. 17.

 

Układ pomiarowy do badania charakterystyki wejściowej tranzystora. 

 

Tabela 9.

  

Pomiar charakterystyki wejściowej I

B 

(U

BE 

),  gdy U

CE

 = …V=const. 

I

mA 

10 

50 

100 

200 

500  1000 

U

BE 

 

 

 

 

 

 

 

 

T1 !NPN

A

+

Ib

V

+

Uce

A

+

Ic

ZASILACZ
     DC1

ZASILACZ
     DC 2

B

C

E

 

Rys. 18.

 

Układ pomiarowy do badania charakterystyki wyjściowej i przejściowej tranzystora.

 

 

Tabela 10.

 

Pomiar charakterystyki wyjściowej I

(U

CE 

), gdy I

B

 =…V = const. 

I

[mA] 

U

CE

 [V] 

0,1 

0,2 

0,3 

0,5 

1,0 

10,0 

I

C1

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

10 

I

C2

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tabela 11.

 

Pomiar charakterystyki przejściowej I

(I

B

), gdy U

CE

 =…V = const. 

U

CE

 [V] 

I

[mA] 

10 

16 

I

C1

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

15 

I

C2

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie powinieneś: 

1)  zaznajomić  się  z  danymi  katalogowymi  badanego  tranzystora,  dane  zanotować 

w zeszycie, 

2)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela, 
3)  w  układzie  jak  na  rys.17  wyznaczyć  charakterystykę  wejściową  I

=  f  (U

BE   

gdy  U

CE

  = 

const.  Na  zasilaczu  DC  2  ustawić  stałą  wartość  napięcia  U

CE, 

zmieniając  napięcie  na 

zasilaczu DC 1 odczytać wartość prądu I

B

 oraz napięcia U

BE

 – zakres pomiarowy V

1

 = 2 

V, V

2

 = 20 V, A

1

 = 2 A, wyniki pomiarów wpisać do tabeli 9, 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 22 

4)  w  układzie  jak  na  rys.18  wyznaczyć  charakterystykę  wyjściową  I

=  f  (U

CE   

gdy  I

B

  = 

const., na zasilaczu DC 1 ustawić stałą wartość prądu I

B, 

zmieniając napięcie na zasilaczu 

DC  2 odczytać  wartość  prądu  U

CE

  oraz prąd I

C, 

wyniki  pomiarów  zapisać  w  tabeli  10  - 

zakres pomiarowy V

2

 = 20 V, A

1

 = 200m A, A

2

 = 2 A,  

5)  w  układzie  jak  na  rys.18  wyznaczyć  charakterystykę  przejściową  I

=  f  (I

B

),  gdy  U

CE

 

=…V  ,  na  zasilaczu  DC  2  ustawić  stałą  wartość  napięcia  U

CE

  =  10  V,  zmieniając  za 

pomocą zasilacza DC 1 prąd I

B

 odczytywać prąd I

C, 

wyniki pomiarów zapisać w tabeli 11 

– zakres pomiarowy V

2

 = 20 V, A

1

 = 200m A, A

2

 = 2  A.  

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

tranzystor badany, 

 

zasilacz DC1, DC2, 

 

przyrządy pomiarowe: mierniki uniwersalne (amperomierz – 2 szt., woltomierz ), 

 

przewody laboratoryjne, 

 

katalog podzespołów elektronicznych.

 

 
 

4.3.4. Sprawdzian postępów    
 

   

 

 

 

Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

 

 

 

 

 

 

1)  wybrać z katalogu parametry badanego tranzystora? 
2)  dobrać zakresy przyrządów pomiarowych? 
3)  określić zakres zmian mierzonych parametrów? 
4)  w oparciu o uzyskane dane pomiarowe narysować charakterystyki? 
5)   podać rząd wielkości oczekiwanych wyników pomiaru?  

 

 

 

 

 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 23 

4.4. Tranzystor polowy 
 

4.4.1. Materiał nauczania 

   

 

 

 

 
Tranzystory  polowe  w  skrócie  FET  są  również  nazywane  unipolarnymi

.

  Tranzystor 

polowy posiada trzy elektrody: źródło (S), bramkę (G) i dren (D). 
 

Tranzystory polowe dzieli się na dwie grupy: 

 

złączowe JFET 

 

z izolowaną bramką MOSFET  

 

 

Rys. 19.

 

Symbol

 

tranzystora polowego i bipolarnego [6].

  

 

Tranzystor  z  izolowaną  bramką  często  ma  również  czwartą  elektrodę  zwaną  podłożem 

(B).  Tranzystory  te  wykonuje  się  głownie  w  układach  scalonych,  natomiast  jako  elementy 
dyskretne rzadziej  i  są to głównie tranzystory mocy, np. pracujące  jako szybkie przełączniki 
w  zasilaczach  impulsowych.  Zastosowania:  bramki  logiczne  w  technologiach  MOS, 
wzmacniacze  w  różnych  konfiguracjach  (WD,  WS,  WG),  generatory,  stopnie  wejściowe 
wzmacniaczy operacyjnych, wzmacniacze różnicowe, pamięci komputerowe. 

Tranzystory unipolarne opisuje się, za pomocą następujących parametrów:  

 

napięcie  odcięcia  bramka-źródło  U

GS(OFF)

,  czyli  napięcie  jakie  należy  doprowadzić  do 

bramki, aby przy ustalonym napięciu U

DS

 nie płynął prąd drenu, 

 

napięcie  progowe  U

P

   napięcie  jakie  należy  doprowadzić, aby przez  tranzystor  popłynął 

prąd,  

 

prąd nasycenia I

DSS

 prąd drenu płynący przy napięciu U

GS

=0 i określonym napięciu U

DS

,  

 

prąd  wyłączenia  I

D(OFF

  –  prąd  drenu  płynący  przy  spolaryzowaniu  bramki  napięciem 

|U

GS

| > |U

GS(OFF)

 

rezystancja  statyczna  włączenia  R

DS(ON)

  –  rezystancja  między  drenem  a  źródłem 

tranzystora pracującego w zakresie liniowym charakterystyki I

D

 = f(U

DS

) przy U

GS

=0, 

 

rezystancja  statyczna  wyłączenia  R

DS(OFF)

  –  rezystancja  między  drenem  a  źródłem 

tranzystora znajdującego się w stanie odcięcia,  

 

dopuszczalny prąd drenu I

Dmax,

  

 

dopuszczalny prąd bramki I

Gmax,

  

 

Podstawowe charakterystyki: 

 

przejściowa  –  zależność  prądu  drenu  (I

D

)  od  napięcia  bramka-źródło  (U

GS

)  przy  stałym 

na pięciu dren-źródło (U

DS

). 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 24 

 

 

 

Rys. 20. Charakterystyka przejściowa ta dla różnych typów tranzystorów [6]. 

 

 

charakterystyka  wyjściowa  –  zależność  prądu  drenu  (I

D

)  od  napięcia  dren-źródło  (U

DS

), 

przy  stałym  napięciu  bramka-źródło  (U

GS

).  Cały  obszar  charakterystyki  wyjściowej 

można podzielić na dwie części: obszar nasycenia i obszar nienasycenia (liniowy).  

 
 

 

 

Rys.

 

21. Charakterystyka wyjściowa [6]. 

 

W  zakresie  liniowym  (nienasycenia)  tranzystor  unipolarny  zachowuje  się  jak  rezystor 

półprzewodnikowy.  Prąd  I

D

  ze  wzrostem  napięcia  U

DS

  wzrasta  w  przybliżeniu  liniowo.  

W  zakresie  nasycenia  napięcie  U

DS

  bardzo  nieznacznie  wpływa  na  wartość  prądu  drenu, 

natomiast bramka zachowuje właściwości sterujące.  

 
4.4.2. Pytania sprawdzające 
 

Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jaki jest symbol tranzystora polowego i jak oznacza się jego elektrody? 
2.  Jakie są parametry tranzystora polowego? 
3.  Jakie są podstawowe układy  pracy tranzystora polowego? 
4.  Jak przebiegają charakterystyki tranzystora polowego? 
5.  Jaki zakres charakterystyki tranzystora wykorzystuje się wstanie aktywnym?

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 25 

4.4.3. Ćwiczenia  
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ćwiczenie 1   

Wykonaj  badanie  tranzystora  polowego  w  układzie  pomiarowym  przedstawionym  na 

rys. 22. 

A

+

+

V

Ugs

T BF256C

+

V

Uds

P 1

ZASILACZ   +
     DC1         -

 -   ZASILACZ
 +      DC 2

Id

D

S

G

V1

V2

 

Rys. 22.

  

Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora polowego typu JFET. 

 

Tabela 12.  Charakterystyka przejściowa tranzystora I

= f(U

GS

) przy U

DS

=const. 

U

DS

[V]  U

GS

[V] 

0,0 

-0,5 

-1,0 

-1,5 

-2,0 

-2,3 

-2,6 

-3,0 

1,0 

I

D

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

2,0 

I

D

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

4,0 

I

D

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

8,0 

I

D

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  zaznajomić  się  z  danymi  katalogowymi  badanego  tranzystora,  dane  zanotować 

w zeszycie, 

2)  wyznaczyć charakterystyki, 
3)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela, 
4)  w  układzie  z  rys.22  wyznaczyć  rodzinę  charakterystyk  przejściowych  I

D

  =  f  (  U

GS

  ,  za 

pomocą  zasilacza  DC1  ustawić  stałą  wartość  napięcia  U

DS, 

zmieniając  za  pomocą 

potencjometru  P  napięcie  zasilacza  DC2  odczytać  wartość  prądu    I

D

  i    napięcie  U

GS  - 

zakresy pomiarowe: V

i V

2

 = 20 V, amperomierza A = 20 mA, wyniki pomiaru zapisać 

w tabeli 12. 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

tranzystor polowy, 

 

zasilacz DC1, DC2, 

 

zakresy pomiarowe: V

i V

2

 = 20 V, amperomierza A = 20 mA, 

 

przyrządy pomiarowe, rezystor suwakowy, przewody laboratoryjne

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 26 

4.4.4. Sprawdzian postępów    
 

   

 

 

 

Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  określić parametry graniczne tranzystora stosowanego w układzie? 

 

 

2)  dobierać zakresy pomiarowe przyrządów? 

 

 

3)  rysować charakterystyki w oparciu o pomiary? 

 

 

4)  omówić stany pracy tranzystora w oparciu o charakterystyki? 

 

 

 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 27 

4.5. Elementy optoelektroniczne 

 
4.5.1. Materiał nauczania 

   

 

 

 

 

 

Elementy  optoelektroniczne    są  to  elementy,  których  podstawą  działania  jest  zjawisko 
przetwarzania  energii  promieniowania  optycznego  w  energię  elektryczną.  Ze  względu  na 
kierunek  przemiany  energetycznej  elementy  optoelektroniczne  dzieli  się  na  fotodetektory, 
czyli odbiorniki promieniowania i fotoemitery, czyli źródła promieniowania. 

 
Fotorezystor

.  

Jest  elementem  światłoczułym.  Jego  rezystancja  zmienia  się  pod  wpływem  padającego 

promieniowania  i  nie  zależy  od  kierunku  przyłożonego  napięcia,  podobnie  jak  rezystancja 
zwykłego rezystora. 
Oświetlenie  fotorezystora  powoduje  zwiększenie  przepływającego  prądu  (zmniejsza  się 
rezystancja fotorezystora).  

Parametry fotorezystora: 

 

czułość widmowa – zależność rezystancji od  natężenia oświetlenia. Na wartość czułości 
wpływa rodzaj materiału i sposób jego domieszkowania, 

 

rezystancja fotorezystora. 

 

Ze względu na dużą czułość i prosty układ pomiarowy, fotorezystory wykorzystuje się do: 

 

pomiaru temperatury i ostrzegania w systemach przeciwpożarowych, 

 

wykrywania zanieczyszczeń rzek i zbiorników wodnych, 

 

detekcji strat ciepła przez izolację termiczną budynków, 

 

badania zasobów ziemi z samolotów i satelitów, 

 

celów wojskowych. 

 
Diody elektroluminescencyjne.  

Zwane  są  także  diodami  świecącymi  LED  (z  ang.  Light  Emiting  Diode),  emitują 

promieniowanie w zakresie widzialnym  i podczerwonym. Intensywność świecenia zależy od 
wartości  doprowadzonego  prądu,  przy  czym  zależność  ta  jest  liniowa  w  dużym  zakresie 
zmian prądu.Dioda  pracuje  prawidłowo  przy  polaryzacji  złącza  w  kierunku  przewodzenia. 
Zasada działania diod elektroluminescencyjnych jest oparta na zjawisku elektroluminescencji. 

Zjawisko  elektroluminescencji  w  diodach  półprzewodnikowych  polega  na  wytwarzaniu 

światła pod wpływem pola elektrycznego. 

Parametry  elektryczne  diody  elektroluminescencyjnej  są  takie  same  jak  innych  diod 

czyli:  prąd  przewodzenia,  napięcie  przewodzenia,  napięcie  wsteczne  oraz  moc  strat,  która 
wynosi od kilkudziesięciu do kilkuset mW, a jej wartość zależy od temperatury złącza 

Stosuje się je jako: 

 

sygnalizatory  włączenia  lub  sygnalizatory  określonego  stanu  pracy  urządzeń 
elektrycznych, takich jak sprzęt radiowo – telewizyjny i aparatura pomiarowa,  

 

wskaźniki w windach i telefonach, 

 

elementy podświetlające przełączniki i skale, 

 

wskaźniki poziomu cieczy, np. paliwa, oleju, wody w samochodzie itp

.  

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 28 

Fotodioda 

Jest zbudowana podobnie  jak dioda krzemowa. Różnica  jest w obudowie, gdyż znajduje 

się tam soczewka płaska lub wypukła, umożliwiająca oświetlenie jednego z obszarów złącza. 
Fotodiody wykonuje się z krzemu lub arsenku galu. 

 

Fotodiodę  można  traktować  jako  źródło  prądu  o  wydajności  zależnej  od  natężenia 

oświetlenia. 

Fotodiodę  polaryzuje  się  zaporowo  zewnętrznym  źródłem  napięcia.  Pod  wpływem 

oświetlenia  przez  fotodiodę  płynie  prąd  wsteczny,  który  zwiększa  się  ze  wzrostem 
oświetlenia.  Przy  braku  oświetlenia  przez  fotodiodę  płynie  niewielki  tzw.  ciemny  prąd 
wsteczny  I0  wywołany  generacją  termiczną  nośników.  Prąd  ten  narasta  liniowo  wraz  ze 
wzrostem wartości napięcia wstecznego. 
 

Parametry fotodiody 

 

maksymalne napięcie wsteczne U

Rmax 

= 10 – 500V, 

 

maksymalny prąd ciemny I

R0max

 = 1 – 100nA, 

 

czułość na moc promieniowania S

pe

 = 0,3 – 1A/W, 

 

czułość na natężenie oświetlenia S

EV

 = 10 – 100nA/lx. 

 

 

 

Rys. 23.

 

Charakterystyka fotodiody [5].

 

 

 

Istotną  zaletą  fotodiody  jest  duża  częstotliwość  pracy.  Może  ona  przetwarzać  sygnały 

świetlne o częstotliwości do kilkudziesięciu MHz. Natomiast wadą jest silna zależność prądu 
fotodiody od temperatury. 

 
Fototranzystor 

Element  półprzewodnikowy  z  dwoma  złączami  p-n.  Działa  tak  samo  jak  tranzystor  z  tą 

różnicą,  że  prąd  kolektora  nie  zależy  od  prądu  bazy,  lecz  od  natężenia  promieniowania 
oświetlającego  obszar  bazy.  Oświetlenie  wpływa  na  rezystancję  obszaru  emiter-baza. 
Wykorzystuje się tu zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne, tj. zjawisko fotoprzewodnictwa. 
Fotoprzewodnictwo  polega  na  zwiększaniu  przewodnictwa  elektrycznego  pod  wpływem 
energii promieniowania. 

Fototranzystor  jest  detektorem  o  czułości  wielokrotnie  większej  niż  czułość  fotodiody, 

ponieważ  prąd  wytworzony  pod  wpływem  promieniowania  ulega  dodatkowemu 
wzmocnieniu. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 29 

 

 

Rys. 24.

 

Fototranzystor: a) charakterystyka prądowo-napięciowa [6].

 

 
 
Fototyrystor 

Fototyrystorem nazywamy tyrystor umieszczony w specjalnej obudowie, umożliwiającej 

oddziaływanie  promieniowania  świetlnego  na  jego  przełączanie  ze  stanu  blokowania  do 
przewodzenia. 

Im  większe  jest  napięcie  anoda  –  katoda  fototyrystora,  tym  moc  promieniowania 

potrzebna do przełączenia jest mniejsza. Istotną cechą fototyrystora jest to, że po przełączeniu 
stan przewodzenia, utrzymuje się w nim nawet po zaniku impulsu świetlnego. 

Wykonywane  są  głównie  z  krzemu  i  wykorzystywane  jako  np.  fotoelektryczne 

przekaźniki.

 

 
Transoptor 

Fotoodbiorniki możemy sprzęgać z diodami elektroluminescencyjnymi, w celu przesłania 

sygnałów na drodze optycznej. W ten sposób uzyskujemy przekazywanie sygnałów z jednego 
układu do drugiego, przy galwanicznym odseparowaniu tych układów. Tak powstały przyrząd 
nazywamy  transoptorem  (dioda  i  fotodetektor  w  różnych  obudowach)  lub  łączem 
optoelektronicznym (dioda i fotodetektor w jednej obudowie).  

Transoptor  jest  półprzewodnikowym  elementem  optoelektronicznym,  składającym  się 

z co  najmniej  jednego  fotoemitera  i  co  najmniej  jednego  fotodetektora,  umieszczonych  we 
wspólnej obudowie. 

Transoptor  pozwala  przesyłać  sygnały  elektryczne  z  wejścia  na  wyjście  bez  połączeń 

galwanicznych obwodów wejściowego i wyjściowego. 

W  transoptorze  rolę  fotoemitera  w  obwodzie  wejściowym  spełnia  zwykle  dioda 

elektroluminescencyjna z arsenku galu. Na wyjściu transoptora może znajdować się fotodioda 
lub fototranzystor.  

 

 

Rys. 25.

 

Schemat transoptora [5]. 

 

Parametry  transoptora  charakteryzują  właściwości  jego  elementów  składowych,  tzn. 

diody elektroluminescencyjnej i fotodetektora. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 30 

 

Rys. 26 Charakterystyka transoptora [5].

 

 

Transoptory stosuje się: 

 

do galwanicznego rozdzielania obwodów,  np. w technice wysokich napięć, 

 

w technice pomiarowej i automatyce, 

 

w sprzęcie komputerowym, 

 

w sprzęcie telekomunikacyjnym. 
Spełniają  one  również  rolę  potencjometrów  bezstykowych  oraz  przekaźników 

optoelektronicznych, wykorzystywanych do budowy klawiatury kalkulatorów i komputerów. 

W układach sygnalizacyjnych i zabezpieczających są stosowane jako: 

 

wyłączniki krańcowe,  

 

czujniki otworów, 

 

czujniki położenia, 

 

wskaźniki poziomu cieczy. 

 
4.5.2. Pytania sprawdzające 

 

Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jakie znasz rodzaje elementów optoelektronicznych? 
2.  Jakie parametry charakteryzują fotorezystor ? 
3.  Jak należy spolaryzować diodę elektroluminescencyjną ?  
4.  Jak polaryzuje się fotodiodę? 
5.  Jak wykonany jest fototranzystor? 
6.  Czy potrafisz omówić działanie fotorezystora? 

 
4.5.3. Ćwiczenia    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Ćwiczenie 1   

 

Wykonaj badanie elementów optoelektronicznych. 

U1 4N33

+

V

A

+

R 1

ZASILACZ    +
     DC             -

U1

Uin

I in

 

 
Rys. 27.

  

Schemat układu pomiarowego do badania charakterystyki wejściowej transoptora.

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 31 

Tabela 15.  Charakterystyka wejściowa transoptora. 

I

in

[mA] 

0,1 

0,3 

0,5 

1,0 

5,0 

10,0 

15,0 

U

in

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 

 

Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  dokonać  oględzin  transoptora  określając  jego  oznaczenie,  rodzaj  fotoemitera 

i fotodetektora, wyprowadzenia, typ obudowy, 

2)  zapoznać się z danymi katalogowymi badanego transoptora, 
3)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela,

  

4)  w  układzie  z  rys.  27  wyznaczyć  charakterystykę  wejściową  I

in

  =  f  (U

in

),  za  pomocą 

zasilacza DC1 zmieniać napięcie U

 odczytując wartość napięcia U

in

 oraz prądu, zakresy 

pomiarowe: V

 

= 2 V, amperomierza A = 20 mA, wyniki pomiaru zapisać w tabeli 15. 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

katalog elementów elektronicznych, 

 

przyrządy pomiarowe: zakresy pomiarowe: V

 

= 2 V, amperomierza A = 20 mA, 

 

zasilacz, 

 

przewody laboratoryjne. 

 
Ćwiczenie 2   

 

Wyznacz charakterystykę wejściową I

in

 = f ( U

in

 ) transoptora. 

U1 4N33

A

+

R 1

+

V

VM1

A

+

ZASILACZ    +
     DC             -

I in

+   ZASILACZ    
-        DC 2           

U out

I out

U 2

U 1

 

Rys. 28.

  

Schemat układu pomiarowego do badania charakterystyki wejściowej transoptora [5].

 

 

Tabela 16.  Charakterystyka wyjściowa transoptora. 

I

in

[mA]  U

out

[V] 

0,1 

0,3 

0,5 

1,0 

5,0 

10,0 

15,0 

I

out

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 

I

out

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

15 

I

out

[mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 

 

Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  dokonać  oględzin  transoptora  określając  jego  oznaczenie,  rodzaj  fotoemitera 

i fotodetektora, wyprowadzenia, typ obudowy, 

2)  zapoznać się z danymi katalogowymi badanego transoptora, 
3)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 32 

4)  w układzie z rys. 28 wyznaczyć charakterystykę wejściową transoptora I

out

 = f (U

out

), 

5)  za  pomocą  zasilacza  DC1  ustawić  stałą  wartość  prądu  Iin  według  tabeli  16,  za  pomocą 

DC  2  zmieniać  wartość  napięcia  wyjściowego  Uout  odczytując  wartość  prądu  Iout, 
wyniki  pomiaru  zapisać  w  tabeli  16,  zakresy  pomiarowe  mierników:  V  2  =  20  V, 
amperomierze A1 i A2 =20 mA. 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

katalog elementów elektronicznych, 

 

przyrządy pomiarowe, 

 

zasilacz, 

 

przewody laboratoryjne. 

 
 
Ćwiczenie 3 

Wykonaj  badanie  charakterystyki  diody  elektroluminescencyjnej  W  układzie 

przedstawionym na rys. 29.  

LED1 CQX35A

N1

N2

TR1

D

1

 1

N

1

1

83

R1 1k

R2 1k

Ch1

+

-

Ch2

+

-

OSC1

- X
- Y

X

Y

 

Rys. 29.

 

Układ do badania charakterystyki diod elektroluminescencyjnych

 

 
Sposób wykonania ćwiczenia 

 

Aby wykonać ćwiczenie powinieneś : 

1)  dokonać oględzin diody określając jej oznaczenie, rodzaj, wyprowadzenia, typ obudowy, 
2)  zapoznać się z danymi katalogowymi, 
3)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela i określić wartość napięcia 

przewodzenia badanej diody w zależności od koloru świecenia, 

4)  charakterystyki obserwowane na ekranie oscyloskopu zamieścić w sprawozdaniu. 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

katalog elementów elektronicznych, 

 

przyrządy pomiarowe, 

 

zasilacz, 

 

przewody laboratoryjne. 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 33 

4.5.4. Sprawdzian postępów    

 

 

 

 

 

 
Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  dobrać parametry transoptora do badanego układu? 

 

 

2)  wymienić parametry graniczne badanych elementów? 

 

 

3)  wyjaśnić zasadność umieszczania rezystora w obwodzie detektora? 

 

 

4)  zaproponować inne układy do pomiaru charakterystyk? 

 

 

5)  podać gdzie znajdują zastosowanie transoptory? 

 

 

 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 34 

4.6. Tyrystor 

 

4.6.1. Materiał nauczania 

   

 

 

 

 

 

Rys. 30.

 

Symbol tyrystora. 

 

Tyrystor  jest  elementem  półprzewodnikowym  składającym  się  z  4  warstw  w  układzie 

p-n-p-n.  Jest  on  wyposażony  w  3  elektrody,  z  których  dwie  są  przyłączone  do  warstw 
skrajnych,  a  trzecia  do  jednej  z  warstw  środkowych.  Elektrody  przyłączone  do  warstw 
skrajnych nazywa się katodą (K) i anodą (A), a elektroda przyłączona do warstwy środkowej 
– bramką (G, od ang. gate – bramka). 

Tyrystor  przewodzi  w  kierunku  od  anody  do katody.  Jeżeli  anoda  ma dodatnie  napięcie 

względem  katody,  to  złącza  skrajne  typu  p-n  są  spolaryzowane  w  kierunku  przewodzenia, 
a złącze  środkowe  n-p  w  kierunku  zaporowym.  Dopóki  do  bramki  nie  doprowadzi  się 
napięcia,  dopóty  tyrystor  praktycznie  nie  przewodzi  prądu.  Doprowadzenie  do  bramki 
dodatniego napięcia względem katody spowoduje przepływ prądu bramkowego i właściwości 
zaporowe  środkowego  złącza  zanikają  w  ciągu  kilku  mikrosekund;  moment  ten  nazywany 
bywa „zapłonem” tyrystora. 

 

 

 

 

Rys. 31.

 

Budowa i schemat zastępczy tyrystora [6].

 

 

Parametry tyrystorów: 

 

graniczne  napięcie  powtarzalne  U

RRM

  i  graniczne  napięcie  niepowtarzalne  U

RSM

 

w kierunku zaporowym, 

 

graniczne  napięcie  powtarzalne  U

DRM

  i  graniczne  napięcie  niepowtarzalne  U

DSM 

w kierunku blokowania. Napięcie pracy przyjmuje się nie większe niż 0,67 U

DRM

 

prąd  graniczny  obciążenia  I

TAVM

,  określany  jako  największa  wartość  średnia  prądu 

tyrytora o kształcie półfali  sinusoidy o częstotliwości sieci  energetycznej (50  lub 60 Hz) 
w określonych warunkach chłodzenia, 

 

właściwości  sterowania  określone  przez  charakterystyki  napięciowo-prądowe  bramki 
U

G

=f (I

G

). 

 

Zastosowanie tyrystorów 
 

Tyrystory  znalazły  zastosowania  w  wielu  dziedzinach.  Jako  sterowniki  prądu  stałego  są 

stosowane  w  stabilizatorach  napięcia  stałego  i  w  automatyce  silników  prądu  stałego.  Jako 
sterowniki  prądu  przemiennego  –  w  automatyce  silników  indukcyjnych  i  w  technice 
oświetleniowej.  Jako  łączniki  i  przerywacze  prądu  stałego  i  przemiennego  –  w  automatyce 
napędu  elektrycznego,  układach  stabilizacji  napięcia  i  w  technice  zabezpieczeń.  Jako 
przemienniki częstotliwości – w  automatyce silników indukcyjnych, technice ultradźwięków 
oraz  jako  układy  impulsowe  –  w  generatorach  odchylenia  strumienia  elektronowego 
w kineskopach telewizorów kolorowych, w urządzeniach zapłonowych silników spalinowych. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 35 

Zalety 

 

duża odporność na wstrząsy  i  narażenia środowiskowe i możliwość pracy w temp. 65°C 
do +125°C 

 

mały spadek napięcia na elemencie przewodzącym rzędu 0,6 – 1,6 V 

 

krótki czas przejścia ze stanu zaporowego w stan przewodzenia i na odwrót 

 

Rys. 32. Charakterystyka napięciowo-prądowa tyrystora [8].

 

 

  

 

Stan pracy wstecznej tyrystora przy ujemnym napięciu anoda - katoda przedstawia część 

charakterystyki oznaczona 1, wyróżnia się tu:  

 

U

BR

 – napięcie przebicia,  

 

U

RSM

 – niepowtarzalne szczytowe napięcie wsteczne,  

 

U

RRM

 – powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne,  

 

I

RRM

 – powtarzalny szczytowy prąd wsteczny.  

Stan  blokowania  tyrystora  występuje  w  czasie  jego  nieprzewodzenia  przy  dodatnim 

napięciu anoda – katoda, część charakterystyki oznaczona 2. Można tu wyróżnić parametry:  

 

U

BO

 – napięcie przełączania,  

 

U

DSM

 – niepowtarzalne szczytowe napięcie blokowania,  

 

U

DRM

 – powtarzalne szczytowe napięcie blokowania,  

 

I

DRM

 – szczytowy powtarzalny prąd blokowania.  

 
 
4.6.2. Pytania sprawdzające 

 
Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jakimi parametrami charakteryzuje się tyrystor? 
2.  Co rozumiesz pod pojęciem „zapłon” tyrystora ? 
3.  Jakie zakresy pracy wyróżniamy w tyrystorze?  
4.  Co to jest stan blokowania tyrystora? 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 36 

4.6.3. Ćwiczenia    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Ćwiczenie 1   

 

Wyznacz charakterystykę napięciowo-prądową tyrystora. 

A

+

+

V

VM1

U1 2N1595

A

+

ZASILACZ    +
   DC 1           -

+ ZASILACZ
-      DC 2

P 1

R

I t

U t

G

P 2

I g

    obwód
   anodowy

   obwód
 bram kowy

 

Rys. 33.  Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyki  głównej w zakresie blokowania. 

 

Tabela 16.  Charakterystyka główna tyrystora w zakresie blokowania. 

I

T

 [µA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

T

 [V] 

1,0 

5,0 

10,0 

20,0 

30,0 

40,0 

50,0 

 

         Tabela 17.  Charakterystykę napięciowo-prądową tyrystora w kierunku zaporowymi. 

I

T

 [µA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

T

 [V] 

1,0 

5,0 

10,0 

20,0 

30,0 

40,0 

50,0 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 

 

Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  dokonać 

oględzin 

tyrystora 

określając 

jego 

oznaczenie, 

rodzaj 

obudowy 

i wyprowadzenia, typ obudowy 

2)  zapoznać się z danymi katalogowymi badanego tyrystora 
3)  w układzie z rys.33 wyznaczyć charakterystykę blokowania tyrystora I

T

 = f ( U

T

) przy I

G

 

=  0,  zmieniając  napięcie  zasilacza  DC  1  odczytać  prąd  I

T

  oraz  napięcie  U

T, 

  wyniki 

pomiaru zapisać w tabeli 16 

4)  pomiary wykonać przy zamkniętym przełączniku P1 i otwartym P2 
5)  zakresy pomiarowe mierników : V 1 = 200 V, amperomierze A1 =20 µA 
6)  w układzie 

z rys. 33

 wyznaczyć charakterystykę wsteczną tyrystora I

T

 = f ( U

T

) przy I

G

 = 

0, zmienić polaryzację zasilacza DC1, wyniki pomiaru zapisać w tabeli 17. 

 

Wyposażenie stanowiska pracy:  

 

poradnik dla ucznia, 

 

katalog elementów elektronicznych, 

 

przyrządy pomiarowe, 

 

zasilacz, 

 

przewody laboratoryjne. 

 

4.6.4. Sprawdzian postępów    

 

 

 

   

 

Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  określić istotne dla badanego układu parametry katalogowe? 

 

 

2)  uzasadnić włączenie w obwodzie bramki µA? 

 

 

3)  dobrać zakresy pomiarowe stosowanych przyrządów pomiarowych? 

 

 

4)  na podstawie wykonanych pomiarów narysować charakterystyki? 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 37 

4.7. Wzmacniacze 
 

4.7.1. Materiał nauczania  

 

Układ  wzmacniający  to  taki  układ,  w  którym  sygnał  wejściowy  w  postaci  napięcia  lub 

natężenia  prądu,  kosztem  doprowadzonej  energii  ze  źródła  zewnętrznego,  na  wyjściu 
uzyskuje postać sygnału Uwy = KuUwe. 

 
Parametry wzmacniaczy. 

Do najważniejszych parametrów wzmacniaczy zaliczamy: 

 

wzmocnienie: napięciowe, prądowe i mocy, 

 

dolna i górna częstotliwość graniczna, 

 

pasmo przenoszonych częstotliwości, 

 

rezystancja wejściowa i wyjściowa, 

 

zniekształcenia nieliniowe i liniowe 
Podstawowym parametrem określającym właściwości wzmacniacza jest wzmocnienie (k) 

określane  jako  stosunek  wartości  skutecznej  sygnału  wyjściowego  do  wartości  skutecznej 
sygnału wejściowego. Wyróżniamy 3 rodzaje wzmocnienia: 

 

napięciowe: K

u

we

wy

U

U

 

prądowe: K

i

we

wy

I

I

 

mocy: K

p

we

P

P

0

Wzmocnienie  napięciowe  jest  to  stosunek  napięcia  wyjściowego  do  napięcia  wejściowego 
układu, wyrażony w woltach na wolt [V/V]: 

k

u

[V/V] =  Uwy /Uwe 

 lub częściej w decybelach [dB]: 

k

u

[dB] = 20 log K

u

[V/V] 

Częstotliwości graniczne są to takie wartości częstotliwości sygnału wejściowego, dla których 
wzmocnienie napięciowe wzmacniacza maleje względem wzmocnienia maksymalnego o 3dB 
(czyli do poziomu 0,707 wartości maksymalnej), a wzmocnienie mocy maleje do połowy. 
 
– Górna częstotliwość graniczna –  
częstotliwość graniczna od strony  
dużych wartości częstotliwości. 
 
 
 
 
 
– Dolna częstotliwość graniczna –  
częstotliwość graniczna od strony  
małych wartości częstotliwości

 

 

Rys. 34.

 

Górna i dolna częstotliwość [5].

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 38 

Pasmo  przenoszenia  –  przedział  częstotliwości  między  dolną  i  górną  częstotliwością 
graniczną. 

B= f

g

- f

d

 

 

Sprzężenie zwrotne 

Wzmacniacze ze sprzężeniem zwrotnym są to układy składające się z dwóch oddzielnych 

bloków: układu podstawowego (wzmacniającego) i układu sprzężenia zwrotnego. 
Zadaniem  układu  sprzężenia  zwrotnego jest  przekazywanie  na  wejście  układu  (jako  całości) 
części sygnału wyjściowego. Zmianie ulegają warunki sterowania wzmacniacza. 
Sprzężenie  zwrotne  może  powodować  zwiększenie  lub  zmniejszenie  sygnału  (S

p

doprowadzonego do układu podstawowego w stosunku do sygnału wejściowego (S

we

). 

 Ujemne sprzężenie zwrotne ma miejsce, gdy fazy sygnału wejściowego i sygnału sprzężenia 
zwrotnego są przeciwne 

 

 

Rys. 35. Ujemne sprzężenie zwrotne [7]. 

 

Dodatnie  sprzężenie  zwrotne  –  część  sygnału  z  wyjścia  jest  dodawana  do  sygnału 

wejściowego. Fazy obu sygnałów są w tej samej fazie. 
 

 

 

Rys. 36 Dodatnie sprzężenie zwrotne [7]. 

 

 

Stosowane  są  różne  rodzaje  sprzężeń  zwrotnych:  napięciowe  i  prądowe,  które  dalej 

ulegają  podziałowi  na  szeregowe  i  równoległe.  Rodzaje  sprzężeń  rozróżniamy  po  sposobie 
wyprowadzenia z wyjścia i wprowadzenia na wejście wzmacniacza sygnału. 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 39 

Wzmacniacze w podstawowych układach pracy 

Schemat  jednostopniowego  tranzystorowego  wzmacniacza  pasmowego  w  układzie 

wspólnego emitera przedstawiono na poniższym rysunku (Rys. 35).  

 

 

Rys. 37.

 

Schemat badanego układu wzmacniacza [7]. 

 

 

Rezystancja Rg reprezentuje oporność wewnętrzną źródła sygnału wejściowego.  

 

R

L

 – rezystancja obciążenia układu.  

 

Elementy  R

1

  i  R

2

  (dzielnik  napięciowy)  stanowią  układ  ustalający  punkt  pracy 

tranzystora. 

 

Rc  –  rezystor  kolektorowy  (wpływający  między  innymi  na  wzmocnienie  napięciowe 
i prądowe układu) 

 

pojemności  C

1

  i  C

2

  sprzęgają  badany  układ  ze  źródłem  sygnału  sterującego  (poprzedni 

stopień)  oraz  obciążeniem,  separując  te  układy  stałoprądowo.  W  przypadku,  gdyby 
sygnał  wejściowy  posiadał  niezerową  składową  stała,  wtedy  zostanie  ona  odfiltrowana 
przez  kondensator,  który  po  naładowaniu  nie  będzie  przewodził  tejże  składowej,  więc 
punkt pracy tranzystora nie ulegnie przesunięciu.  

 

Kondensator  Ce  zwiera  składową  zmienną  prądu  emitera  (wpływa  na  przebieg 
charakterystyk częstotliwościowych w zakresie małych częstotliwości).  

 

Re  –  rezystor  emiterowy  (wraz  z  dzielnikiem  napięcia  –  układem  R

1

  i  R

2

  ustala  punkt 

pracy  tranzystora  we  wzmacniaczu).  Zmiany  napięcia  na  rezystorze  emiterowym  Re 
powodują  zmianę  potencjału  emitera  i  powstanie  ujemnego  sprzężenia  zwrotnego  dla 
prądu stałego.  
Dodatkowo  rezystor  ten  stabilizuje  punkt  pracy  (napięcie  Uce  oraz  prąd  Ic)  pod 

względem  termicznym.  Jeśli  temperatura  układu  rośnie  to  prąd  Ic  rośnie,  podobnie  jak 
napięcie  Ue,  które  jest  od tego  prądu  zależne w  sposób  :  Ue=Re*Ic.  Ponieważ  Ub=Ube+Ue 
oraz Ub=const, wiec jeśli Ue rośnie, Ube musi zmaleć.  
Podstawowymi  parametrami  roboczymi  wzmacniacza  są  :  wzmocnienie  napięciowe  k

u

wzmocnienie prądowe k

i

, rezystancja wejściowa Rwe oraz rezystancja wyjściowa Rwy. 

Definiuje się 3-decybelowe pasmo przenoszenia częstotliwości, w zakresie których amplituda 
wzmocnienia  spada  o  3  dB  od  wartości  ustalonej  K

U0

.Określa  się  też  je  jako  częstotliwość 

„spadku połowy mocy” (P=U

2

/R),  

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 40 

 

Rys. 38. Charakterystyka częstotliwościowa wzmacniacza [7]. 

 

 

Schemat wzmacniacza w konfiguracji wspólnego kolektora OC:  

 

Rys. 39. Schemat wzmacniacza w konfiguracji wspólnego kolektora OC [7]. 

 

Wzmacniacz  z  tranzystorem  w  konfiguracji  wspólnego  kolektora  jest  nazywany 

wtórnikiem  emiterowym,  gdyż  wielkość  napięcia  wyjściowego  jest  prawie  taka  sama  jak 
wielkość  napięcia  wejściowego.  Wzmocnienie  napięciowe  w  tym  układzie  jest  bliskie 
jedności,  a  faza  napięcia  wyjściowego  jest  zgodna  z  fazą  napięcia  wejściowego.  Zatem 
napięcie wyjściowe  „wtóruje”  napięciu wejściowemu. Punkt pracy tego wzmacniacza zależy 
od  rezystancji  R1,  R2,  Re.  Cechy  układu  wzmacniacza  opartego  na  układzie  wspólnego 
kolektora  (czyli  duża  rezystancja  wejściowa  Rwe  i  mała  rezystancja  wyjściowa  Rwy) 
spowodowały,  że  wtórnik  emiterowy  służy  do  dopasowywania  poziomów  impedancji 
pomiędzy stopniami wzmacniaczy.  
Schemat wzmacniacza w konfiguracji wspólnej bazy WB:  

 

Rys. 40.

 

Schemat wzmacniacza w układzie wspólnej bazy [7]. 

 

Układ  ten  jest  bardzo  rzadko  stosowany  w  zakresie  małych  częstotliwości  jako 

samodzielny  wzmacniacz.  Najczęściej,  podobnie  jak  układ  WK,  występuje  w  połączeniach 
z innymi  konfiguracjami  w  układzie  wielotranzystorowym.  Układ  ten  może  dostarczyć 
wzmocnienia napięciowego o wartościach porównywalnych ze wzmacniaczem w konfiguracji 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 41 

WE.  Wzmocnienie  prądowe  w  tym  układzie  jest  <1.  Układ  wzmacniacza  w  konfiguracji 
wspólnej  bazy  ma  dobre  właściwości  częstotliwościowe  (duża  częstotliwość  graniczna),  co 
pozwala  uzyskać  wzmocnienie  napięciowe  w  takich  zakresach,  gdy  praca  w  innych 
konfiguracjach jest już niemożliwa (najszersze pasmo przenoszenia). 

Tranzystory  unipolarne  –  głównie  typu FET  – są stosowane  we  wzmacniaczach  małych 

częstotliwości  znacznie  rzadziej  niż  tranzystory  bipolarne.  Wykorzystuje  się  przede 
wszystkim  takie  właściwości  tranzystorów  unipolarnych  jak:  bardzo  duża  impedancja 
wejściowa (i znikomy prąd bramki)), mniejsza nieliniowość charakterystyki przejściowej oraz 
małe  szumy  przy  dużych  impedancjach  źródła  sygnału.  Niekorzystne  w  stosunku  do 
tranzystorów  bipolarnych  właściwości  to:  mniejsza  transkonduktancja  –  i  w  związku  z  tym 
mniejsze  wzmocnienie  napięciowe  –  większy  na  ogół  pobór  prądu  oraz  niezbyt  duże  pole 
wzmocnienia tranzystorów FET. 

Praktyczne zastosowanie w zakresie m.cz. znalazły dwie konfiguracje o dużej impedancji 

wejściowej:  wspólnego  źródła  (WS)  i  wspólnego  drenu  (WD).  Zasadnicze  właściwości 
wzmacniaczy w tych konfiguracjach są podobne do właściwości układów WE i WK, również 
ogólna  konstrukcja  pojedynczego  stopnia  wzmacniacza  jest  zbliżona.  Różnice  są  wynikiem 
innych metod realizacji obwodu polaryzacji bramki. 
Ze  względu  na  dużą  impedancję  wejściową  układów  unipolarnych  nie  określa  się  dla  nich 
wzmocnień  prądowych  ani  wzmocnień  mocy  (zwykłych  i  skutecznych),  gdyż  k

i

  > 

,  k

p

  > 

.  Impedancja  wejściowa  ma  charakter  pojemnościowy  i  jest  określona  przez  obwód 

polaryzacji  bramki  i  pojemność  wejściową  tranzystora.  Typowe  układy  dyskretnych 
wzmacniaczy ze sprzężeniem pojemnościowym są pokazane na rysunku poniżej. 
 
Układy włączenia tranzystora polowego 

 

ze wspólnym źródłem – WS. 

+

+

U2

Cg

G

D

S

U1

Rg

Rs

Rd

Ed

Cd

 

Rys. 41.

 

Układ ze wspólnym źródłem.

 

 

Duża  impedancja  wejściowa,  umiarkowanie  duża  impedancja  wyjściowa  oraz  >1 

wzmocnienie  napięciowe.  Sygnał  wejściowy  podaje  się  miedzy  bramkę  a  źródło,  sygnał 
wyjściowy zdejmuje się miedzy drenem a źródłem. 

+

+

U2

Cg

G

D

S

U1

Rg

Rs

Rd

Ed

Cd

 

Rys. 42.

 

Układ ze wspólnym drenem.

 

 

 

Zacisk  wejściowy  –  bramka,  wyjściowy  –  źródło,  wspólny  –  dren  =  wtórnik  źródłowy. 

Duża impedancja wejściowa, mała wyjściowa oraz wzmocnienie napięciowe <1. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 42 

4.7.2. Pytania sprawdzające 

 
Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jaki przebieg ma charakterystyka częstotliwościowa wzmacniacza? 
2.  Jakie są podstawowe układy pracy wzmacniaczy? 
3.  Wymienić parametry charakteryzujące wzmacniacz?  
4.  W jakiego typu wzmacniaczach stosuje się tranzystory unipolarne? 
5.  Jakie znasz podstawowe parametry wzmacniacza? 

 
4.7.3. Ćwiczenia    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Ćwiczenie 1 

Wykonaj badanie wzmacniaczy tranzystorowych w podstawowych układach pracy. 

Wyznacz charakterystyki wzmacniaczy U

WY

 = f(U

WE

), K

u

 = f(f), K

u

 = f(R

0

). 

      

 

Rys. 43. Schemat układu do oscyloskopowej analizy wzmacniacza tranzystorowego [11].

 

 

 

 

Rys. 44. Schemat blokowy układu do wyznaczania charakterystyk wzmacniacza [11]. 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie powinieneś: 

1)  dokonać  oględzin  wzmacniacza  określając  jego  oznaczenie,  rodzaj  obudowy,  typ 

obudowy 

2)  zapoznać się z danymi katalogowymi  
3)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela 
4)  obserwować i narysować następujące oscylogramy: 

  położenie  punktu  pracy  na  tle  charakterystyk  wyjściowych  tranzystora  przy  R

1

  =  0, 

R

1opt

, (punkt pracy dzieli napięcie zasilające U

Z

 = 15V na połowę) i R

1max

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 43 

  położenie  prostej  obciążenia  dla  trzech  charakterystycznych  punktów  pracy  (jak 

wcześniej)  oraz  dla  różnych  amplitud  i  częstotliwości  sygnału  wejściowego  (np.  f= 
1kHz przy obserwacji prostej obciążenia i 1Hz przy obserwacji wahań sygnału), 

  charakterystyki robocze dla różnych U

WE

  i dla różnych obciążeń zespolonych Z

0

.  np; 

rezystorowe,  rezystorowo-pojemnościowe,  rezystorowo-indukcyjne,  pojemnściowo- 
-indukcyjne. 

5)  wyznaczyć charakterystykę przenoszenia UWY = f(UWE) 

  ustalić częstotliwość sinusoidalnego sygnału sterującego f= 1kHz, 

  ustalić rezystancję obciążenia R

0

 = 5k

  określić  maksymalny  sygnał  wejściowy  U

WEmax

,  obserwując  na  oscyloskopie  kształt 

sinusoidy (U

WEmax

 oznacza maksymalne napięcie wejściowe, przy którym nie zauważa 

się jeszcze zniekształceń sinusoidy na wyjściu układu), 

  wyznaczyć charakterystykę przenoszenia, zmieniając napięcie wejściowe w granicach 

od  0  do  U

WEmax

  w  odstępach  zależnych  od  tego  napięcia  (8-10  punktów 

pomiarowych), mierzyć napięcia wejściowe U

WE

 i wyjściowe U

WY

6)  wyznaczyć charakterystykę amplitudowo-częstotliwościowa Ku = f(f) 

  ustalić rezystancję obciążenia R

0

 = 5k

  amplitudę  sygnału  wejściowego  dobrać  na  podstawie  pomiarów  wykonanych 

w punkcie  poprzednim  tak,  aby  nie  występowały  zniekształcenia  sygnału 
wyjściowego dla dowolnej częstotliwości (praca w zakresie liniowym), U

WE

 = const, 

  częstotliwość  generatora  zmieniać  w  zakresie  od 10Hz  do  20kHz  (100kHz)  skokami 

według  skali  logarytmicznej:  10Hz,  20Hz,  50Hz,  100Hz  itd.,  mierzyć  napięcie 
wyjściowe. 

7)  wyznaczyć charakterystykę wzmocnienia napięciowego Ku = f(R0) 

  ustalić sygnał wejściowy o stałej częstotliwości i stałej amplitudzie dobranej tak, aby 

wzmacniacz  nie  pracował  w  stanie  nasycenia  w  przewidywanym  zakresie  zmian 
rezystancji obciążenia, 

 

obciążyć  wejście  wzmacniacza  rezystancją  R

0

  i  zmieniać  jej  wartość  w  granicach 

1-10k

  co  1k

;  wykonać  również  pomiar  dla  R

0

  =  ∞;  mierzyć  napięcie  wyjściowe 

i obserwować przebieg wyjściowy na oscyloskopie

 

Wyposażenie stanowiska pracy:  

 

poradnik dla ucznia, 

 

katalog elementów elektronicznych, 

 

przyrządy pomiarowe, 

 

zasilacz, 

 

przewody laboratoryjne. 

 
 
4.7.4. Sprawdzian postępów    
 

   

 

 

 

Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  zaprojektować i wykonywać układy pomiarowe wykorzystywane 

w ćwiczeniu ? 

 

 

 

 

2)  wyjaśnić, w jakim celu należy kontrolować amplitudę sygnału 

wejściowego? 

 

 

 

 

3)  sporządzić charakterystyki wzmacniaczy? 

 

 

4)  wyznaczyć górną i dolną częstotliwość graniczną? 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 44 

4.8. Wzmacniacze operacyjne 

 
4.8.1. Materiał nauczania 

   

 

 

 

 

Wzmacniacz operacyjny

   

 

 

Wzmacniacze operacyjne stanowią największą grupę analogowych układów scalonych. 

Charakteryzują się następującymi właściwościami: 

 

bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym (powyżej 10000 V/V czyli 80dB), 

 

wzmacniają prąd stały , 

 

odwracają fazę sygnału wyjściowego w stosunku do sygnału podawanego na wejściu 
odwracające (oznaczenie „ – „) lub zachowują zgodność w fazie jeżeli sygnał wejściowy 
jest podawany na wejście nieodwracające (oznaczenie „ + „), 

 

dużą rezystancję wejściową (M

), 

 

małą rezystancję wyjściową (

). 

 
 

 
 
 
 
 
 
 

 

Rys. 45.

 

Symbol wzmacniacza operacyjnego [7].

 

 

Parametry wzmacniacza operacyjnego idealnego: 

 

nieskończenie duże wzmocnienie przy otwartej pętli sprzężenia zwrotnego (K 

 

), 

 

nieskończenie szerokie pasmo przenoszonych częstotliwości, 

 

nieskończenie  dużą  impedancję  wejściową  (między  wejściami  oraz  między  wejściami 
a masą), 

 

impedancję wyjściową równą zeru, 

 

niezależność parametrów od temperatury. 
Parametry wzmacniacza operacyjnego rzeczywistego. 

 

wzmocnienie napięciowe różnicowe K

ur

 

wzmocnienie napięciowe sumacyjne K

us

 

współczynnik tłumienia sygnału sumacyjnego H

s

 

rezystancja (impedancja) wejściowa różnicowa r

wer

(Z

wer

), 

 

rezystancja (impedancja) wejściowa sumacyjna r

wes

(Z

wes

), 

 

rezystancja (impedancja) wyjściowa r

wy

 (Z

wy

), 

 

wejściowy prąd polaryzacji I

we

 

wejściowe napięcia niezrównoważenia U

wen

 

wejściowy prąd niezrównoważenia I

wen.

 

Parametry  graniczne:  maksymalne  napięcie  wejściowe  U

wemax

,  maksymalne  różnicowe 

napięcie  wejściowe  U

wer  max

,  maksymalne  napięcie  wyjściowe  U

wy  max

,  maksymalny  prąd 

wyjściowy I

wy. 

 

 

 
 

W

W

U

we2

 

U

we1

 

W

U

wy 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 45 

Wzmacniacz operacyjny jako komparator 
 

 

 

Rys. 46

 

Komparator [7]. 

 

Komparator  analogowy  porównuje  napięcia  lub  prądy  przyłożone  do  wejścia,  a  na 

wyjściu podaje sygnał zależny od tego, który z sygnałów wejściowych jest większy.  

Komparację  napięcia  można  dokonywać za pomocą  wzmacniaczy  operacyjnych,  jednak 

znacznie  lepsze  rezultaty  uzyskuje  się  po  zastosowaniu  układów  specjalnie  do  tego  celu 
wytwarzanych – komparatorów napięcia. 

Komparatory  napięcia  mają  budowę  bardzo  podobną  do  wzmacniaczy  operacyjnych. 

Różnią  się  większą  precyzją  wykonania,  zwłaszcza  mniejszym  wejściowym  napięciem 
niezrównoważenia  i  krótszym  czasem  odpowiedzi  na  pobudzenie  skokowe  oraz  tym,  że 
napięcia  wyjściowe  w  stanach  ustalonych  przyjmują  wartości  odpowiadające  typowym 
poziomom logicznym wyjść układów cyfrowych:  

 
 

4.8.2. Pytania sprawdzające 
 

Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jaki wzmacniacz nazywamy wzmacniaczem operacyjnym? 
2.  Jakie parametry ma wzmacniacz operacyjny idealny? 
3.  Jakie właściwości ma wzmacniacz operacyjny? 
4.  W jakich układach może pracować wzmacniacz operacyjny? 
5.  Jak działa wzmacniacz operacyjny w układzie komparatora? 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 46 

4.8.3. Ćwiczenia    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ćwiczenie 1   

Wykonaj badanie parametrów wzmacniacza operacyjnego. 

-

+

+

+

+

+

U1

R1

R2

R2

U2

R3

+15V

=15V

U

 

Rys. 47.

 

Wzmacniacz operacyjny.

 

 

Tabela 19. 

U

1

 [V] 

 

 

 

U

2

 [V] 

 

 

 

 

 

 

U

A

 [V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tabela 20. 

U

1

 [V] 

 

 

 

U

2

 [V] 

 

 

 

 

 

 

U

A

 [V] 

 

 

 

 

 

 

 

Tabela 21. dla R

3

 = 169 [k

]. 

U

1

 [V] 

 

 

 

U

2

 [V] 

 

 

 

 

 

 

U

A

 [V] 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 

 

Aby wykonać ćwiczenie powinieneś: 

1)  zapoznać się z danymi katalogowymi badanego wzmacniacza, 
2)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela, 

3) 

zbudować układ pomiarowy według 

rys. 47, 

4)  regulować  napięciami  U

1

  i  U

2

    za  pomocą  potencjometrów  R

1

  :  obserwować  napięcie 

wyjściowe U

A

 na oscyloskopie i na mierniku,. 

5)  określić  jakie  wartości  napięcia  U

2

  powodują  komparację  napięcia  U

A

  na  wyjściu  dla 

trzech różnych wartości napięcia U1, 

6)  wyniki pomiarów wpisać do tabeli 19, 
7)  podłączyć    R

3

  =100  k

  pomiędzy  wejściem  nieodwracającym  i wyjściem  wzmacniacza 

operacyjnego.  Dla  trzech  różnych  wartości  napięcia  U

1

  określ  napięcie  U

2

  powodujące 

przełączenie  napięcia  wyjścia  z  +U

A

  na  –U

A

  (lub  odwrotnie),  czynności  z  punktu 

poprzedniego wykonaj także dla układu, w którym R

3

 zastąpimy R

11

=169 [k

],  

8)  wyniki wpisz do odpowiedniej tabeli, 
9)  obserwować jak zmieniło się zachowanie komparatora. 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 47 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

badany wzmacniacz, 

 

Metek, 

 

przewody laboratoryjne. 

 
Ćwiczenie 2 

Wyznacz  charakterystyki  amplitudowo-częstotliwościowe  wzmacniacza  operacyjnego 

w układzie różniczkującym.  

 

Rys. 48. Schemat układu [11].

 

Tabela 22. 

WO: R

i

=... ; R

F

=...; R

R

=... ;C

i

,C

F

=...; 

U

WE

 

U

WY

 

K

U

 

kHz 

mV 

V/V 

dB 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie powinieneś: 

1)  dokonać  oględzin  wzmacniacza  określając  jego  oznaczenie,  rodzaj  obudowy 

i wyprowadzenia, typ obudowy, 

2)  zapoznać się z danymi katalogowymi badanego wzmacniacza, 
3)  zaznajomić się z dokumentacją przekazaną przez nauczyciela, 
4)  w układzie z rys.48 wyznaczyć charakterystykę amplitudowo-częstotliwościową WO, 
5)  wyniki pomiaru zapisać w tabeli 22. 
 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

generator funkcji,  

 

poradnik dla ucznia, 

 

badany wzmacniacz, 

 

przyrządy pomiarowe, 

 

przewody laboratoryjne, 

 

oscyloskop. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 48 

4.8.4. Sprawdzian postępów    

 

 

 

 

 

 
Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  zmontować układ pomiarowy? 

 

 

2)  zdefiniować  wzmocnienie  napięciowe  w  trakcie  wykonywanych 

pomiarów? 

 

 

3)  określić wejściowe napięcie niezrównoważenia? 

 

 

4)  określić wartości napięcia zasilania i napięcia wyjściowego? 
5)  podać wejściowe prądy polaryzujące? 
6)  wymienić podstawowe układy pracy wzmacniaczy operacyjnych? 

 

 

 

 

 

 

 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 49 

4.9. Filtry 
 

4.9.1. Materiał nauczania 

   

 

 

 

 

Filtr  jest  to  fragment  obwodu  elektrycznego  odpowiedzialny  za  przepuszczanie  lub 

blokowanie sygnałów o określonym zakresie częstotliwości.  
Ma on strukturę czwórnika (czwórnik to układ mający  cztery zaciski –  jedna z par zacisków 
pełni  rolę  wejścia,  zaś  druga  wyjścia),  który  przepuszcza  bez  tłumienia  lub  z  małym 
tłumieniem  napięcia  i  prądy  w  określonym  paśmie  częstotliwości,  a  tłumi  napięcia  i  prądy 
leżące  poza  tym  pasmem.  Filtry  częstotliwości  mają  głównie  zastosowanie  w  urządzeniach 
elektronicznych  i  energetycznych.  Umieszczone  pomiędzy  źródłem  sygnału  a  odbiornikiem 
powodują,  że  do  odbiornika  dostaje  się  sygnał  o  pożądanym  widmie  częstotliwości,  co 
oznacza,  że  z  sygnału  dostarczanego  przez  źródło  został  wyeliminowany  sygnał 
o częstotliwości mieszczącej się w paśmie tłumieniowym.  
Pasmo częstotliwości, które filtr przepuszcza bez tłumienia nosi nazwę pasma przepustowego, 
zaś pasmo, w którym napięcia i prądy podlegają tłumieniu nosi nazwę pasma tłumieniowego. 
Częstotliwość, która stanowi granicę pomiędzy pasmem przepustowym a pasmem tłumienia, 
nazywana  jest  częstotliwością  graniczną.  Filtr  może  mieć  kilka  częstotliwości  granicznych.. 
Wartość częstotliwości granicznej filtru może być wyznaczana zarówno w oparciu o wartości 
elementów,  z  których  zbudowany  jest  filtr  jak  i  z  częstotliwościowej  charakterystyki 
napięciowej (Uwy=f(Uwe)) lub prądowej filtru.  

 

 

 

Rys. 49.

 

Przykładowa charakterystyka tłumienia filtru dolnoprzepustowego.

  

 

W zależności od położenia pasma przepustowego wyróżnia się grupy filtrów:  

 

dolnoprzepustowe  –  pasmo  przepustowe  od  częstotliwości  f=0  Hz  do  częstotliwości 
granicznej fg,  

 

górnoprzepustowe 

– 

pasmo 

przepustowe 

od 

częstotliwości 

granicznej 

do 

nieskończoności,  

 

środkowoprzepustowe (pasmowe) – pasmo przepustowe od częstotliwości granicznej fg

1

 

do częstotliwości granicznej fg

2

,  

 

środkowozaporowe (zaporowe) – pasmo tłumieniowe od częstotliwości granicznej fg1 do 
częstotliwości granicznej fg

2

.

 

W zależności od elementów wykorzystanych do budowy wyróżnia się grupy filtrów: 

 

 

filtry  aktywne  –  w  przypadku  wykorzystania  w  układzie  filtru  elementów  aktywnych 
takich jak np. wzmacniacze operacyjne. Dzięki temu istnieje możliwość zaprojektowania 
filtru o dowolnej charakterystyce częstotliwościowej. Filtry aktywne mają taką zaletę, że 
nie posiadają cewek (indukcyjności), 

 

filtry pasywne – zbudowane z samych elementów pasywnych, 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 50 

 

filtry reaktancyjne L,C - zbudowane z cewek i kondensatorów,  

 

filtry bezindukcyjne R,C - zbudowane z rezystorów i kondensatorów. 
Podstawowe parametry charakteryzujące pasywny filtr częstotliwości to:  

 

współczynnik tłumienia filtru (a, k),  

 

współczynnik przesunięcia fazowego (b, a),  

 

częstotliwość graniczna f

g

 , 

 

impedancja falowa.  
Współczynnik  tłumienia  (tłumienność  (a,k))  –  wielkość  określająca,  jaka  część  sygnału 

wejściowego znajdzie  się  na wyjściu  filtru. Może on  być określany  na kilka  sposobów:  jako 
bezpośredni  stosunek  wartości  napięć  lub  prądów,  w  neperach  lub  decybelach.  Wszystkie 
z wymienionych wielkości dają się wzajemnie przeliczać.  
 

 

 

Rys. 50.

 

Logarytmiczne charakterystyki częstotliwościowe współczynnika tłumienia [11]. 

 

Jeżeli  przy  określonej  częstotliwości  f  na  wejście  filtru  podawany  jest  sygnał 

o amplitudzie U1, a na jego wyjście przedostaje się sygnał o amplitudzie U2, to współczynnik 
tłumienia można określić na poniższe sposoby.  

 

Współczynnik przesunięcia fazowego (współczynnik fazowy (α, β)) – wyrażany w radianach 
lub stopniach kąt przesunięcia fazowego (wyprzedzenia lub opóźnienia) pomiędzy napięciem 
na wejściu a napięciem na wyjściu filtru.  

 

Rys. 51.

 

Przebiegi czasowe napięć na wejściu i wyjściu filtru [11]. 

 przy współczynniku przesunięcia fazowego równym 

π

/2  

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 51 

 

Rys. 52.

 

Logarytmiczna charakterystyka częstotliwościowa współczynnika przesunięcia filtru RC [11]. 

 

Impedancja falowa – taka impedancja odbiornika dołączonego do zacisków wyjściowych 

filtru,  przy  której  impedancja  mierzona  na  wejściu  czwórnika  jest  równa  impedancji 
odbiornika.  

Częstotliwość graniczna fg – wartość częstotliwości oddzielająca pasmo przepustowe od 

pasma  zaporowego.  W  fazie  projektowania  filtru  ona  jest  określana  na  podstawie  wartości 
zastosowanych  w  filtrze  elementów oraz impedancji  źródła  i  odbiornika.  Może  być  również 
określana  w  oparciu  o  częstotliwościową  charakterystykę  współczynnika  tłumienia  lub 
częstotliwościową charakterystykę współczynnika przesunięcia fazowego.  

W  przypadku  określania  częstotliwości  granicznej  na  podstawie  częstotliwościowej 

charakterystyki współczynnika tłumienia, za częstotliwość graniczną można przyjmować taką 
wartość  częstotliwości,  przy  której  tłumienie  zwiększa  się  o  3  dB  w  stosunku  do  wartości, 
jaką posiada w paśmie przepustowym („3 decybelowa częstotliwość graniczna”).  
 
 

4.9.2. Pytania sprawdzające 

 

Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Co rozumiesz pod pojęciem filtru? 
2.  Co to jest filtr częstotliwości? 
3.  Jakie znasz rodzaje filtrów?  
4.  Jakie są parametry filtrów pasywnych? 

 
4.9.3. Ćwiczenia    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ćwiczenie 1 

Wyznacz 

charakterystykę 

przenoszenia 

filtra 

środkowoprzepustowy  LC  ze 

wzmacniaczem operacyjnym. 

 

 

Rys53.

 

Filtr aktywny środkowoprzepustowy. 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 52 

Tabela 23.

 

[kHz]  2,5 

3,5 

4,3  4,6 

5,5 

6,5 

7,5 

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 

 

Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  wyznaczyć  charakterystyki  przenoszenia  filtra  w  układzie  pomiarowym  jak  na  rys.  53  – 

Zmieniaj  częstotliwość  generatora  f  według  tabeli  22  (napięcie  generatora 
U

WEpp

=0.5[V]=const.), zapisuj w niej odpowiadające wartości U

WYskut

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

generator funkcji,  

 

poradnik dla ucznia, 

 

badany układ, 

 

przyrządy pomiarowe, 

 

przewody laboratoryjne, 

 

oscyloskop. 

 

Ćwiczenie 2   

 

Wyznacz  charakterystykę  przenoszenia  filtra  dolnoprzepustowy  RC  ze  wzmacniaczem 

operacyjnym. 

V

2

741

-15V

+15V

V

1

_

+

Oscyl.

U

WY

U

WE

Gen.

R

 

 

Rys

54. Filtr aktywny dolnoprzepustowy. 

 

 

             Tabela 24.    C = 10 nF   R = 100 Ω               C = 10 nF    R = 1 kΩ             C = 10 nF     R = 4,7 kΩ 

 

                  
 

 
Sposób wykonania ćwiczenia 

 

Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  dokonać  oględzin  filtru  określając  jego  oznaczenie,  rodzaj  obudowy  i  wyprowadzenia, 

typ obudowy, 

2)  zapoznać się z danymi katalogowymi,  
3)  z  generatora  funkcyjnego  podać  U

WE  pp

  =  0.5  [V]  =  const.  Zmieniać  częstotliwość 

generatora według tabeli 19 dla wartości R i C podanych przez prowadzącego ćwiczenie. 
Zmierzone napięcie wyjściowe U

WYskut

 zapisz w tabelach. 

[Hz] 

200 

500 

1k 

2k 

5k 

8k 

10k 

12k 

15k 

20k 

U

WY SKUT

 

[V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 53 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

generator funkcji,  

 

poradnik dla ucznia, 

 

badany układ, 

 

przyrządy pomiarowe, 

 

przewody laboratoryjne, 

 

oscyloskop. 

 
 

4.9.4. Sprawdzian postępów    
 

   

 

 

 

Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  w oparciu o dokonane pomiary narysować charakterystykę 

przenoszenia? 

 

 

 

 

2)  w oparciu o dokonane pomiary narysować charakterystykę 

przenoszenia filtru LC? 

 

 

 

 

3)  dobrać zakresy pomiarowe przyrządów ? 

 

 

4)  zanalizować rolę poszczególnych elementów układu? 

 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 54 

4.10. Wzmacniacze selektywne 
 

4.10.1. Materiał nauczania 

 

 

 

 

 

 

 

Wzmacniacze  selektywne  zwane  również  rezonansowymi,  strojonymi,  pasmowymi, 

wzmacniają sygnały w określonym paśmie, wokół określonej częstotliwości rezonansowej  f

0

 

i skutecznie tłumią sygnały leżące poza tym pasmem. 
Wzmacniacze selektywne dzieli ze względu na moc wyjściową na: wzmacniacze mocy w.cz., 
wzmacniacze napięciowe w.cz. do wzmacniania małych sygnałów. 

 

Rys. 55.

 

Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza selektywnego:  

1 – idealnego, 2 – rzeczywistego. 

 

 

 

Rys. 56. Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza nieselektywnego. 

 

 

Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza selektywnego jest przesunięta w pobliże 

częstotliwości f

0

 (

Rys. 56

 ). Względne wzmocnienie napięciowe jest największe przy tej 

częstotliwości. Znaczy to, że wzmacniacz wykazuje właściwości selektywnego wzmocnienia 
określonego pasma częstotliwości. 

Selektywność wzmacniacza określa jego zdolność do eliminowania sygnałów 

niepożądanych.  

 

Rys. 57. Przykładowa charakterystyka amplitudowa wzmacniacza selektywnego.

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 55 

Parametry wzmacniaczy selektywnych: 

 

K

u

  –  wzmocnienie  –  jest  to  stosunek  amplitudy  sygnału  wyjściowego  do  amplitudy 

sygnału wejściowego, 

 

f

0 

 

częstotliwość środkowa – częstotliwość przy której występuje maksymalne tłumienie 

(dla filtru) lub wzmocnienie (dla wzmacniacza), 

 

Q  –  dobroć  –  określa  selektywność  charakterystyki  filtru  (lub  wzmacniacza)  i  jest 
stosunkiem  częstotliwości  środkowej  do  szerokości  pasma  przy  3-decybelowym  spadku 
wzmocnienia.  

 

 

 

O  przebiegu  charakterystyki  częstotliwościowej  wzmacniacza  selektywnego  decydują 
elementy selektywne. Jako elementy selektywne stosuje się obwody LC. 

 
4.10.2. Pytania sprawdzające 

 
Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jak zdefiniujesz wzmacniacz selektywny? 
2.  Jaki kształt ma charakterystyka amplitudowa? 
3.  Jakie są parametry wzmacniaczy selektywnych?  
4.  Jak zdefiniujesz selektywność wzmacniacza? 

 
 

4.10.3. Ćwiczenia   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Ćwiczenie 1 

Wykonaj badanie wzmacniacza selektywnego. 

 
 
 
 
 
 
 
 

Rys. 58. Schemat układu pomiarowego. 

 

Tabela 25.  Pomiar charakterystyki przenoszenia 

f

0 

…………………………….. 

U

WE 

 

 

U

WEmax 

U

WY 

 

 

U

WYmax 

 

Tabela 26. 

U

we 

…………………………………………… 

f [kHz] 

 

f

0

/2 

 

f

0

 

 

2f

0 

 

U 

wy

 [V] 

 

 

 

 

 

 

 

k[V/V

 

 

 

 

 

 

 

GENERATOR 

R

U

we 

BADANY 

WZMACNIACZ 

OSCYLOSKOP 

V

 

U

wy 

W1 

W2 

GND 

R

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 56 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  wykonać  pomiary  –  częstotliwości  przenoszenia  f

0, 

zakresu  przetwarzanych  napięć 

WE max

 , U

WYmax, 

wzmocnienia k 

2)  przy  napięciu  wejściowym  nie  powodującym  przesterowania  wzmacniacza,  ustalić 

w generatorze częstotliwość  f

0

 przy której uzyskuje się  maksymalne  napięcie na wyjściu 

wzmacniacza, 

3)  na  podstawie  obserwacji  na  ekranie  oscyloskopu  obrazu  napięcia  wyjściowego 

wzmacniacza  ustalić    taką  jego  wartość,  przy  której  nie  występują  zauważalne 
zniekształcenia, 

4)  w ustalonym zakresie pracy wzmacniacza wykonać pomiary wzmocnienia, 
5)  wykonać pomiar charakterystyki przenoszenia: 

 

ustalić  napięcie  wejściowe  o  częstotliwości  f

0

  i  wartości  nie  powodującej 

przesterowania wzmacniacza, 

 

dla wybranych częstotliwości , przy stałej wartości  napięcia  wejściowego wykonać 
pomiary  napięć  wyjściowych.  Punkty  pomiarowe  powinny  być  zagęszczone 
w pobliżu f

0.

 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

katalog elementów elektronicznych, 

 

badany wzmacniacz,  

 

generator, oscyloskop, przyrządy pomiarowe. 

 
4.10.4. Sprawdzian postępów   

 

 

 

 

 

 
Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  określić częstotliwości graniczne wzmacniacza? 

 

 

2)  zapisać zakres przetwarzanych napięć? 

 

 

3)  obliczyć współczynnik wzmocnienia? 

 

 

4)  zapisać wartość współczynnika wzmocnienia w decybelach? 

 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 57 

4.11. Generatory napięć sinusoidalnych 
 

4.11.1. Materiał nauczania 
 

 

 

 

 

 

 

Generator  to  urządzenie  przetwarzające  energię  prądu  stałego  na  energię  prądu 

zmiennego.  Generatory  są  układami  służącymi  do  wytwarzania  zmiennych  przebiegów 
elektrycznych  bez  konieczności  doprowadzania  z  zewnątrz  jakiegokolwiek  sygnału 
pobudzającego. Przetwarzają energię prądu stałego (z zasilacza) na energię drgań. 
 

Generatory  można  podzielić  na  dwie  zasadnicze  grupy  w  zależności  od  kształtu 

generowanego przebiegu:  

 

generatory drgań sinusoidalnych  

 

generatory  drgań  niesinusoidalnych  (generatory  relaksacyjne)  –  np.  o  przebiegu 
prostokątnym, trójkątnym itp.  

 

Generatory sinusoidalne LC są zbudowane ze wzmacniacza odwracającego fazę objętego 

pętlą  sprzężenia  zwrotnego  zawierającego  obwód  rezonansowy  LC,  którego  zadaniem  jest 
przesunięcie fazy o dalsze 180

o

 (czyli w sumie o 360

o

 - sprzężenie jest wtedy dodatnie) tylko 

dla wybranej częstotliwości, określonej parametrami tego obwodu.  
 

Spełnienie  warunku  fazy  i  amplitudy  można  osiągnąć  przez  odpowiedni  podział 

reaktancji  obwodu  LC  lub  za  pomocą  sprzężenia  transformatorowego.  Rozróżnia  się 
następujące podstawowe układy generatorów LC:  

 

z dzieloną indukcyjnością (układ Hartleya);  

 

 

Rys. 58. Generator Hartleya. 

 

 

z dzieloną pojemnością (układ Colpittsa); 

 

 

Rys. 59. Generator Hartleya. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 58 

 

ze sprzężeniem transformatorowym (układ Meissnera).  

 

 

Rys. 60. Generator Meissnera.

 

 
Generatory kwarcowe.  
 

Jeżeli  jest  wymagana  bardzo  dobra  stabilność  pracy  generatora,  to  stosuje  się  element 

stabilizujący  częstotliwość  drgań  -  rezonator  piezoelektryczny  (kwarcowy)  lub  ceramiczny. 
Działanie  rezonatora  piezoelektrycznego  (najczęściej  kwarcowego)  polega  na  sprzężeniu 
mechanicznych drgań płytki kryształu z jego właściwościami elektrycznymi, tj. napięciem na 
przyłączonych  do  płytki  elektrodach..  Dobroć  rezonatorów  kwarcowych  jest  ok.  100  razy 
większa  niż  konwencjonalnych  układów  LC  i wynosi  10

4

...10

5

.  Stabilność  drgań  jest  bardzo 

duża i w znikomym stopniu zależy od temperatury.  
 

 

 

Rys. 61.

 

Schemat blokowy generatora. 

 
 

Dla  podtrzymania  drgań  w  generatorze  wymagane  jest  spełnienie  niezależnie  dwóch 

warunków: fazy i amplitudy.  

 

warunek  fazy  –  musi  zachodzić  zgodność  fazy  sygnałów  na  wejściu  i  wyjściu 
wzmacniacza tzn.: 

ϕ

we

 + 

ϕ

wy

 = 0 + n × 360

o

, (n = 0, 1, ...)  

 

warunek  amplitudy  –  ma  postać:  K

β

  =  1  (wtedy  wzmacniacz  staje  się  układem 

niestabilnym: 1 - K

β

 = 0).  

Częstotliwość  oscylacji  generatora  można  obliczyć  w  ten  sam  sposób  jak  częstotliwość 

obwodu rezonansowego f = 1/2Π LC 
W  takim  przypadku  wzmacniacz  całkowicie  kompensuje  tłumiące  działanie  obwodu 
sprzężenia zwrotnego. Generator sam dostarcza na wejście sygnał podtrzymujący drgania.  

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 59 

4.11.2. Pytania sprawdzające 
 

Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jakie znasz rodzaje generatorów? 
2.  Jakiego rodzaju drgania wytwarza generator? 
3.  Jaki warunek należy spełnić aby podtrzymać drgania w generatorze?  
4.  Co powoduje sprzężenie zwrotne? 

 
4.11.3. Ćwiczenia   
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ćwiczenie 1   

 

Wykonaj  badanie  generatora  przebiegu  sinusoidalnego  z  dodatnim  sprzężeniem 

zwrotnym. 

 

 

 

Rys

.

 62. 

U

kład pomiarowy. 

 

Tabela 27. 

[Hz ] 

10 

…………………… 

20 000 

wy 

[ V ] 

 

 

 

φ 

 

 

 

 

Tabela 28. 

β

 1 

β

 2 

β

 3 

f [ kHz ]  

 

 

 

wy

 [ V ] 

 

 

 

R 

wy

 [ kΩ ] 

 

 

 

 

Tabela 29. Badanie wpływu napięcia zasilania na częstotliwość i napięcie wyjściowe. 

 

 

 

znam

 [ kHz ]  

 

 

 

f

 

oblicz

 [ kHz ] 

 

 

 

f [ kHz ] 

 

 

 

 

Tabela 30. 

 

 

  
 
 
 
 
 

[V] 

 

 

 

wyj 

[V] 

 

 

 

f [kHz] 

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 60 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

1)  określić tłumienie i przesunięcie fazowe 

2)  wyznaczyć wpływ współczynnika sprzężenia zwrotnego  β na: 

 

częstotliwość f, 

 

napięcie wyjściowe U

wyj,

 

 

rezystancję wyjściową R

wyj,

 

3)  obliczyć częstotliwość generowanych przebiegów, 

4

2

1

LaC

f

Π

=

 

4)  zasilić generator (rys. 62.),  
5)  określić wzmocnienie graniczne ku, 
6)  na wejście wzmacniacza włączyć generator sinusoidalny 1kHz, 20mV. Zmierzyć napięcie 

na wyjściu wzmacniacza. 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

generator, 

 

zasilacz, 

 

oscyloskop, 

 

miernik częstotliwości, 

 

miernik zniekształceń. 

 
 

4.11.4. Sprawdzian postępów   

 

 

 

 

 

 
Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  określić parametry badanego generatora? 

 

 

2)  dobrać zakresy przyrządów pomiarowych? 

 

 

3)  ocenić jakość badanego układu na podstawie pomiarów? 

 

 

4)  wykreślić charakterystyki? 

 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 61 

4.12. Stabilizatory 
 

4.12.1. Materiał nauczania 

 

 

 

 

 

 

 

Napięcie  i prąd zasilaczy sieciowych zmieniają  się, gdy zmienia się  napięcie wejściowe, 

chociażby  na  skutek  wahań  napięcia  sieciowego. Jeżeli  zależy  nam  na  stałej  wartości  prądu 
lub napięcia zasilającego odbiornik, wówczas konieczna jest stabilizacja. 
 
Podstawowy układ parametrycznego stabilizatora napięcia 
 

 

 

Rys. 63

 

Schemat stabilizatora parametrycznego [6]. 

 

Podstawową  funkcją  stabilizatora  jest  zapewnienie  dostatecznie  stabilnego  napięcia. 

Często,  stabilizator  jest  poprzedzony  zasilaczem  sieciowym  (transformator,  prostownik 
i filtr). 

Z funkcji układu wynikają jego podstawowe parametry.  

 

nominalne  napięcie  wyjściowe  U

WY

  – zwykle podaje  się  je przy  braku  obciążenia, albo 

przy określonym prądzie obciążenia  

 

 

maksymalny prąd wyjściowy I 

wy max

 stabilizatora.  

 

minimalne  napniecie  zasilania,  U

ZMIN

  stabilizatora,  przy  którym  dany  stabilizator  może 

już poprawnie działać.  

 

rezystancja wyjściowa R

wy

. Rezystancja wyjściowa stabilizatora jest  miarą  „podatności” 

układu na wpływ obciążenia.  

 

współczynnik stabilizacji S

U

, który określa „podatność” stabilizatora na zmiany  napięcia 

zasilania.  

 

sprawność  –  czyli  moc  przekazana  do  obciążenia  w  stosunku  do  mocy  dostarczonej  do 
stabilizatora  

 
Stabilizator z diodą Zenera (parametryczny). 
 

Stabilizator  z  diodą  Zenera  stosowany  jest  bardzo  często,  zwłaszcza  w  przypadkach 

układów o  małym  poborze  prądu  i  dużej  tolerancji  napięcia zasilania.  Bywa  stosowany  jako 
zasilacz lokalny.  

 
Stabilizatory liniowe 

 

Najprostszym  stabilizatorem  napięcia  jest  układ  z  wykorzystaniem  diody  Zenera, 

pokazany  na  rysunku.  Takie  i  podobne  układy  nazywane  są  również  stabilizatorami 
parametrycznymi. 

Zmiany  napięcia  wejściowego  pociągają  za  sobą  zmiany  prądu  diody,  to  jednak  nie 

pociąga  za sobą  dużych  zmian  napięcia wyjściowego Można przyjąć, że pozostaje ono stałe 
i równe napięciu Zenera U

Z

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 62 

 

 

Rys. 64 [7].

   

 

 

 

 

 

 

Rys.65 [7].

 

 
Stabilizator z wtórnikiem emiterowym 

 

Prosty  układ  z  diodą  Zenera  można  rozmaicie  modyfikować  i  uzupełniać,  w  celu 

poprawienia  parametrów.  Dodanie  wtórnika  emiterowego  na wyjściu  układu  z  diodą  Zenera 
poprawia  obciążalność  stabilizatora.  Dodanie  wtórnika  nie  zmienia  współczynnika  SU  – 
wpływ zmian napięcia zasilania na obwód z DZ jest tu identyczny. Prąd obciążenia nie płynie 
już  przez  obwód  zasilania  DZ,  tylko  jest  pobierany  poprzez  tranzystor  wprost  z zasilania, 
odciążając obwód diody Zenera. Dzięki temu warunki pracy DZ w tym układzie bardzo mało 
zależą od obciążenia R. 

 

 

Scalone stabilizatory napięcia  

 

Typowymi przedstawicielami takich stabilizatorów są układy rodziny 7800. Ostatnie dwie 

cyfry to wartość napięcia wyjściowego, która może być równa : 5,6,8,10,12,15,18,24 V.  
 

 

 

Rys. 66.

 

Stabilizator napięcia na układzie scalonym 7805 [7].

 

 
4.12.2. Pytania sprawdzające 

 
Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 

1.  Jakie znasz rodzaje stabilizatorów? 
2.  Jakie są parametry stabilizatora? 
3.  Jaka jest charakterystyka stabilizatora?  
4.  Jakie są różnice w działaniu różnych rodzajów stabilizatorów? 
5.  Jakie znasz przykłady stabilizatorów na układach scalonych?

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 63 

4.12.3. Ćwiczenia   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
Ćwiczenie 1   

 

Wykonaj badanie stabilizatora parametrycznego. 

 

 

Rys. 67.

  

Układ do badania stabilizatora napięcia stałego.

 

 

Tabela 31.  Pomiar charakterystyk wyjściowych U

2

= f(U

1

 

U

I

I

3

 

U

I

Lp. 

mA 

mA 

1. 

 

 

 

 

 

………. 

 

 

 

 

 

8. 

 

 

 

 

 

 

Tabela 32.  Pomiary charakterystyk obciążenia U

2

=f(I

2

) 

 

 

 

 

 

 
Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś:  

1)  dokonać oględzin stabilizatora określając jego oznaczenie, rodzaj obudowy, 
2)  zapoznać się z danymi katalogowymi,  
3)  dokonać pomiaru charakterystyk wyjściowych, 
4)  wykonać pomiary charakterystyk obciążenia, 
5)  w układzie z rys. 67 wyznaczyć charakterystyki stabilizatora, 
6)  wyniki pomiaru zapisać w tabeli 31 i 32. 
 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

badany stabilizator, 

 

przyrządy pomiarowe. 

 

U

I

I

3

 

U

I

η 

Lp. 

mA 

mA 

1. 

 

 

 

 

 

 

………. 

 

 

 

 

 

 

8. 

 

 

 

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 64 

Ćwiczenie 2 

Wykonaj badanie stabilizatora wtórnikowego. 

 

Rys. 68

  

Układ pomiarowy badanego stabilizatora.

 

Tabela 33. 

Job [mA]  

 

 

 

 

 

 

 

 

Uwyj[V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tabela 34.

 

Uwe [V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uwy[V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie, powinieneś: 

 

zapoznać się z danymi katalogowymi badanego tyrystora, 

 

zestawić układ pomiarowy, 

 

wyznaczyć charakterystyki zmienności obciążeniowe stabilizatora U

wy

 = f(I

obc

),   

 

pomiary wykonać dla  zadanych przez  nauczyciela wartości  napięć wejściowych. Ustalić 
z nauczycielem l

OBCmax

  Wyniki pomiarów zapisać w tabelach.  

 

wyznaczyć charakterystyki zmienności wejściowej stabilizatorów napięcia U

wy

 = f(U

we

). 

Pomiar  wykonać  dla  zadanych  przez  nauczyciela  wartości  prądu  obciążenia.  Wyniki 
pomiarów zapisać w tabelach.  

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

badany stabilizator, 

 

przyrządy pomiarowe.  

 
Ćwiczenie 3 

Wykonaj badanie stabilizatora ze wzmacniaczem operacyjnym  µA 741. 
 

 

 

Rys 69.

 

Układ  pomiarowy.

 

 

 

 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 65 

Tabela 35. Charakterystyka zmienności obciążeniowej. 

Job  [mA] 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uwyj 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 Tabela 36. Charakterystyka zmienności wejściowej.

 

Uwe [V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uwy [V] 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sposób wykonania ćwiczenia 
 
Aby wykonać ćwiczenie powinieneś: 

1)  zapoznać się z danymi katalogowymi badanego tyrystora, 
2)  zestawić układ pomiarowy, 
3)  wyznaczyć: 

  charakterystyki zmienności obciążeniowej stabilizatorów napięcia Uwy = f(Iobc), 

  charakterystyki zmienności wejściowej stabilizatorów napięcia  Uwy = f(Uwe). 

 

Wyposażenie stanowiska pracy: 

 

poradnik dla ucznia, 

 

badany stabilizator, 

 

przyrządy pomiarowe. 

 

4.12.4. Sprawdzian postępów   

 

 

 

 

 

 
Czy potrafisz: 

Tak 

Nie 

1)  dobrać z katalogu parametry stabilizatora? 

 

 

2)  dobrać zakresy przyrządów pomiarowych? 

 

 

3)  określić zakresy zmienności parametrów? 

 

 

4)  podać inne przykłady stabilizatorów? 

 

 

 

 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 66 

5.  SPRAWDZIAN  OSIĄGNIĘĆ         

 
INSTRUKCJA DLA UCZNIA     
     

 

1.  Przeczytaj uważnie instrukcję. 
2.  Zapoznaj się z zestawem zadań testowych. 
3.  Udzielaj odpowiedzi na załączonej karcie odpowiedzi. 
4.  Test składa się z 22 pytań. 
5.  Za każde poprawnie rozwiązane zadanie uzyskasz 1 punkt. 
6.  Dla każdego zadania podane są cztery możliwe odpowiedzi: A, B, C, D. 
7.  Tylko jedna odpowiedź jest poprawna. 
8.  Wybraną odpowiedz zakreśl kółkiem. 
9.  Staraj  się  wyraźnie  zaznaczać  odpowiedzi.  Jeżeli  się  pomylisz  i  błędnie  zaznaczysz 

odpowiedź, otocz ją kółkiem i zaznacz odpowiedź, którą uważasz za prawdziwą. 

10.  Przed wykonaniem każdego zadania przeczytaj bardzo uważnie polecenie.  

Powodzenia! 

 

 

Po  rozwiązaniu  testu,  sprawdź  swoje  wyniki  razem  z  kolegą  lub  nauczycielem, 

a następnie sprawdź w tabeli, poniżej, jaki stopień mógłbyś  sobie wystawić. Ogółem  możesz 
uzyskać 22 punkty.

 

 
 
 
ZESTAW  ZADAŃ TESTOWYCH

      

         

 

1.  Parametrami charakteryzującymi i diody prostowniczej są 

a)  napięcie przewodzenia, prąd wsteczny, wsteczne napięcie pracy. 
b)  maksymalny prąd przewodzenia, szczytowe napięcie wsteczne. 
c)  rezystancja w kierunku przewodzenia, rezystancja w kierunku zaporowym. 
d)  napięcie przewodzenia, prąd wsteczny, rezystancja w kierunku przewodzenia. 
 

2.  Tranzystor bipolarny pracuje jako wzmacniacz w układach 

a)  wspólnej bazy. 
b)  wspólnego emitera. 
c)  wspólnego kolektora. 
d)  wspólnej bazy, wspólnego emitera, wspólnego kolektora. 
 

3.  Charakterystyka wyjściowa tranzystora to zależność 

a)  I

C

 = f( U

CE

 ). 

b)  I

C

 = f( U

BE

 ). 

c)  I

B

 = f( U

BE

 ). 

d)  I

C

 = f(I

B

 ). 

 

4.  Charakterystyka wejściowa tranzystora w układzie WB to 

a)  wykres prądu emitera w funkcji napięcia stałego między emiterem i bazą. 
b)  wykres prądu bazy w funkcji napięcia baza – emiter. 
c)  wykres prądu kolektora w funkcji napięcia kolektor – emiter. 
d)  wykres prądu kolektora w funkcji prądu bazy. 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 67 

5.  Charakterystyka robocza tranzystora to wykres 

a)  przedstawiający charakterystyki z uwzględnieniem rezystancji obciążenia. 
b)  charakterystyk przejściowych. 
c)  charakterystyk wyjściowych. 
d)  charakterystyk zwrotnych. 

 
6.  Elektrody w tranzystorze polowym oznaczone są 

a)  S – źródło, G – bramka, D – dren. 
b)  B – baza, C – kolektor, E – emiter. 
c)  S – źródło, B – baza, D – dren. 
d)  G – bramka, S – źródło, E – emiter. 

 

7.  Charakterystyka wyjściowa tranzystora polowego to zależność 

a)  prądu drenu (I

D

) od napięcia dren-źródło (U

DS

). 

b)  napięcia bramka-źródło (U

GS

) od napięcia bramka-źródło (U

GS

). 

c)  prądu drenu (I

D

) od napięcia bramka-źródło (U

GS

). 

d)  prądu drenu (I

D

) od napięcia dren-źródło. 

 

8.  Istotną zaletą fotodiody jest  

a)  duża częstotliwość pracy. 
b)  mała częstotliwość pracy. 
c)  zależność prądu fotodiody od temperatury. 
d)  odporność na temperaturę. 

 

9.  Tranzystor pracujący w układach analogowych musi być  

a)  w stanie aktywnym. 
b)  w stanie zatkania. 
c)  w stanie nasycenia. 
d)  w stanie zatkania lub nasycenia. 

 

10.  Tranzystor pracujący w układach cyfrowych musi być  

a)  w stanie aktywnym. 
b)  w stanie zatkania. 
c)  w stanie nasycenia. 
d)  w stanie zatkania lub nasycenia. 

 

11.  Rezystancja fotorezystora zależy 

a)  od kierunku przyłożonego napięcia. 
b)  od kierunku promieniowania. 
c)  nie zmienia się. 
d)  zmniejsza się ze wzrostem natężenia oświetlenia. 

 

12.  Prostowanie przebiegów elektrycznych to proces, w wyniku którego 

a)  wejściowy  przebieg  dodatni  i  ujemny  zostaje  przekształcony  w  przebieg  jednego 

znaku. 

b)  wejściowy przebieg pozostaje na wyjściu bez zmian. 
c)  wejściowy przebieg jest na wyjściu odwrócony. 
d)  wejściowy przebieg na wyjściu jest wartością stałą. 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 68 

13.  Współczynnik tętnień prostownika to 

a)  stosunek  wartości  skutecznej  składowej  zmiennej  napięcia  na  wyjściu  prostownika 

do wartości stałej. 

b)  stosunek wartości średniej do wartości stałej. 
c)  stosunek wartości szczytowej do wartości stałej. 
d)  stosunek wartości międzyszczytowej do wartości stałej. 

 
14.  Sprawność napięciowa prostownika, to 

a)  skuteczność układu prostownika przy zmianie napięcia zmiennego na napięcie stałe, 
b)  stosunek mocy wejściowej do mocy wyjściowej, 
c)  stosunek napięcia wyjściowego do wejściowego, 
d)  stosunek prądu wyjściowego do wejściowego. 

 

15.  Częstotliwość tętnień prostownika, to 

a)  częstotliwość podstawowa składowej zmiennej na wyjściu prostownika 
b)  częstotliwość graniczna składowej zmiennej prostownika 
c)  częstotliwość dolna składowej zmiennej prostownika,  
d)  częstotliwość górna składowej zmiennej prostownika 

 

16.  Zadaniem filtru umieszczonego na wyjściu układu prostowniczego, jest 

a)  zmniejszenie tętnień w napięciu wyprostowanym 
b)  stabilizacja prądu na wyjściu prostownika 
c)  stabilizacja napięcia na wyjściu prostownika 
d)  stabilizacja mocy na odbiorniku 

 

17.  Wzmocnienie napięciowe, to 

a)  stosunek wartości średniej napięcia na wyjściu do wartości średniej na wejściu, 
b)  stosunek wartości skutecznej napięcia na wyjściu do napięcia na wejściu, 
c)  stosunek wartości chwilowej napięcia na wyjściu do napięcia na wejściu, 
d)  wszystkie odpowiedzi 

 
18.  Wykres obrazujący zależność wzmocnienia od częstotliwości sygnału doprowadzonego 

na wejście wzmacniacza, to 
a)  charakterystyka częstotliwościowa wzmacniacza. 
b)  charakterystyka amplitudowa. 
c)  charakterystyka fazowa. 

 

19.  Selektywność wzmacniacza określa jego zdolność do 

a)  eliminowania sygnałów niepożądanych, 
b)  wzmacniania napięć w określonym zakresie wartości, 
c)  wzmacniania sygnału w określonym przedziale, 
d)  stabilizacji częstotliwości w określonym przedziale. 

 

20.  Współczynnik stabilizacji S stabilizatora to  

a)  iloraz zmiany napięcia wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, 
b)  zakres zmian prądu wyjściowego, 
c)  zakres stabilizacji, 
d)  zakres regulacji napięcia wyjściowego. 

 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 69 

21.  Warunkiem generacji drgań jest  

a)  spełnienie warunku fazy i amplitudy. 
b)  spełnienie warunku amplitudy. 
c)  spełnienie warunku fazy. 
d)  k

β 

› 1. 

 

22.  Jednym z parametrów charakterystycznych wzmacniacza operacyjnego jest 

a)  bardzo duże wzmocnienie napięciowe. 
b)  małe wzmocnienie napięciowe. 
c)  nieskończenie duże wzmocnienie napięciowe. 
d)  stałe wzmocnienie napięciowe. 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 70 

KARTA ODPOWIEDZI 

 
 

Imię i nazwisko.......................................................................................... 

 
Badanie i pomiary układów analogowych stosowanych w telekomunikacji 

 

 
Zakreśl poprawną odpowiedź.

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

Nr 

zadania 

Odpowiedź 

Punkty 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 

 

11 

 

12 

 

13 

 

14 

 

15 

 

16 

 

17 

 

18 

 

19 

 

20 

 

21 

 

22 

 

Razem:   

 
 

background image

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego” 

 71 

6. LITERATURA

   

 

               

 

1.  Chwaleba A.: Elektronika WSiP, Warszawa 1996 
2.  Chwaleba  A.,  Moeschke  B.,  Pilawski  M.:  Pracownia  elektroniczna.  Cz.1  i  2.  WSiP, 

Warszawa 1998 

3.  Filipkowski A.: Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe. WNT, Warszawa 2006 
4.  Grabowski L.: Pracownia elektroniczna. Cz. 1 i 2. WSiP, Warszawa 1997.  
5.  Horowitz P., Winfield H.: Sztuka elektroniki. Cz. 1 i 2. WKiŁ 2003 
6.  Kuta S.: Elementy i układy elektroniczne. Cz. 1 i 2. Uczelniane Wydawnictwa Naukowo- 

-Dydaktyczne Akademii Górniczo-Hutniczej, Kraków 2000 

7.  Pióro B., Pióro M.: Podstawy elektroniki. Cz. 1 i 2. WSiP, Warszawa 1996 
8.  Rusek A., Podstawy elektroniki .WSiP, Warszawa 1994 
9.  Tietze U.: Układy półprzewodnikowe. WNT, Warszawa 1997 
 
 
Czasopisma: 
1.  Radioelektronik Audio-HiFi Video 9/2002 
2.  Elektronika dla Wszystkich 6/96 01/2000  
 
 
Strony internetowe: 
1.  http://www.imne.pwr.wroc.pl/SkryptME/CW35.htm 
2.  http://www.elektroda.net/warsztatowe/index.html