background image

I

E

 [mA]

0

I

E

I

C1

I

C

 [mA]

I

C2

U

CB

= -20V

U

CB

= -10V

I

C

=f(I

E

)

U

CB

=const.

Charakterystyki  przejściowe  w  układzie  OB

(tranzystor p – n – p).

I

CB0

-U

CB 

[V]

0

10V

U

EB

 [V]

1V

I

E

=1mA

U

EB

=f(U

CB

)

 I

E

=const.

Charakterystyki  oddziaływania  wstecznego  tranzystora

w  układzie  OB   (tranzystor p – n – p).

I

E

=0,5mA

I

E

=0