1
Projekt współfinansowany przez Uni
ę
Europejsk
ą
w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
In
ż
ynieria wytwarzania
Dr in
ż
. Andrzej Kubiak
1.
Definicje mikro- i nanotechnologii
2.
Zagadnienia utrzymania czysto
ś
ci w procesach mikro- i
nanotechnologii
3.
Materiały półprzewodnikowe – własno
ś
ci, wytwarzanie,
obróbka mechaniczna
4.
Trawienie materiałów półprzewodnikowych
5.
Technologia procesów fotolitografii
6.
Domieszkowanie półprzewodników
7.
Wytwarzanie nowych warstw. Tlenek krzemu.
8.
Osadzanie pró
ż
niowe cienkich warstw.
9.
Osadzanie chemiczne z fazy lotnej
10. Monta
ż
i hermetyzacja struktur
11. Struktury mechatroniczne
In
ż
ynieria wytwarzania
Dr in
ż
. Andrzej Kubiak
1.
Definicje mikro- i nanotechnologii
2.
Zagadnienia utrzymania czysto
ś
ci w procesach mikro- i
nanotechnologii
3.
Materiały półprzewodnikowe – własno
ś
ci, wytwarzanie,
obróbka mechaniczna
4.
Trawienie materiałów półprzewodnikowych
5.
Technologia procesów fotolitografii
6.
Domieszkowanie półprzewodników
7.
Wytwarzanie nowych warstw. Tlenek krzemu.
8.
Osadzanie pró
ż
niowe cienkich warstw.
9.
Osadzanie chemiczne z fazy lotnej
10. Monta
ż
i hermetyzacja struktur
11. Struktury mechatroniczne
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
2
Półprzewodniki - substancje (najcz
ęś
ciej krystaliczne), których
przewodno
ść
wynosi 10
-8
…10
6
S/m (warto
ś
ci pomi
ę
dzy przewodnikami
a dielektrykami)
Podstawowe cechy:
-
bardzo silna zale
ż
no
ść
konduktywno
ś
ci od koncentracji domieszek
-
wyst
ę
powanie dwóch rodzajów no
ś
ników ładunku: elektronów i dziur.
Materiały półprzewodnikowe
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
3
Materiały półprzewodnikowe
Pierwiastki grupy IV:
- german (Ge)
- krzem (Si)
- w
ę
giel (C)
Zwi
ą
zki grupy IV:
- w
ę
glik krzemu (4H-SiC, 6H-SiC)
-krzemogerman (SiGe)
Zwi
ą
zki pierwiastków grup III – V:
- arsenek galu (GaAs)
- azotek galu (GaN)
- fosforek galu (GaP)
- fosforek Indu (InP)
- antymonek indu (InSb)
Zwi
ą
zki pierwiastków grupy II – VI:
- tellurek kadmu (CdTe)
- siarczek kadmu (CdS)
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
4
Materiały półprzewodnikowe
II III IV V VI
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
5
Materiały półprzewodnikowe
Parametr
Jednostki
Ge
Si
GaAs
4H/6H-
SiC
InP
GaN
GaP
Diament
Pasmo
wzbronione
[W
g
]
eV
0,67
1,11
1,43
3,2/2,9
1,35
3,45
2,24
5,45
Stała
dielektryczna
[
εεεε
r
]
-
16
11,8
12,9
9,7
12,5
9
11
5,5
Nat
ęż
enie pola
elektrycznego
E
max
⋅⋅⋅⋅
10
5
V/cm
1
3
6,0
35/20
~ 5
~ 10
4,5
~ 10
2
Maksymalna
pr
ę
dko
ść
unoszenia
elektronów
[V
s
]
⋅⋅⋅⋅
10
7
cm/s
1
1
1
2
1
2,2
1,5
2,7
Ruchliwo
ść
elektronów [
µµµµ
n
]
cm
2
/V
⋅
s
3900
1350
6000
800/380
4000
1250
250
2200
Ruchliwo
ść
dziur [
µµµµ
p
]
cm
2
/V
⋅
s
1900
450
330
120/95
540
850
150
1600
Przewodno
ść
cieplna [
λλλλ
]
W/cm
⋅
K
0,6
1,5
0,46
4,9
4,9
1,3
0,7
22
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
6
Materiały półprzewodnikowe
Półprzewodnik
Maksymalna temperatura
pracy
Si
~ 200
°
C
Si (SOI)
~ 400
°
C
GaAs
~ 400
°
C
6H-SiC
~ 800
°
C
GaN
~ 1000
°
C
Diament
> 1000
°
C
Ograniczenia temperatury pracy półprzewodników
wynikaj
ą
ce z koncentracji samoistnej no
ś
ników n
i
2
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
7
Otrzymywanie podło
ż
y monokrystalicznych
Dzisiaj wielkim pytaniem jest: w jaki sposób problem wysokiej
temperatury zostanie rozwiązany?
W co należy zainwestować?
Jedynym podejściem jest logiczna sekwencja, którą tu widzimy:
Ge, Si, SiC, C w tej kolejności ...
Sytuacja SiC cierpi z tego samego powodu, który robi go tak
dobrym materiałem. Wiązanie jest bardzo silne i dlatego wszystkie
procesy przeprowadzane są w bardzo wysokich temperaturach ...
Problemy materiałowe będą szeroko rozwiązywane.
Być może pewnego dnia ... Duże pojedyncze kryształy węglika
krzemu będą wzrastać łatwo ...
(Schockley, 1959)
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
8
Materiały półprzewodnikowe
Długo
ść
fali [nm]
Możliwości zastosowań różnych związków trój- i czteroskładnikowych do
konstrukcji diod LED w zależności od długości fali
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
9
Otrzymywanie podło
ż
y monokrystalicznych
Roczna
ś
wiatowa produkcja monokryształów w roku 2007 to około
25 000 ton (Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe, …). Ponad połowa tej
produkcji zu
ż
ywana jest przez przemysł półprzewodnikowy.
Metody otrzymywania kryształów:
- z fazy stałej - w wyniku przemiany fazowej w stanie stałym ( np. w
przemianach metamorficznych w procesach geologicznych)
- z fazy ciekłej - przez bezpo
ś
redni
ą
krystalizacj
ę
cieczy,
odparowanie, przez „wyci
ą
ganie” monokryształu ze stopionego
materiału (np. produkcja kryształów Si, Ge, GaAs metod
ą
Czochralskiego)
- z fazy pary - przez sublimacj
ę
, metod
ą
gazowego transportu
chemicznego (np. produkcja monokryształów SiC)
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
10
Krzem – podstawowy materiał mikroelektroniki
• tlenek krzemu (kwarc, krzemionka)
• kwasy krzemowe (krzemiany)
• zwi
ą
zki z wodorem (silany)
• zwi
ą
zki z metalami (krzemki)
• SiC (karborund)
Potrzeby:
monokryształy w postaci płytek
o najwy
ż
szym stopniu czysto
ś
ci
i doskonało
ś
ci strukturalnej
Zasoby:
Krzem stanowi 27% skorupy ziemskiej
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
11
Wytwarzanie podło
ż
y krzemowych
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
12
Otrzymywanie krzemu polikrystalicznego
Ekstrakcja krzemu z SiO
2
����
SiO
2
+ 2C
⇒
Si + 2CO @ 1800 °C
��
SiO
2
+ SiC
⇒
Si + SiO (gaz) + CO
��
- zu
ż
ycie energii ~13 kWh na kg
- krzem o czysto
ś
ci 98%
Oczyszczanie (destylacja)
��
Si + 3HCl
⇒
SiHCl
3
+ H
2
w 300°C
��
- temperatura wrzenia trichlorosilanu: 31.8°C.
- zanieczyszczenia s
ą
mniej lotne ni
ż
trichlorosilan (w
rezultacie otrzymuje si
ę
poziom zanieczyszcze
ń
< 1ppb).
��
Redukcja trichlorosilanu w wodorze:
��
SiHCl
3
+ H
2
⇒
Si + 3HCl @1000 °C
- redukcja odbywa si
ę
jednocze
ś
nie ze wzrostem polikrystalicznego substratu
-polikryształ ro
ś
nie na powierzchni pr
ę
ta ogrzanego do 1000 °C
-otrzymuje si
ę
superczysty Si 99.999999999%
3
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
13
Otrzymywanie krzemu polikrystalicznego
- redukcja trichlorosilanu w wodorze
powoduje osadzanie (CVD)
polikrystalicznego krzemu w postaci pr
ę
tów
- szybko
ść
procesu: ok. 1kg/h
- mo
ż
liwo
ść
domieszkowania przy u
ż
yciu
odpowiednich prekursorów gazowych
(najcz
ęś
ciej truj
ą
cych i/lub wybuchowych)
- wymagana b. wysoka czysto
ś
ci i
precyzyjna kontrola przepływu gazów
h
tt
p
:/
/r
e
fe
re
n
c
e
.f
in
d
ta
rg
e
t.
c
o
m
/s
e
a
rc
h
/c
ry
s
ta
lli
n
e
%
2
0
s
ili
c
o
n
/
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
14
Otrzymywanie monokrystalicznych podło
ż
y Si
Wyci
ą
ganie monokryształu Si
- metoda Czochralskiego
- metoda topienia strefowego
Obróbka mechaniczna:
- obróbka całego monokryształu
- ci
ę
cie na pojedyncze podło
ż
a
- szlifowanie, polerowanie powierzchni
Czyszczenie i charakteryzacja monokryształów Si
-usuni
ę
cie zanieczyszcze
ń
z powierzchni podło
ż
y
- charakteryzacja własno
ś
ci geometrycznych i elektrycznych
- pakowanie
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
15
Metoda Czochralskiego (CZ)
Cechy procesu:
- temperatura: ok. 1400 °C
- osłona: Ar
- domieszki: B, P, As, Sb
- orientacja krystalograficzna zarodka
- podstawowa metoda wytwarzania
du
ż
ych monokryształów Si na
potrzeby mikroelektroniki
- o
rientacja krystaliczna -
wyznaczona przez orientacj
ę
zarodka
-
ś
rednica kryształu – okre
ś
lona
przez temperatur
ę
,szybko
ść
obrotu i wyci
ą
gania
http://www.sumcosi.com/english/laboratory/laboratory1.html
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
16
Metoda Czochralskiego (CZ)
Etapy wytwarzania monokryształu
h
tt
p
:/
/w
w
w
.s
u
m
c
o
s
i.
c
o
m
/e
n
g
lis
h
/l
a
b
o
ra
to
ry
/l
a
b
o
ra
to
ry
1
.h
tm
l
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
17
Metoda wytapiania strefowego (FZ – Flat Zone)
Zastosowanie:
oczyszczanie oraz wytwarzanie
monokryształów krzemu
o
ś
rednicy do 150mm
Dzi
ę
ki zjawisku segregacji mo
ż
na
zebra
ć
atomy zanieczyszcze
ń
na jednym ko
ń
cu monokryształu
mocowanie
polikrzem lub
monokryształ
zanieczyszczony
punkt topnienia
płynny krzem
grzałka RF
punkt krystalizacji
oczyszczony
monokryształ
zarodek
szyjka
mocowanie
zarodka
stożek końcowy
h
tt
p
:/
/r
e
fe
re
n
c
e
.f
in
d
ta
rg
e
t.
c
o
m
/s
e
a
rc
h
/c
ry
s
ta
lli
n
e
%
2
0
s
ili
c
o
n
/
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
18
Monokryształ krzemu
Efekt ko
ń
cowy:
bezdefektowy monokryształ Si
zawieraj
ą
cy zanieczyszczenia na
poziomie ppb lub nawet ppt
ppb – particle per billion (1 000 000 000)
ppt – particle per trillion (1 000 000 000 000)
h
tt
p
:/
/r
e
fe
re
n
c
e
.f
in
d
ta
rg
e
t.
c
o
m
/s
e
a
rc
h
/c
ry
s
ta
lli
n
e
%
2
0
s
ili
c
o
n
/
4
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
19
Obróbka mechaniczna monokryształu
- Odci
ę
cie sto
ż
kowych zako
ń
cze
ń
kryształu przy u
ż
yciu piły o ostrzu pokrytym
warstw
ą
diamentu (a)
- Zeszlifowanie kryształu do postaci cylindrycznej o okre
ś
lonej
ś
rednicy (b)
- Okre
ś
lenie orientacji sieci krystalicznej (np. za pomoc
ą
zjawiska dyfrakcji
promieni rentgenowskich)
- Wykonanie
ś
ci
ęć
głównych i pomocniczych (c)
http://cnx.org/content/m16627/latest/
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
20
Oznaczenie kierunków krystalograficznych
Ś
ci
ę
cia (flats):
• główne (primary) – wskazuje kierunek krystalograficzny {110}
• pomocnicze (secondary) – okre
ś
la płaszczyzn
ę
krystalograficzn
ą
powierzchni
oraz typ przewodnictwa (pomyłki s
ą
bardzo kosztowne!)
• dla płytek wi
ę
kszych ni
ż
200mm stosuje si
ę
naci
ę
cia typu V (notches)
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
21
Podło
ż
a krzemowe – ci
ę
cie
Wymagania:
• minimalna ilo
ść
odpadu
• minimalne uszkodzenia powierzchni płytek
• maksymalna szybko
ść
– produkcja
dzienna jednej fabryki to 10 000 płytek!
Urz
ą
dzenia:
- piła z ostrzem pier
ś
cieniowym
pokrytym warstw
ą
diamentow
ą
- piła z oscyluj
ą
cym drutem tn
ą
cym
(stosowana zwłaszcza do
monokryształów o du
ż
ych
ś
rednicach)
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
22
Podło
ż
a krzemowe - szlifowanie
Wymagania:
• usuni
ę
cie warstwy uszkodzonej podczas ci
ę
cia (kilkadziesi
ą
t µm)
• zapewnienie nominalnej grubo
ś
ci płytek (400 - 600 µm)
• zapewnienie płasko-równoległo
ś
ci płytek
− ±
1 µm na powierzchni ok. 1000cm
2
dla płytek o
ś
rednicy 300mm!
Metoda:
szlifowanie planetarne zawiesin
ą
wodn
ą
lub olejow
ą
Al
2
O
3
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
23
Podło
ż
a krzemowe - polerowanie
Wymagania: zapewnienie chropowato
ś
ci powierzchni poni
ż
ej 0.01 µm
(powierzchnia lustrzana).
- 2-3 etapowe polerowanie chemiczno-
mechaniczne (CMP) - chemiczne
trawienie nierówno
ś
ci poł
ą
czone ze
ś
cieraniem mechanicznym
-
ś
rodek poleruj
ą
cy: SiO
2
, woda
destylowana, wodorotlenek sodu
- w zale
ż
no
ś
ci od wymaga
ń
procesu
technologicznego polerowanie mo
ż
e by
ć
przeprowadzane na jednej b
ą
d
ź
obu
powierzchniach płytki krzemowej
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
24
Podło
ż
a krzemowe – oczyszczanie powierzchni
Celem jest usuni
ę
cie zanieczyszcze
ń
powierzchniowych powstałych
podczas wcze
ś
niejszych etapów ci
ę
cia, szlifowania, polerowania
poprzez:
-
powierzchniowe
trawienie krzemu i płukanie mi
ę
dzy kolejnymi
etapami
- mycie ko
ń
cowe - procedura RCA
Odczynniki:
- woda dejonizowana (DI)
- NH
3
- H
2
O
2
- NaOH
- HF
- HCl
- rozpuszczalniki organiczne
- detergenty
5
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
25
Podło
ż
a krzemowe – oczyszczanie powierzchni
Zako
ń
czenie
powierzchni
Główne efekty
Metoda mokra
RCA
4-6 warstw SiO
2
Usuni
ę
cie zanieczyszcze
ń
organicznych, metalicznych i
innych cz
ą
stek
HF
H
-
Usuni
ę
cie cz
ą
stek tlenu
Metoda sucha
HF + H
2
O
F
-
Usuni
ę
cie cz
ą
stek tlenu
UV-Ozone Cleaning
OH
-
, SiO
-
Usuni
ę
cie cz
ą
stek CH
Plazma H
2
/Ar
H
-
Usuniecie cz
ą
stek C / O
Wygrzewanie
Usuni
ę
cie cz
ą
stek tlenu
3. Materiały półprzewodnikowe –
własno
ś
ci i wytwarzanie
26
Parametry podło
ż
y krzemowych
Najwa
ż
niejsze z nich to:
• typ przewodnictwa – n lub p oraz rodzaj domieszki (P, As, B...)
• rezystywno
ść
– od 100
Ω
cm do 0,001
Ω
cm
• koncentracja atomów zanieczyszcze
ń
(głównie metali) – poni
ż
ej 10
12
cm
-3
• koncentracja atomów w
ę
gla i tlenu – typowo 10
16
- 10
17
cm
-3
• g
ę
sto
ść
mikrodefektów sieci krystalicznej - poni
ż
ej granicy wykrywalno
ś
ci
najlepszymi narz
ę
dziami
• geometria, w szczególno
ś
ci parametry dotycz
ą
ce płasko
ś
ci powierzchni
• czysto
ść
powierzchniowa
Podło
ż
a krzemowe charakteryzuje ł
ą
cznie
ponad 30 parametrów