Radioelektronik Audio-HiFi-Video 9/2002
Transoptory stanowi¹
zabezpieczenie przed
przeci¹¿eniem obwodu
wyjciowego przekanika
pó³przewodnikowego.
P
rzekanik pó³przewodnikowy
(SSR Solid State Relay) sk³a-
da siê z diody emituj¹cej pro-
mieniowanie podczerwone
(IRED InfraRed Emitting Diode) i prze-
³¹cznika elektronicznego uaktywnianego
strumieniem promieniowania emitowane-
go przez diodê. Po stronie wejciowej
przekanik jest zwykle sterowany ze
ród³a o sta³ej wydajnoci pr¹dowej. Do
zacisków wyjciowych przekanika jest
do³¹czone ród³o zasilania i obci¹¿enie.
Zwarcie obci¹¿enia lub zmniejszenie re-
zystancji obci¹¿enia do wartoci powo-
duj¹cych przep³yw zbyt du¿ego pr¹du
mo¿e prowadziæ do uszkodzenia obwodu
wyjciowego przekanika pó³przewodniko-
wego.
W uk³adzie o schemacie przedstawionym
na rys.1 dwa transoptory U3 i U4 stanowi¹
zabezpieczenie przekanika pó³przewo-
dnikowego P1 przed przeci¹¿eniem obwo-
du wyjciowego. Uk³ad ogranicza pr¹d
obci¹¿enia przekanika lub automatycznie
od³¹cza obci¹¿enie po wykryciu zwarcia
w obwodzie wyjciowym.
W czasie normalnej pracy uk³adu, na wyj-
ciu przerzutnika U1A wystêpuje niski
stan logiczny, który powoduje, ¿e tranzy-
stor T1 znajduje siê w stanie przewodze-
nia, a nawet nasycenia. W jego obwo-
dzie kolektorowym p³ynie pr¹d ograniczo-
ny rezystorami R3 i R4. P³ynie on przez
diodê przekanika P1 i uaktywnia jego
prze³¹cznik elektroniczny oznaczony sym-
bolicznie na schemacie jako zwyk³y prze-
³¹cznik. Maksymalna wartoæ pr¹du w ob-
wodzie wyjciowym jest oczywicie ogra-
niczona, jest podawana w danych katalo-
gowych przekanika.
Wzrost pr¹du w obwodzie wyjciowym
przekanika ponad wartoæ dopuszczaln¹,
tutaj ok. 200 mA, powoduje, ¿e na rezysto-
rze R5 (7,5
Ω
) powstaje spadek napiêcia
umo¿liwiaj¹cy przep³yw pr¹du przez diody
transoptorów U3 i U4. To z kolei uaktywnia
ka Schmitta U2A przekracza wartoæ pro-
gow¹, co powoduje zmianê stanu jego wyj-
cia i wskutek tego zmianê stanu logiczne-
go na wyjciu przerzutnika U1A. Konse-
kwencj¹ jest trwa³e wy³¹czenie przekani-
ka P1.
Na rys. 2 przedstawiono p³ytkê drukowa-
n¹ uk³adu, a na rys. 3 rozmieszczenie
elementów na p³ytce drukowanej.
(cr)
n
ZABEZPIECZENIE PRZEKANIKA
PÓ£PRZEWODNIKOWEGO
Rys. 1. Schemat uk³adu zabezpieczaj¹cego przekanik pó³przewodnikowy
fototranzystory. Przewodzenie fototranzysto-
ra z transoptora U3 powoduje, ¿e przej-
muje on czêæ pr¹du tranzystora T1, co
mo¿e w konsekwencji prowadziæ do zmniej-
szenia pr¹du diody przekanika P1 i jego
wy³¹czenie. Dodatkowo, je¿eli przeci¹¿enie
trwa dostatecznie d³ugo (opónienie uk³a-
du ca³kuj¹cego z³o¿onego z elementów
R2 i C1), to napiêcie na wejciu przerzutni-
Rys. 2. P³ytka drukowana uk³adu zabezpieczaj¹
cego przekanik pó³przewodnikowy (skala 1:1)
Rys. 3. Rozmieszczenie elementów na p³ytce
drukowanej uk³adu zabezpieczaj¹cego
przekanik pó³przewodnikowy