F2-72

PAMIĘCI STAŁE EEPROM 1

Pamięci kasowalne

elektrycznie!

Struktura tranzystora pamiętającego ze swobodną bramką

FLOTOX

(

Floating-Gate Tunnel Oxide

) firmy INTEL

Specjalnie cienka warstwa tlenkowa (< 10 nm) umożliwia

dwukierunkowy przepływ elektronów

w procesie tunelowym Fowlera-Nordheima

• Ładowanie bramki swobodnej: U

G

> 0, U

D

= 0 →

U

T

≈ 10 V

• Rozładowanie bramki swobodnej: U

G

= 0, U

D

> 0 →

U

T

< 0

Aby odciąć prąd drenu trzeba zastosować drugi tranzystor:

© J. Kalisz, WAT, 2005