F2-67

PAMIĘCI STAŁE (MOS, CMOS)

• Szybki odczyt danych zapisanych trwale podczas

programowania

• Format danych:

4

, 5, 7,

8

Rodzaje pamięci stałych

• Programowane jednorazowo podczas produkcji –

ROM

(

Read-

Only Memory

)

• Programowane jednorazowo przez użytkownika, o

niekasowalnej zawartości –

PROM

(

Programmable ROM

) –

najpierw bipolarne, obecnie OTP EPROM (MOS)

• Programowane wielokrotnie, elektrycznie, z kasowaniem

zawartości światłem nadfioletowym –

EPROM

(

Erasable

PROM

) - MOS

• Programowane wielokrotnie, elektrycznie, z elektrycznym

kasowaniem zawartości –

EEPROM

(

Electrically Erasable

PROM

) oraz pamięci „błyskawiczne” (

FLASH

) - MOS

STRUKTURY KOMÓREK PAMIĘCI ROM

a – komórka diodowa

b – komórka z tranzystorem bipolarnym

c – komórka z tranzystorem MOS

© J. Kalisz, WAT, 2005