INFORMACJA O PODZESPO£ACH

79

IRF7341 Polowe tranzystory mocy

Producent

International Rectifier

Zastosowanie

q

Wzmacniacze mocy, zw³aszcza stopnie wyjœciowe wzmacnia-

czy klasy D

Podstawowe w³aœciwoœci

q

Podwójny MOSFET n-kana³owy, HEXFET

q

Bardzo ma³a rezystancja w kierunku przewodzenia

q

Szybkie prze³¹czania

q

Przystosowanie do monta¿u powierzchniowego

Parametry graniczne

(maksymalne wartoœci dopuszczalne)

q

Napiêcie dren-Ÿród³o

55 V

q

Pr¹d drenu (wartoœæ ci¹g³a, UGS = 10 V)

4,7 A

q

Pr¹d drenu (w impulsie)

38 A

q

Moc rozpraszana (T

C

= 25

o

C)

2 W

q

Moc rozpraszana (T

C

= 70

o

C)

1,3 W

q

Wspó³czynnik zmniejszenia mocy

ze wzrostem temperatury

0,016 W/

o

C

q

Maksymalna rezystancja cieplna

62,5

o

C/W

q

Napiêcie bramka-Ÿród³o

±

20 V

q

Napiêcie bramka Ÿród³o ( w pojedynczym impulsie

o czasie trwania poni¿ej 1

µ

s)

30 V

q

Szybkoœæ powrotu napiêcia diody (dU/dt)

5 V/ns

q

Zakres temperatury struktury i magazynowania

od _ 55 do +150

o

C

Opis dzia³ania

Podwójny n-kana³owy tranzystor mocy IRF7341 nale¿y do pi¹tej ge-

neracji uk³adów HEXFET firmy International Rectifier. Przy ich pro-

dukcji zastosowano procesy technologiczne umo¿liwiaj¹ce uzyska-

nie bardzo ma³ej rezystancji w kierunku przewodzenia oraz du¿ej

szybkoœci prze³¹czania.

Podwójne tranzystory IRF7341 s¹ przeznaczone przede wszystkim

do zastosowania we wzmacniaczach klasy D. Zalet¹ tych wzmac-

niaczy, których zasadê dzia³ania opisaliœmy w ReAV nr 3/2003

oraz 7/1999, jest bardzo dobra sprawnoœæ dochodz¹ca do 90%, wo-

bec sprawnoœci ok. 50 % w klasycznych wzmacniaczach klasy AB.

T a b l i c a 1. Parametry charakterystyczne

Rys. 1. Rozmieszczenie

koñcówek (widok z góry)

Rys. 2. Widok obudowy

Rys. 3. Typowa charakterystyka wyjœciowa

Rys. 4. Typowa charakterystyka przejœciowa

Góra

Dó³

Pr¹d I

D

[A]

Pr¹d I

D

[A]

Napiêcie UDS [V]

Napiêcie UGS [V]

UDS = 25 V

Impuls 20

µ

s

Impuls 20

µ

s

,

INFORMACJA O PODZESPO£ACH

Charakteryzuj¹ siê te¿ ma³ymi zniekszta³ceniami i du¿ym sto-

sunkiem sygna³u do szumu. Ca³kowite zniekszta³cenia har-

moniczne we wzmacniaczach klasy D w znacznym stopniu

zale¿¹ od opóŸnieñ prze³¹czania. W tranzystorach IRF7341

te opóŸnienia s¹ bardzo ma³e _ ok. 10 ns.

Dobra sprawnoœæ wzmacniaczy klasy D umo¿liwia kon-

struktorom zmniejszenie ich wymiarów oko³o czterokrotnie

w stosunku do wzmacniaczy klasy AB o zbli¿onych parame-

trach. Dziêki temu wzmacniacze klasy D mog¹ byæ np.

wbudowywane w g³oœnik.

Podwójny tranzystor IRF7341, dziêki du¿ym dopuszczal-

nym impulsowym wartoœciom napiêcia i pr¹du, mo¿e byæ sto-

sowany w stopniach wyjœciowych wzmacniaczy klasy D o mo-

cy wyjœciowej do 30 W. W tablicy 2 zestawiono podwójne tran-

zystory mocy firmy International Rectifier o parametrach zbli-

¿onych do tranzystorów IRF7341. Wszystkie te tranzystory

s¹ oferowane przez firmê ELFA.

Szczegó³owe opisy omawianych tranzystorów oraz innych

tranzystorów MOSFET przeznaczonych do wzmacniaczy kla-

sy D mo¿na znaleŸæ na stronach: www.irf.com oraz

www.elfa.se. Pe³ny katalog ELFA w jêzyku polskim jest od

niedawna dostêpny w Internecie na stronach www.elfa.se/pl

(mn)

n

Opracowano na podstawie materia³ów otrzymanych od firmy ELFA

tel. [phone], e-mail: obsluga.klienta

@

elfa.se

T a b l i c a 2. Rodzina podwójnych tranzystorów mocy International Rectifier

Rys. 8. Zale¿noœæ rezystancji w stanie w³¹czenia od napiêcia

bramka-Ÿród³o

Rys. 7. Zale¿noœæ rezystancji w stanie w³¹czenia od pr¹du drenu

Rys. 5. Charakterystyka diody Ÿród³o _ dren w kierunku przewodzenia

Rys. 6. Zale¿noœæ rezystancji w stanie w³¹czenia od temperatury

I SD

_ wsteczny pr¹d drenu [A]

Rezystancja R

DS(ON)

[

Ω

]

Rezystancja R

DS(ON)

[

Ω

]

Rezystancja R

DS(ON)

[

Ω

]

PojemnoϾ C [pF]

Napiêcie USD [V]

Napiêcie UDS [V]

Pr¹d drenu ID [A]

Napiêcie bramka-Ÿród³o UGS [V]

Temperatura z³¹cza [oC]

UGS = 0 V

UGS = 4,5 V

UGS = 10 V

UGS = 10 V

Rys. 9. Zale¿noœæ pojemnoœci od napiêcia dren-Ÿród³o

UGS = 0 V f = 1 MHz

Ciss = Cgs + Cgd, Cds zwarta

Crss = Cgd

Coss = Cds + Cgd