INFORMACJA O PODZESPO£ACH
79
IRF7341 Polowe tranzystory mocy
Producent
International Rectifier
Zastosowanie
q
Wzmacniacze mocy, zw³aszcza stopnie wyjciowe wzmacnia-
czy klasy D
Podstawowe w³aciwoci
q
Podwójny MOSFET n-kana³owy, HEXFET
q
Bardzo ma³a rezystancja w kierunku przewodzenia
q
Szybkie prze³¹czania
q
Przystosowanie do monta¿u powierzchniowego
Parametry graniczne
(maksymalne wartoci dopuszczalne)
q
Napiêcie dren-ród³o
55 V
q
Pr¹d drenu (wartoæ ci¹g³a, UGS = 10 V)
4,7 A
q
Pr¹d drenu (w impulsie)
38 A
q
Moc rozpraszana (T
C
= 25
o
C)
2 W
q
Moc rozpraszana (T
C
= 70
o
C)
1,3 W
q
Wspó³czynnik zmniejszenia mocy
ze wzrostem temperatury
0,016 W/
o
C
q
Maksymalna rezystancja cieplna
62,5
o
C/W
q
Napiêcie bramka-ród³o
±
20 V
q
Napiêcie bramka ród³o ( w pojedynczym impulsie
o czasie trwania poni¿ej 1
µ
s)
30 V
q
Szybkoæ powrotu napiêcia diody (dU/dt)
5 V/ns
q
Zakres temperatury struktury i magazynowania
od _ 55 do +150
o
C
Opis dzia³ania
Podwójny n-kana³owy tranzystor mocy IRF7341 nale¿y do pi¹tej ge-
neracji uk³adów HEXFET firmy International Rectifier. Przy ich pro-
dukcji zastosowano procesy technologiczne umo¿liwiaj¹ce uzyska-
nie bardzo ma³ej rezystancji w kierunku przewodzenia oraz du¿ej
szybkoci prze³¹czania.
Podwójne tranzystory IRF7341 s¹ przeznaczone przede wszystkim
do zastosowania we wzmacniaczach klasy D. Zalet¹ tych wzmac-
niaczy, których zasadê dzia³ania opisalimy w ReAV nr 3/2003
oraz 7/1999, jest bardzo dobra sprawnoæ dochodz¹ca do 90%, wo-
bec sprawnoci ok. 50 % w klasycznych wzmacniaczach klasy AB.
T a b l i c a 1. Parametry charakterystyczne
Rys. 1. Rozmieszczenie
koñcówek (widok z góry)
Rys. 2. Widok obudowy
Rys. 3. Typowa charakterystyka wyjciowa
Rys. 4. Typowa charakterystyka przejciowa
Góra
Dó³
Pr¹d I
D
[A]
Pr¹d I
D
[A]
Napiêcie UDS [V]
Napiêcie UGS [V]
UDS = 25 V
Impuls 20
µ
s
Impuls 20
µ
s
,
INFORMACJA O PODZESPO£ACH
Charakteryzuj¹ siê te¿ ma³ymi zniekszta³ceniami i du¿ym sto-
sunkiem sygna³u do szumu. Ca³kowite zniekszta³cenia har-
moniczne we wzmacniaczach klasy D w znacznym stopniu
zale¿¹ od opónieñ prze³¹czania. W tranzystorach IRF7341
te opónienia s¹ bardzo ma³e _ ok. 10 ns.
Dobra sprawnoæ wzmacniaczy klasy D umo¿liwia kon-
struktorom zmniejszenie ich wymiarów oko³o czterokrotnie
w stosunku do wzmacniaczy klasy AB o zbli¿onych parame-
trach. Dziêki temu wzmacniacze klasy D mog¹ byæ np.
wbudowywane w g³onik.
Podwójny tranzystor IRF7341, dziêki du¿ym dopuszczal-
nym impulsowym wartociom napiêcia i pr¹du, mo¿e byæ sto-
sowany w stopniach wyjciowych wzmacniaczy klasy D o mo-
cy wyjciowej do 30 W. W tablicy 2 zestawiono podwójne tran-
zystory mocy firmy International Rectifier o parametrach zbli-
¿onych do tranzystorów IRF7341. Wszystkie te tranzystory
s¹ oferowane przez firmê ELFA.
Szczegó³owe opisy omawianych tranzystorów oraz innych
tranzystorów MOSFET przeznaczonych do wzmacniaczy kla-
sy D mo¿na znaleæ na stronach: www.irf.com oraz
www.elfa.se. Pe³ny katalog ELFA w jêzyku polskim jest od
niedawna dostêpny w Internecie na stronach www.elfa.se/pl
(mn)
n
Opracowano na podstawie materia³ów otrzymanych od firmy ELFA
tel. (0-22) 520 22 00, e-mail: obsluga.klienta
@
elfa.se
T a b l i c a 2. Rodzina podwójnych tranzystorów mocy International Rectifier
Rys. 8. Zale¿noæ rezystancji w stanie w³¹czenia od napiêcia
bramka-ród³o
Rys. 7. Zale¿noæ rezystancji w stanie w³¹czenia od pr¹du drenu
Rys. 5. Charakterystyka diody ród³o _ dren w kierunku przewodzenia
Rys. 6. Zale¿noæ rezystancji w stanie w³¹czenia od temperatury
I SD
_ wsteczny pr¹d drenu [A]
Rezystancja R
DS(ON)
[
Ω
]
Rezystancja R
DS(ON)
[
Ω
]
Rezystancja R
DS(ON)
[
Ω
]
Pojemnoæ C [pF]
Napiêcie USD [V]
Napiêcie UDS [V]
Pr¹d drenu ID [A]
Napiêcie bramka-ród³o UGS [V]
Temperatura z³¹cza [oC]
UGS = 0 V
UGS = 4,5 V
UGS = 10 V
UGS = 10 V
Rys. 9. Zale¿noæ pojemnoci od napiêcia dren-ród³o
UGS = 0 V f = 1 MHz
Ciss = Cgs + Cgd, Cds zwarta
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd