Tetroda  MOS  charakteryzuje  się  bardzo  dobrymi  właściwościami  dynamicznymi.
W  wyniku  szeregowego  połączenia  dwóch  tranzystorów  uzyskuje  się  zmniejszenie
pojemności  sprzęŜenia  zwrotnego  C

gd

  (do  wartości  rzędu  0,02  ÷  0,05  pF).

Pojemność ta jest odpowiedzialna za sprzęŜenie zwrotne między drenem i źródłem.
Tego rodzaju zjawisko nosi nazwę efektu Millera i oznacza przenoszenie się zmian
napięcia drenu na bramkę.

Im  większa  pojemność  sprzęŜenia  zwrotnego  tym  mniejsze  częstotliwości

pracy tranzystora MOS.

W tetrodzie MOS, zmiany napięcia na elektrodzie D przenoszą się na obszar

typu  „n”  (obszar  drenu  tranzystora  T

1

  z  bramką  G

1

)  ze  zmniejszeniem  równym

współczynnikowi  wzmocnienia  napięciowego  k

u

  tranzystora  T

2

.  Tak  zmniejszone

zmiany  przenoszą  się  na  bramkę  G

1

.  Dzięki  temu  sprzęŜenie  zwrotne  między

drenem  D  i  bramką  G

1

  jest  zmniejszone  tyle  razy,  ile  wynosi  wzmocnienie

napięciowe k

u

 tranzystora T

2

 – z bramką G

2

.

Do  zwiększenia  częstotliwości  granicznych  tetrody  MOS  przyczynia  się

takŜe  stosowanie  jak  najmniejszej  długości  kanału  tranzystora  T

1 

(z  bramką  G

1

),

rzędu 1,5 µm.