Tetroda MOS charakteryzuje się bardzo dobrymi właściwościami dynamicznymi.
W wyniku szeregowego połączenia dwóch tranzystorów uzyskuje się zmniejszenie
pojemności sprzężenia zwrotnego C
gd
(do wartości rzędu 0,02 ÷ 0,05 pF).
Pojemność ta jest odpowiedzialna za sprzężenie zwrotne między drenem i źródłem.
Tego rodzaju zjawisko nosi nazwę efektu Millera i oznacza przenoszenie się zmian
napięcia drenu na bramkę.
Im większa pojemność sprzężenia zwrotnego tym mniejsze częstotliwości
pracy tranzystora MOS.
W tetrodzie MOS, zmiany napięcia na elektrodzie D przenoszą się na obszar
typu „n” (obszar drenu tranzystora T
1
z bramką G
1
) ze zmniejszeniem równym
współczynnikowi wzmocnienia napięciowego k
u
tranzystora T
2
. Tak zmniejszone
zmiany przenoszą się na bramkę G
1
. Dzięki temu sprzężenie zwrotne między
drenem D i bramką G
1
jest zmniejszone tyle razy, ile wynosi wzmocnienie
napięciowe k
u
tranzystora T
2
– z bramką G
2
.
Do zwiększenia częstotliwości granicznych tetrody MOS przyczynia się
także stosowanie jak najmniejszej długości kanału tranzystora T
1
(z bramką G
1
),
rzędu 1,5 µm.