Tetroda MOS charakteryzuje się bardzo dobrymi właściwościami dynamicznymi.
W wyniku szeregowego połączenia dwóch tranzystorów uzyskuje się zmniejszenie
pojemności sprzężenia zwrotnego C

gd

(do wartości rzędu 0,02 ÷ 0,05 pF).

Pojemność ta jest odpowiedzialna za sprzężenie zwrotne między drenem i źródłem.
Tego rodzaju zjawisko nosi nazwę efektu Millera i oznacza przenoszenie się zmian
napięcia drenu na bramkę.

Im większa pojemność sprzężenia zwrotnego tym mniejsze częstotliwości

pracy tranzystora MOS.

W tetrodzie MOS, zmiany napięcia na elektrodzie D przenoszą się na obszar

typu „n” (obszar drenu tranzystora T

1

z bramką G

1

) ze zmniejszeniem równym

współczynnikowi wzmocnienia napięciowego k

u

tranzystora T

2

. Tak zmniejszone

zmiany przenoszą się na bramkę G

1

. Dzięki temu sprzężenie zwrotne między

drenem D i bramką G

1

jest zmniejszone tyle razy, ile wynosi wzmocnienie

napięciowe k

u

tranzystora T

2

– z bramką G

2

.

Do zwiększenia częstotliwości granicznych tetrody MOS przyczynia się

także stosowanie jak najmniejszej długości kanału tranzystora T

1

(z bramką G

1

),

rzędu 1,5 µm.