8
1. Materiały dla optoelektroniki
Podstawowe materiały na diody elektroluminescencyjne
Kolor
Materiał
Typ przejścia
Podczerwień
GaAs
proste
Czerwony
GaP(Zn,O)
GaAs
0,6
P
0,4
Al
0,3
Ga
0,7
As
skośne
proste
proste
Pomarańczowy
GaAs
0,35
P
0,65
Ga
0,7
In
0,3
P
skośne
proste
Żółty
GaAs
0,15
P
0,85
:N
GaInN:Mg
GaP:N
++
skośne
proste
skośne
Zielony
GaP:N
(In,Ga)N:Mg
skośne
proste
Niebieski
(In,Ga)N:Mg
proste
Fioletowy
GaN:Mg
proste
Ultrafiolet
GaN:Mg
proste
Biały
GaN + luminofor
proste
9
Podstawowe właściwości związków półprzewodnikowych AIIIBV
Związek
półprzewodnikowy
Temp.
topnienia
[°C]
Eg
[eV]
μ
n
[cm
2
/Vs]
μ
p
[cm
2
/Vs]
Współczynnik
załamania n
AlN
GaN
InN
2400
1700
1100
5,88
3,4
1,95
--
300
--
-
-
-
2,2
2,4
2,9
AlP
GaP
InP
2000
1467
1070
2,45
2,26
1,35
80
190
4600
30
120
150
3,0
3,45
3,45
AlAs
GaAs
InAs
1770
1238
942
2,16
1,43
0,36
280
9500
33000
--
450
460
3,2
3,65
3,52
AlSb
GaSb
InSb
1060
710
525
1,58
0,72
0,18
200
4000
78000
550
1400
750
3,4
3,8
4,0
Masa cząsteczkowa AlBV < GaBV < InBV.
↑
↓
↓
↑⇒
n
top
G
T
E
M
μ
,
10
Podstawowe właściwości związków półprzewodnikowych AIIBVI
Związek
półprzewodnikowy
T
top
[°C]
Eg
[eV]
μ
n
[cm
2
/Vs]
μ
p
[cm
2
/Vs]
Typ
przewodnictwa
ZnS
(S)
ZnS
(W)
CdS
HgS
1020
1780
1750
1480
3,67
3,74
2,53
1,78
--
140
340
700
--
5
110
--
n
n
n
n
ZnSe
CdSe
HgSe
1520
1264
790
2,73
1,85
0,12
260
720
20000
15
75
--
n
n
n
ZnTe
CdTe
HgTe
1239
1041
670
2,23
1,51
0,08
530
1200
25000
30
60
200
p
n,p
n,p
ZnS - podstawa luminoforów wytwarzanych na skalę przemysłową, tworzy
szereg roztworów stałych z CdS, CdSe, ZnSe. Domieszkowanie miedzią -
luminofory zielone i niebieskie, domieszkowanie magnezem - żółte.
CdS - fotorezystory o bardzo dużej fotoczułości w widzialnym zakresie widma.
CdHgTe - detektory podczerwieni.