1. Narysuj model pasmowy półprzewodnika typu „n” ,

„p” silnie domieszkowanego

1. Narysuj model pasmowy półprzewodnika typu „n”

słabo domieszkowanego

1. Narysuj model pasmowy półprzewodnika typu

samoistnego

2. Narysuj charakterystykę U/I diody tunelowej

2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody

prostowniczej

2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody zenera

2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody LED

7. Narysuj model pasmowy złącza z barierą Shottky’ego
w stanie równowagi termodynamicznej.

2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody uniwersalnej

2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody

pojemnościowej

2. Narysuj charakterystykę diody U/I diody Shottky’ego.

3. Definicja koncentracji elektronów/dziur w

półprzewodniku

Jest to ilość elektronów/dziur w przewodniku
przypadających na jednostkę objętości (zwykle cm3).

- koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa /
- koncentracja dziur w paśmie walencyjnym

3. Definicja Poziomu Fermiego
Najwyższy poziom elektryczny atomu znajdującego się w

temperaturze zera bezwzględnego obsadzony przez
elektron.

3. Narysuj prosty układ generatora diodowego.

3. Podać warunki generacji sygnału.

- amplitudy – tłumienie układu sprzężenia zwrotnego nie
może być większe niż wzmocnienie wzmacniacza

- fazy – przesunięcie fazy całego układu musi być równe
wielokrotności 2π.

3. Podaj definicję małego sygnału.
Sygnał o amplitudzie na tyle małej, że można pominąć

nieliniowy charakter elementu.
4. Definicja funkcji rozkładu Fermiego-Diraca.

,

k – stała Boltzmana. Opisuje prawdopodobieństwo

obsadzenia przez elektron stanu energetycznego.

4. Definicja prądu dyfuzji w półprzewodniku
Występuje wtedy gdy rozkład nośników nadmiarowych jest

niejednorodny. Powstaje wówczas dyfuzyjny prąd
nośników z obszarów o większej koncentracji do obszarów

o mniejszej koncentracji. Prądy dyfuzyjne elektronowe i
dziury proporcjonalne do nachylenia rozkładu koncentracji

nośników
4. Definicja kondunktancji półprzewodnika

Właściwości elektryczne półprzewodnik określamy poprzez
konduktywność, która zależy od liczby nośników ładunku w

jednostce objętości czyli koncentracji
4. Definicja prądu unoszenia w półprzewodniku

Jeżeli na półprzewodnik będzie oddziaływało zewnętrzne
pole elektryczne o natężeniu "E", to nośniki będą poruszały

się w kierunku działania tego pola. Taki ukierunkowany
ruch nośników nazywamy prądem unoszenia.

4. Definicja konduktancji półprzewodnika.
Odwrotność rezystancji półprzewodnika

4. Definicja prądu zerowego w tranzystorze bipolarnym.
Prąd płynący w obwodzie wyjściowym tranzystora przy

polaryzacji zaporowej.
4. Podać definicję współczynnika CMRR

Współczynnik tłumienia sygnału współbieżnego. Jest to
stosunek wzmacniania sygnału różnicowego do

wzmacniania sygnału współbieżnego.

8. Narysuj układ wzmacniacza nieodwracającego na
wzmacniaczu operacyjnym

4. Schemat blokowy generatora

5. W półprzewodniku typu „n” nośnikami
większościowymi są elektrony

5. W półprzewodniku typu „n” nośnikami
mniejszościowymi są dziury

5. W półprzewodniku typu „p” nośnikami
większościowymi są dziury

5. W półprzewodniku typu „p” nośnikami
mniejszościowymi są elektrony

5. Przez pn oznaczamy koncentrację
dziur w półprzewodniku donorowym

5. Przez pp oznaczamy koncentrację
dziur w półprzewodniku akceptorowym

5. Przez np oznaczamy koncentrację
elektronów w półprzewodniku akceptorowym

6. W półprzewodniku typu „n” ruchome nośniki ładunku
to elektrony

6. W półprzewodniku typu „n” nieruchome atomy
domieszki dominującej to jony donorowe

6. W półprzewodniku typu „p” ruchome nośniki ładunku
to dziury

6. W półprzewodniku typu „p” nieruchome atomy
domieszki dominującej to akceptory.

6. Przez Nd oznaczamy koncentrację
atomów domieszki donorowej

6. Przez Na oznaczamy koncentrację
atomów domieszki akceptorowej.

7. Narysuj model pasmowy złącza p-n w stanie
równowagi termodynamicznej

7. Narysuj model pasmowy złącza p-n spolaryzowanego w

kierunku zaporowym

7. Narysuj model pasmowy złącza p-n spolaryzowanego w
kierunku przewodzenia

7. Narysuj model pasmowy złącza metal-półprzewodnik
w stanie równowagi termodynamicznej.

7. Narysuj model pasmowy złącza omowego w stanie

równowagi termodynamicznej.

12. Narysuj symbol graficzny tranzystora MOS z kanałem

wbudowanym typu „p” i „n”

8. Narysuj model pasmowy metal – półprzewodnik dla

przypadku kiedy praca wyjścia elektronów z metalu jest
większa niż z półprzewodnika

8. Narysuj strukturę sieci krystalicznej dla
półprzewodnika typu „p”

8. Narysuj strukturę sieci krystalicznej dla
półprzewodnika typu „n”

8. Narysuj model pasmowy metal – półprzewodnik dla
przypadku kiedy praca wyjścia elektronów z metalu jest

mniejsza niż z półprzewodnika

8. Narysuj układ wzmacniacza odwracającego na
wzmacniaczu operacyjnym

13. Narysuj charakterystykę wyjściową dla tranzystora

pracującego w układzie jak na rysunku ^^

8. Narysuj układ całkujący na wzmacniaczu operacyjnym

9. Dla przykładu podanego na rysunku poniżej oblicz

punkt pracy.
RB=1M Ω , RC=5k Ω , UCC=12 V, β=200.

UBE +JBRB -UCC=0
JB = UCC- UBE/RB=12-0,7/11M Ω =10

JC= beta* JB=200*10=2mA
UCE= UCC- JCRB=12-2mA*5=12-10=2V

JC=2mA
UCE=2V

9. Dla przykładu podanego na rysunku poniżej oblicz
wartości rezystorów RC i RB

UCE=5V, IC=1mA, RE=1k, UBB=5V, UCC=12V, beta=200

Ie~Ic

Ure=Re*Ie=1000*0,001=1V
Urc=Ucc-Uce-Ure=12-5-1=6V

Rc=Urc/Ic=6/0,001=6000 ohm
Zakladam ze zlacze be jest w stanie przewodzenia i Ube=0,7

V
Urb=Ubb-Ube-Ure=5-0,7-1=3,3V

Ib=Ic/beta=0,001/200=0,000005
Rb=Urb/Ib=3,3/0,000005=660000 Ω

10. Wzory:

11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla

stanu inwersyjnego
złącze EB (BE) – zaporowo

złącze BC (CB) – przewodzenia
11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla

stanu nasycenia
złącze EB (BE) – przewodzenia

złącze BC (CB) – przewodzenia
11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla

stanu aktywnego normalnego (przewodzenia)
złącze EB (BE) – przewodzenia

złącze BC (CB) – zaporowo
11. Podaj polaryzacje elektrod tranzystora bipolarnego dla

stanu zatkania
złącze EB (BE) – zaporowo

złącze BC (CB) – zaporowo
11. Podaj warunki dla zakresu zatkania w tranzystorz JFET

U

GS

= U

D

, U

DS

>|U

P|

14. Narysuj układ źródła prądowego na tranzystorze

bipolarnym.

12. Narysuj symbol graficzny tranzystora MOS z kanałem
indukowanym typu „n” i „p”

12. Narysuj symbol graficzny tranzystora JFET z kanałem

indukowanym typu „n” i „p”

12. Narysuj symbol graficzny tranzystora MOS typu p
-zubażany -wzbogacany

13. Narysuj charakterystykę wyjściową dla tranzystora

pracującego w układzie jak na rysunku

13. Narysuj charakterystykę wejściową dla tranzystora
pracującego w układzie jak na rysunku ^^

13. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora
pracującego w układzie jak na rysunku ^^

15. Podaj zależność między współczynnikami

wzmocnienia prądowego B i a. B = a/(1-a), a = B/(1+B)
16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora ze stałym

prądem emitera

13. Narysuj układ źródła prądowego na tranzystorze
unipolarnym.

14. Podaj definicję rekombinacji promienistej.
Powrót pobudzonego elektronu do stanu pierwotnego z

wyemitowaniem kwantu promieniowania.
14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora

JFET z kanałem typu „n”.

14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora

JFET z kanałem typu „p”.

14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora

MOS z kanałem wbudowanym typu „n”

14. Narysuj charakterystykę przejściową dla tranzystora
MOS z kanałem wbudowanym typu „p”

18. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie WC

14. Narysuj układ polaryzacji tranzystora unipolarnego z
zerowym napięciem U

GS

.

15. Narysuj układ lustra prądowego na tranzystorach

bipolarnych

15. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie klucza

15. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie Darlingtona

15. Narysuj układ przesuwania napięcia stałego

15. Narysuj strukturę półprzewodnikową fototranzystora.

15. Narysuj potencjometryczny układ polaryzacji
tranzystora unipolarnego.

16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora ze stałym

prądem bazy

16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora ze sprzężeniem
kolektorowym

16. Podaj definicję współczynnika wzmocnienia

prądowego B. B= I

C

/I

B

16. Narysuj schemat zastępczy diody liniowy dynamiczny

dla m.cz.

17. Podaj def. dolnej częstotliwości granicznej
wzmacniacza

fT – jest to częstotliwość dla które moduł wzmacniacza,
wzmacniacz pada do wartość 0 dB, odpowiada to wartości

wzmocnienia.
17. Podaj def. górnej częstotliwości granicznej

wzmacniacza
Jest to częstotliwość dla której moduł, wzmacniania

wzmacniacza spada do 3 dB w stosunku wartści max.
17. Podaj def. współczynnika prądowego h21e

Stosunek prądu wyjściowego do wejściowego . h21e=Ic/Ib.
17. Narysuj schemat zastępczy hybryd pi m.cz. dla

tranzystora bipolarnego

18. Narysuj schemat zastępczy hybryd pi m.cz. dla
tranzystora unipolarnego

20. Narysuj tranzystor bipolarny w układzie WB

20. Narysuj tranzystor z kanałem normalnie wyłączonym
typu n w układzie wspólnego źródła

20. Narysuj tranzystor z kanałem normalnie wyłączonym

typu n w układzie wspólnej bramki

20. Narysuj tranzystor unipolarny JFET w układzie

wspólna bramka.