Wydział Elektroniki
Mikrosystemów i Fotoniki
Politechniki Wrocławskiej
STUDIA DZIENNE
Ćwiczenie nr 2
Charakterystyka I-U złącza p-n
I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania
- Budowa złącza p-n, rozkład koncentracji domieszek wokół złącza p-n.
- Model pasmowy złącza p-n dla różnych polaryzacji.
- Charakterystyka I = f(U) oraz wzór Shockley´a – interpretacja.
- Zjawiska w rzeczywistym złączu p-n, model rzeczywistego złącza p-n.
- Wyprowadzenie wzoru na współczynnik doskonałości złącza (ze wzoru Shockley’a).
- Graniczna temperatura pracy złącza, moc admisyjna.
II. Program zajęć
- Obserwacja charakterystyk napięciowo prądowych wybranych diod za pomocą
charakterografu.
- Pomiar charakterystyk I-U diod półprzewodnikowych metodą techniczną.
- Wyznaczenie charakterystycznych parametrów diody półprzewodnikowej
1. rezystancji szeregowej - R
s
,
2. współczynnika doskonałości złącza – n i
3. prądu nasycenia złącza I
s
.
III. Literatura
1. W. Marciniak
- Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone
2. A. Świt, J. Pułtorak
- Przyrządy półprzewodnikowe
3. T. Ohly, Z. Radzimski
- Elementy elektroniczne (skrypt do laboratorium, cz. I)
4. Poradnik Inżyniera Elektronika
Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą
urządzeń elektrycznych.
LABORATORIUM
PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
2
1 Wiadomości wstępne
Charakterystyka prądowo-napięciowa półprzewodnikowego złącza p-n
Typowe
charakterystyki
prądowo-napięciowe
diod
półprzewodnikowych
przedstawiono na rys.1 i rys.2.
Rys.1. Charakterystyka I-U diody przy polaryzacji
przewodzenia i zaporowej
Rys.2. Charakterystyki I-U diody germanowej i
krzemowej przy polaryzacji przewodzenia
W ćwiczeniu zajmiemy się dokładniejszą analizą ich przebiegu oraz pomiarami wybranych
parametrów diod.
Natężenie prądu płynącego przez idealne złącze p-n w funkcji napięcia polaryzacji złącza
definiuje wzór Shockley’a, opisujący dyfuzyjny mechanizm przepływu nośników prądu:
÷÷
ř
ö
çç
č
ć
-
÷
ř
ö
ç
č
ć
=
1
exp
kT
qU
I
I
S
czyli
S
S
I
kT
qU
exp
I
I
-
=
(1)
gdzie:
÷
÷
ř
ö
ç
ç
č
ć
+
=
p
n
p
n
p
n
S
L
p
D
L
n
D
qS
I
–
tzw. prąd nasycenia złącza
(2)
U – napięcie polaryzacji złącza, T – temperatura [K], S – powierzchnia złącza,
D
p,
D
n
– stałe dyfuzji dziur i elektronów,
L
n
, L
p
– drogi dyfuzji elektronów i dziur,
n
p
, p
n
– koncentracje nośników mniejszościowych,
k = 8,62·10
-5
eV/K–stała Boltzmanna,
q=1,6·10
-19
– ładunek elementarny.
W przypadku rzeczywistych złącz p-n wartość płynącego przez nie wypadkowego prądu
zależy dodatkowo od:
(a) rezystancji szeregowej - R
s
(b) zjawisk rekombinacyjno-generacyjnych w obszarze złącza
(c) zjawisk powierzchniowych
Przy polaryzacji złącza rzeczywistego w kierunku przewodzenia oprócz
prądu dyfuzyjnego należy uwzględnić prąd rekombinacji (związany z rekombinacją nośników
prądu w obszarze ładunku przestrzennego) oraz – szczególnie przy dużych wartościach prądu
– spadek napięcia, przede wszystkim na rezystancji półprzewodnika poza ładunkiem
przestrzennym i na innych elementach konstrukcyjnych diody (kontakt metal-półprzewodnik,
doprowadzenia, elementy oprawki).
Prąd rekombinacji I
rek
zależy od koncentracji centrów rekombinacji w obszarze
ładunku przestrzennego i może być przedstawiony w postaci:
÷÷
ř
ö
çç
č
ć
-
÷
ř
ö
ç
č
ć
˘
=
1
2
exp
kT
qU
I
I
rek
(3)
3
gdzie
I˘
jest analogicznym czynnikiem jak I
S
w zależności (1).
Prąd ten dodaje się do prądu dyfuzyjnego złącza p-n (wzór Shockley’a). Wypadkowy
prąd złącza w kierunku przewodzenia I
F
(„F” – ang. „forward”) daje się przedstawić za
pomocą wzoru:
÷÷
ř
ö
çç
č
ć
-
÷
ř
ö
ç
č
ć
˘
+
÷÷
ř
ö
çç
č
ć
-
÷
ř
ö
ç
č
ć
=
+
=
1
2
exp
1
exp
kT
qU
I
kT
qU
I
I
I
I
S
rek
F
(4)
Wzór ten jest podstawą modelu dwu-diodowego złącza p-n (złącze modelowane jest
przez dwie diody połączone równolegle, opisane charakterystykami I = f(U) odpowiednio do
składników równania (4).
Po przekształceniu równania (4), I
F
można obliczyć ze wzoru przybliżonego:
÷÷
ř
ö
çç
č
ć
-
÷
ř
ö
ç
č
ć
˘
=
1
exp
nkT
qU
I
I
S
F
(5)
i upraszczając dalej dla U>100mV:
÷
ř
ö
ç
č
ć
˘
@
nkT
qU
exp
I
I
S
F
(6)
Prąd
S
I ˘ jest pewnym „zastępczym prądem nasycenia”, a wartość współczynnika
doskonałości złącza n zależy od udziału składowej dyfuzyjnej i rekombinacyjnej w prądzie I
F
płynącym przez złącze. Teoretycznie n powinno się zawierać między 1 (tylko prąd dyfuzji) i 2
(tylko prąd rekombinacji).
Analiza efektu rezystancji szeregowej w diodzie rzeczywistej:
Aby uwzględnić spadek napięcia na elementach diody poza obszarem ładunku
przestrzennego zwykle wprowadza się pojęcie rezystancji szeregowej. Wiąże się to
z założeniem, że ten spadek napięcia jest proporcjonalny do prądu płynącego przez złącze.
Tak więc najprostszy model diody dla prądu stałego w kierunku przewodzenia wygląda jak na
rysunku 1.
U-I
F
R
S
I
F
R
S
I
F
D
R
S
U
Rys. 3. Model diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia
Dioda idealna D ma charakterystykę opisaną wzorami (5) lub (6), w których zamiast
napięcia U należy podstawić wartość (U-I
F
R
S
). Tak, więc wypadkowa charakterystyka diody
rzeczywistej może być opisana wzorem:
(
)
÷÷
ř
ö
çç
č
ć
-
÷
ř
ö
ç
č
ć
-
˘
=
1
exp
nkT
R
I
U
q
I
I
S
F
S
F
(7)
lub upraszczając dla większych wartości napięć:
(
)
÷
ř
ö
ç
č
ć
-
˘
=
nkT
R
I
U
q
I
I
S
F
S
F
exp
(8)
4
Jeśli tę ostatnią charakterystykę (8) narysować w układzie współrzędnych, gdzie oś
prądu (I
F
) ma skalę logarytmiczną, a oś napięcia (U) jest liniowa (układ współrzędnych log-
lin), otrzymamy wykres jak na rysunku 4.
0,01
0,1
1E-3
1E-4
1E-5
1E-6
1E-7
(przy U=0)
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
U [V]
I
[A]
DU=IR
s
1E-8
s
I ˘
(U
2
, I
F2
)
(U
1
, I
F1
)
Rys. 4. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody półprzewodnikowej
w układzie współrzędnych logI - U przy polaryzacji przewodzenia
Charakterystyka diody rzeczywistej, uwzględniająca prąd dyfuzji i rekombinacji jest w tym
układzie współrzędnych linią prostą, co wynika z logarytmicznego charakteru równania (6).
Odstępstwo charakterystyki od liniowości świadczy o istnieniu rezystancji szeregowej R
S
,
przecięcie liniowej części charakterystyki z osią prądową (U=0) pozwala wyznaczyć
S
I ˘ .
Z nachylenia prostoliniowej charakterystyki można wyznaczyć współczynnik
doskonałości złącza n (rys.4). W tym celu korzystamy z układu dwóch równań:
÷
ř
ö
ç
č
ć
˘
=
nkT
qU
I
I
S
F
1
1
exp
÷
ř
ö
ç
č
ć
˘
=
nkT
qU
I
I
S
F
2
2
exp
Po zlogarytmowaniu obu równań uzyskamy:
1
1
ln
ln
U
nkT
q
I
I
S
F
×
+
=
2
2
ln
ln
U
nkT
q
I
I
S
F
×
+
=
Po odjęciu równań (10) stronami:
)
(
ln
1
2
1
2
U
U
nkT
q
I
I
F
F
-
=
W celu łatwiejszego wyznaczenia współczynnika n warto przeliczyć skalę ln na log,
ponieważ charakterystyka diody będzie narysowana w skali log I = f(U).
Wiadomo, że (log a = ln a · log e = 0,434 · ln a). Zatem log I
F
= 0,434 ln I
F.
(9)
(10)
(11)
5
Po przekształceniach uzyskamy:
)
(
434
,
0
log
1
2
1
2
U
U
nkT
q
I
I
F
F
-
=
(12)
Odczytując z prostoliniowego odcinka wykresu log I = f(U) wartości I
F1
, I
F2
, (najlepiej
różniące się o dekadę) i odpowiadające im wartości U
1
i U
2
i wstawiając wartość kT/q równą
0,026V (dla temperatury pokojowej), można ze wzoru (12) wyznaczyć wartość
współczynnika n.
Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n oprócz prądu I
s
wynikającego ze wzoru (1) należy
uwzględnić prąd generacji (prąd związany z generacją nośników w obszarze ładunku
przestrzennego), prąd upływu oraz zjawisko przebicia.
Przy polaryzacji zaporowej (U<-100 mV) prąd wynikający ze wzoru (1) jest prądem
nasycenia (unoszenie nośników mniejszościowych w polu elektrycznym złącza):
S
S
I
kT
qU
I
I
-
@
÷÷
ř
ö
çç
č
ć
-
÷
ř
ö
ç
č
ć
=
1
exp
(9)
Prąd generacji zależy od szerokości obszaru ładunku przestrzennego i od koncentracji
centrów generacyjno - rekombinacyjnych. W przeciwieństwie do prądu I
S
, który nie zależy od
polaryzacji, wartość prądu generacji rośnie w miarę zwiększania napięcia na złączu
spolaryzowanym w kierunku zaporowym. Dla złącz p-n wykonanych z materiału o średniej
i dużej wartości przerwy zabronionej (krzem, GaAs) prąd generacji I
gen
dominuje i jest o kilka
rzędów większy od prądu nasycenia.
Trzecia składowa prądu w kierunku zaporowym związana jest ze zjawiskiem upływu
po powierzchni złącza i po defektach wewnętrznych. Ta składowa zwykle jest proporcjonalna
do przyłożonego napięcia i modelowana jest rezystancją równoległą (rezystancją upływu).
Podsumowując, prąd diody spolaryzowanej zaporowo, (ale nie w zakresie przebicia) I
R
(„R” – ang. „reverse”) składa się z trzech składowych:
upł
gen
S
R
I
I
I
I
+
+
=
(10)
gdzie: I
S
– prąd nasycenia, I
gen
– prąd generacji, I
upł
– prąd upływu.
2. Metoda techniczna pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych
Najczęściej wykorzystywaną metodą do pomiaru charakterystyk prądowo-
napięciowych elementów elektronicznych jest metoda techniczna. Polega ona na wykonaniu
szeregu pomiarów natężenia prądu i odpowiadającego mu napięcia, co umożliwia wykreślenie
odpowiedniej charakterystyki. Schemat układu pomiarowego, stosowanego w tej metodzie,
przedstawiono na rys.5.
Przy realizacji pomiaru jako źródło zasilania wykorzystany zostanie zasilacz
laboratoryjny z regulowanym napięciem wyjściowym i z możliwością ustawienia
ograniczenia prądowego (np. zasilacz HM 8143). Do pomiaru napięcia i prądu zostaną użyte
multimetry cyfrowe HM 8012.
Przy rezystorze zabezpieczającym 100W (P
max
=1W) (rys.5) nie wolno przekroczyć
prądu 100 mA (patrz instrukcja do ćwiczenia 1). Wynika z tego, że w czasie pomiarów
konieczne jest ustawienie ograniczenia prądowego na zasilaczu na wartość 100mA, lub mniej,
gdy badana dioda wymaga ograniczenia prądowego na niższym poziomie.
6
Jeżeli potrzebne jest zbadanie charakterystyki dla większych wartości prądów niż
100mA, z układu usuwa się rezystor 100W, a wymagane natężenie prądu uzyskuje się przez
odpowiednie ustawienie ograniczenia prądowego bezpośrednio w zasilaczu.
Zasilacz ZLS 3
z narostem napięcia
badany
element
100 W
mA
V
Rys. 5. Schemat układu pomiarowego przy pomiarze charakterystyki I-U metodą techniczną
3. Pomiary
3.1. Pomiar charakterystyk I = f(U) diod przy polaryzacji przewodzenia za pomocą
programu „Rejestrator”
Skróconą instrukcję obsługi programu „Rejestrator” zamieszczono w Dodatku.
Do pomiarów wybrać trzy z dostępnych na płytce pomiarowej diod (Ge, Si, GaAs-LED).
Odczytać z katalogu maksymalny dopuszczalny prąd I
F
dla każdej badanej diody. Zmontować
układ pomiarowy przedstawiony na rys.5. Wykreślić za pomocą „Rejestratora” i wydrukować
na drukarce charakterystyki napięciowo prądowe badanych diod na jednym wykresie I(U).
(jako tytuł wykresu podać nazwiska studentów wykonujących ćwiczenie). Odczytać
wartość napięcia przewodzenia każdej diody dla prądu 10mA i porównać te wartości.
Jakie wnioski wynikają z tego pomiaru?
3.2. Charakterystyka diody w układzie log-lin.
Korzystając z opcji Ustawienia osi – „ręczne”, charakterystykę I = f(U) diody wskazanej
przez prowadzącego wykreślić w układzie log I= f (U).
Z wykresu log (I) = f(U) wyznaczyć (zgodnie z rys.4):
- rezystancję szeregową diody R
S
,
- współczynnik doskonałości złącza n,
- wartość prądu I
S
’
Alternatywnie pomiary charakterystyk diod można przeprowadzić metodą techniczną
bez użycia Rejestratora, wykreślając odręcznie zmierzone charakterystyki na papierze
w układzie log-lin (dostępny (do wydruku) na stronie lab.). Zaleca się wtedy, by w
przedziale od 100nA do 1mA pomiary wykonywać, co dekadę, a dla prądów powyżej 1mA
mierzyć 3 punkty charakterystyki w obrębie każdej dekady prądu.
Zaleca się również, zgodnie z poleceniem prowadzącego zajęcia, samodzielne wykonanie
przez studentkę/studenta skali log-log (w zakresie zmian o kilka rzędów wartości
wielości).
7
DODATEK
SKRÓCONY OPIS PROGRAMU „REJESTRATOR”
„Rejestrator” jest programem komputerowym, który może prowadzić akwizycję
danych pomiarowych z dwu cyfrowych mierników uniwersalnych 34401A lub oscyloskopu
DSO3062A f-my Agilent. Ze względu na to, że pobieranie danych zachodzi jednocześnie
z dwóch mierników, program symuluje znany dawniej elektromechaniczny przyrząd
pomiarowy – rejestrator XY.
Menu główne programu to jedynie dwa rozkazy: „Pomiar” i „Wykres”. Pierwszy
pozwala tylko na deklaracje nowego pomiaru; wybranie drugiego rozwija podmenu,
pozwalające na wybranie rozkazów opisu osi wykresu i doboru czcionek tego opisu.
Po uruchomieniu programu „Rejestrator” na ekranie monitora wyświetli się okno główne:
Domyślnie, w oknie oznaczone jest urządzenie do pomiaru „
Rejestrator XY
”. Gdy
trzeba dokonać akwizycji danych z oscyloskopu należy aktywować pole „Oscyloskop”
W panelach wyboru
Multimetr 1
i
Multimetr 2
o nazwach „Urządzenie” należy
dokonać przyporządkowania mierników. W tym celu trzeba, po najechaniu kursorem myszy
na strzałkę rozwijalnej listy wyboru, nacisnąć lewy klawisz myszki – rozwinie się wtedy lista
wykrytych urządzeń. Nie można przyporządkować tego samego urządzenia w obu panelach
wyboru. W polach „Nazwa” można wpisać własne, dowolne, nazwy przyrządów – będą one
widoczne na wyświetlaczach mierników. Po zatwierdzeniu przyciskiem „Zapamiętaj” okno
„Wybór…” zniknie, a w linii „Ustaw” pojawią się pola wyboru „
Ustawienia przyrządów
”
(rysunek na stronie 8).
8
Są to bardzo ważne ustawienia decydujące, który miernik będzie mierzył napięcie,
a który natężenie prądu. Tutaj, oddzielnie dla osi „X” i „Y” wykresu, można wybrać rodzaj
pomiaru: prąd/napięcie; zakres: sztywny/automatyczne przełączanie zakresu. Warto
zauważyć, że użytkownik nie musi, a nawet nie powinien, dokonywać żadnych ustawień
mierników ręcznie na ich panelach czołowych. Wszystko to wykonuje się „programowo”
właśnie w oknie zatwierdzanym zielonym przyciskiem „Ustaw”
W podanym wyżej przykładzie do osi „Y” (czyli rzędnej) przyszłego wykresu został
przyporządkowany „Multimetr 1” i zaprogramowano go do pomiaru wartości natężenia prądu
na zakresie 0,1A. Do osi „X” (czyli odciętej) wykresu przydzielono „Multimetr 2”, który
będzie mierzył napięcie w trybie automatycznego przełączania zakresów. Po zatwierdzeniu
wyboru zielonym klawiszem „Ustaw” pojawi się ostatnie okno programu:
Do wyboru są następujące możliwości:
1. Pomiar:
a.) „Natychmiastowy” – zaczyna się w momencie aktywacji przycisku „Start”
b.) „Opóźniony” (zalecany) – zaczyna się po zmierzeniu dwudziestu
monotonicznie zmieniających się wartości dostarczonych przez miernik
przyporządkowany osi X
Zaleca się, aby jako nazwę pomiaru wprowadzić nazwiska studentów
wykonujących ćwiczenie, a w tytułach osi, oprócz konkretnej nazwy zmiennej,
jednostki pomiaru prądu i napięcia ([A] i [V]). Zaraz po uruchomieniu opcji
„Start”, podnieść do góry przełącznik uchylny na zasilaczu liniowo narastającego
napięcia
9
2. „Pisak”
a.)
Opuszczony – pole wyboru zaznaczone – wykres jest rysowany w trakcie pomiaru
(dokładnie tak samo jak w klasycznym elektromechanicznym rejestratorze).
b.)
Podniesiony – pole wyboru puste – wykres nie jest rysowany automatycznie, ale
możliwa jest ręczna akwizycja pomiarów poprzez każdorazową aktywację
szarego przycisku „Pobierz próbkę”. Wyniki pomiarów umieszczane są
w postaci znakowej w dwu kolumnach w oknie z nagłówkiem : „X Y” w prawym
dolnym rogu ekranu – tzw. oknie przewijania można, zaznaczając w klasyczny dla
„Windows” sposób kopiować je w całości lub we fragmencie do notatnika, a za
jego pośrednictwem do innych programów
3. „ Szybkość pomiaru” – można ustawić dwie częstotliwości próbkowania: 5Hz
i 50Hz.
4. Okienko „Zarządzanie seriami” pozwala deklarować zarówno nową charakterystykę
jak i nową gałąź rodziny charakterystyk. Za pomocą tej opcji można usuwać
niepożądaną serię danych oraz odpowiednio deklarować i nazywać parametry
poszczególnych krzywych (przy pomiarze charakterystyk diod można im nadać opisy:
Si, Ge, GaAs).
5. Program automatycznie skaluje osie, podając wartości prądu i napięcia z dokładnością
do kilku miejsc po przecinku. Aby wykres był bardziej czytelny i aby linie siatki
wypadały na „okrągłych” wartościach prądów i napięć, należy przed wydrukiem
zastosować „kalibrację ręczną” poprzez podanie w oknie „Przedział” odpowiednich
wartości minimalnych i maksymalnych.
6. Okno „Export danych”, jak sama nazwa wskazuje, umożliwia zapis wykresu
w postaci zbioru w formacie graficznym (*.jpg lub *.bmp) lub/i danych w formacie
ASCII – zbiór tekstowy o dwu kolumnach, z których pierwsza to dane „X” a druga
„Y”. Należy zapisać swój rysunek do pliku z rozszerzeniem *.jpg , zamknąć program,
odszukać swój plik i wydrukować go na drukarce.