C-1. Bramka NAND w technologii TTL i jej
zastosowania
Podstawowymi w technice cyfrowej układami, realizuj ˛
acymi funkcje kombinacyjne i sekwen-
cyjne s ˛
a funktory logiczne potocznie zwane bramkami. Bramki wykonuj ˛
a ró˙znorodne funkcje lo-
giczne na 1, 2 lub wi˛ekszej ilo´sci dwuwarto´sciowych wej´sciowych zmiennych logicznych. Wyró˙z-
niamy bramki dla operacji: negacji NOT (Y
= A), iloczynu logicznego AND (Y = A • B •
. . .),
sumy logicznej OR (Y
= A + B +
. . .) oraz funkcji ALBO czyli operacji Ex-OR (Y = A
⊕
B ⊕
. . .).
Podstawow ˛
a i uniwersaln ˛
a dla wielu zastosowa´n jest bramka NAND. Wykonuje ona operacje ne-
gacji iloczynu (Y
= A • B •
. . .) i umo ˙
zliwia zrealizowanie wszystkich powy˙zej zaprezentowanych
funkcji logicznych.
Dla realizacji technicznej prezentowanych układów cyfrowych s ˛
a stosowane technologie mono-
lityczne bazuj ˛
ace na tranzystorach unipolarnych oraz bipolarnych. Du˙ze rozpowszechnienie, szcze-
gólnie w elektronice przemysłowej pozyskały układy scalone produkowane w technologii TTL
(Transistor–Transistor–Logic) opracowanej przez firm˛e Texas Instruments. Technologia ta bazuje
na tranzystorach bipolarnych a charakterystycznym dla niej jest zastosowanie wieloemiterowego
tranzystora wej´sciowego.
Układy cyfrowe w technologii TTL s ˛
a produkowane w wersjach: standardowych (SN74 . . . ),
małej mocy (SN74L . . . ), szybkiej (SN74H . . . ) i bardzo szybkiej (SN74S . . . ). Równie˙z w wyko-
naniach dla celów przemysłowych (SN64 . . . ) i militarnych (SN54 . . . ).
Układy scalone TTL charakteryzuj ˛
a si˛e du˙z ˛
a szybko´sci ˛
a działania, małym poborem mocy, du˙z ˛
a
odporno´sci ˛
a na zakłócenia, prac ˛
a w szerokim zakresie temperatur, du˙z ˛
a niezawodno´sci ˛
a działania
oraz pojedynczym napi˛eciem zasilania. Schemat ideowy standardowej bramki dwuwej´sciowej jest
przedstawiony na poni˙zszym rysunku.
R
1
4 k
Ω
R
2
1,6 k
Ω
R
3
1 k
Ω
R
4
130
Ω
T1
T2
T3
T4
A
B
D
Y
U
cc
Bramka NAND
laboratorium z Podstaw Elektroniki, AGH WFiIS
Podstawowe parametry techniczne bramek TTL serii standardowej:
Parametr
Warto´s´c
Napi˛ecie w stanie 0 (L) na wej´sciu układu
U
I
[V]
-0,5
. . . 0,8
Napi˛ecie w stanie 1 (H) na wej´sciu układu
U
I
[V]
2,0
. . . 5
Napi˛ecie w stanie 0 (L) na wyj´sciu układu
U
O
[V]
0
. . . 0,4
Napi˛ecie w stanie 1 (H) na wyj´sciu układu
U
O
[V]
2,4
. . . 4
Napi˛ecie zasilania
U
cc
[V]
5,0 ± 5%
´Sredni czas propagacji
t
psr:
[ns]
10
Typowa moc rozpraszania
P
s
[mW]
10
Temperatura pracy
t
amb
[
◦
C]
0
. . . 70
Obci ˛
a˙zalno´s´c
N
10
I
Badanie dwuwej´sciowej bramki NAND
7
11
10
12
13
14
9
8
1
2
3
4
5
6
UCY 7400
(widok z góry)
Pomiar charakterystyk
U
cc
= +5 V
I
cc
10 nF
U
I
U
O
H
1) Dla jednej z bramek wyznaczy´c charakterystyki:
a) charakterystyk˛e przeł ˛
aczenia U
O
= f(U
I
),
b) charakterystyk˛e poboru pr ˛
adu I
cc
= f(U
I
).
Wej´scia nieu˙zywanych pozostałych bramek podł ˛
aczy´c do masy układu. Wykona´c pomiar
w zakresie napi˛e´c wej´sciowych U
I
od 0 do 5,0 V.
2) Sprawdzi´c tablic˛e prawdy bramki NAND. Stany 0
(L) uzyska´c przez po ł ˛
aczenie wej´s´c z po-
tencjałem masy a stany 1
(H) przez poł ˛
aczenie wej´s´c do napi˛ecia zasilania.
Bramka NAND
laboratorium z Podstaw Elektroniki, AGH WFiIS
3) Zbada´c własno´sci dynamiczne bramki. Na wej´scie bramki poda´c krótki impuls prostok ˛
atny
o poziomach wymaganych dla układów TTL. Zmierzy´c czasy propagacji t
pHL
i t
pLH
, na
poziomie 1,5 V, obliczy´c ´sredni czas propagacji t
p
oraz czas narastania t
r
i czas opadania t
f
mi˛edzy poziomami 10% i 90% warto´sci ustalonej.
II
Przykłady zastosowania bramek NAND
1)
Układ formuj ˛
acy
skracaj ˛
acy czas trwania impulsu. Zbudowa´c i uruchomi´c układ. U˙zy´c
w tym celu dwóch układów UCY7400N. Zmierzy´c czas trwania impulsu wyj´sciowego t
w
oraz zin-
terpretowa´c ´sredni czas propagacji t
p
przypadaj ˛
acy na pojedyncz ˛
a bramk˛e.
n = 7
wej´scie
wyj´scie
L
H
t
w
2)
Generator samowzbudny
Zbudowa´c i uruchomi´c układ. Zmierzy´c okres drga´n i obli-
czy´c cz˛estotliwo´s´c pracy generatora.
n = 7
wyj´scie
L - stop
H - praca
T
3)
Multiwibrator monostabilny
Zbudowa´c i uruchomi´c układ dla warto´sci elementów
R
= 10kΩ, C = 1 nF. Przeprowadzi´c analiz˛e pracy układu na podstawie obserwacji przebiegów
napi˛eciowych w punktach od A do F. Zmierzy´c czas trwania impulsu wyj´sciowego t
w
i okre´sli´c
jego zale˙zno´s´c od stałej czasowej układu
τ
= RC.
U
cc
wej´scie
wyj´scie
L
H
A
B
C
D
E
F
t
w
C
R
(+5 V)
Bramka NAND
laboratorium z Podstaw Elektroniki, AGH WFiIS
III
Zastosowania bramki NAND w układach kombinacyjnych
Zbudowa´c układy dla realizacji poni˙zszych funkcji logicznych wykorzystuj ˛
ac bramki UCY7400.
Uruchomi´c je i wyznaczy´c stosowne dla nich tablice prawdy:
1) Układ sumy logicznej OR,
2) Układ funkcji ALBO (Exclusive–OR),
3) Multiplekser z 2 linii na jedn ˛
a (2 wej´scia informacyjne, 2 wej´scia adresowe, 1 wyj´scie),
4) Dekoder zadanej cyfry w kodzie BCD 8421,
5) Komparator dwóch liczb dwubitowych A i B.
IV
Okre´sli´c wyra˙zenie Boole’owskie Y
i
dla zadanej poni˙zej ta-
blicy prawdy
Zrealizowa´c układy z bramek NAND (UCY7400N).
A
B
C
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
1
V
Literatura:
1) Pienko´s, Turczy´nski — „Układy scalone TTL w systemach cyfrowych”.
2) Sasal — „Układy scalone serii UCA64/UCY74”.
3) Tietze, Schenk — „Układy półprzewodnikowe”.
4) Łakomy, Zabrodzki — „Cyfrowe układy scalone”.