5 5 Gibbs Langmuir monowarstwy 2

background image

Monowarstwy Gibbsa i

Langmuira

NANOTECHNOLOGIE MOLEKULARNE

wykład 5

background image

Interfejs Gaz/Ciecz

Związki powierzchniowo czynne w roztworze

Aktywność surfaktantów

Orientacja surfaktantów

Właściwości nadmiaru powierzchniowego

model Gibbsa
Adsorpcja na interfejsie powietzre /woda
(monowarstwa Gibbs)

Micelle

background image

Właściwości samo-organizacji

Lyophobe /
Hydrophobe

Lyophile /
Hydrophile

•Tendencja do zbierania się na
powierzchni interfejsu

•Tendencja do agregacji

Entropia (S)

energia swobodna
Gibbs (G)

=

preferowane

1.

2.

background image

Efekt stężenia

Amphiphile: Molekuły, które
maja obie części – hydrofilową
i hydrofobową

Znane jako:
Surfactants (U. S.)
Związki powierzchniowo
czynne

(Europa)

Ozeki, et al. (1978)

background image

Prawo o niezależności aktywności powierzchniowej

Każda część molekuły posiada lokalną energię
swobodną

Całkowita energia swobodna

E

s

(–OH) ~ 190 erg/cm

2

E

s

(–CH

3

) ~ 50 erg/cm

2

Zatem,

E

s

~ 140 erg/cm

2

,

Orientatacja na interfejsie

H

H

O

H

H

H

H

H

H

O

H

H

H

H

A dla kT ~ 410

–4

erg/cm

2

Daje rozkłąd Boltzmanna

exp(–E

s

/kT) ~ 10

5

Langmuir (1925)

background image

Sól

nieorganiczna

NaCl

Na
Cl

Air
Water

Ozeki, et al. (1978)

background image

Shaw (1992)

background image

Semiempiryczna zależność

[Szyszkowsky (1908)]

0

1

ln 1 C

B

a

s

s

= -

+

= surface tension of solution

0

= surface tension of pure liquid

B = characteristic constant for given series
C = concentration
a = characteristic constant for given compound

background image

Model Gibbsa powierzchni cieczy

Obszar

interfejsu

Modern treatment due to Guggenheim and Adam (1933)

 faza

(ciecz)

 faza

(para)

B

A

S

o

d

le

g

ło

ść

stężenie

background image

Model Gibbsa

background image

Powierzchniowy nadmiar stężenia

Jaycock & Parfitt (1986)

Graficznie

1

= A(EGH) - A(ABE)

2

= A(FGI) - A(CDF)

background image

Adsorpcja z roztworu :

termodynamika

1. Równanie Gibbs: układ wieloskładnikowy

Z równania Gibbs-Duhen:

0

i

i

i

n d

Ad

m

s

+

=

0

i

i

i

dG VdP SdT

dn

Ad

m

s

=

-

+

+

=

background image

2. Dwuskładnikowy system dla

interfejsu (inaczej niż dla objętości)

0

Ad

d

n

i

i

i

0

Ad

d

n

d

n

2

2

1

1

2

2

1

1

d

A

n

d

A

n

d

2

2

1

1

d

d

d

background image

3. Położenie powierzchni i znaczenie

nadmiaru powierzchniowego

1

1

2

2

d

d

d

s

m

m

-

=G

+G

Jeśli 

1

= 0, to oznacza brak nadmiaru powierzchniowego

rozpuszczalnika

2

2

d

d

s

m

=- G

Zatem znaczeniefizyczne 

2

jest określoneprzez położenie

powierzchni 

1

= 0,

to

jest,

2

jest

równa

różnicy

algebraicznej

pomiędzy

“przeszacowanej

(overestimated)”

i

“niedoszacowanej

(underestimated)” powierzchniami, gdy nadmiar powierzchniowy
rozpuszczalnika jest zero.

Zatem, nadmiar powierzchniowy substancji rozpuszczonej jest liczbą
moli substancji rozpuszczonej w próbce będących na powierzchni
minus liczba moli substancji rozpusczonej w próbce z objętości, dla
warunków tej samej ilości rozpuszczalnika, lub gdy nadmiar
powierzchniowy rozpuszczalnika jest równy zero.

background image

4. Zależność pomiędzy napięciem
powierzchniowym a nadmiarem
powierzchniowym

Dla stałej temperatury T=const, gdy 

1

= 0, nie ma nadmiaru

powierzchniowego rozpuszczalnika

2

2

d

d

s

m

=- G

0

2

2

2

ln

RT a

m m

=

+

2

2

2

2

ln

da

d

RTd a

RT

a

m =

=

2

2

2

2

1

ln

a

d

d

RT d a

RT da

s

s

G =-

=-

Zatem

2

2

2

2

1

ln

c

d

d

RT d c

RT dc

s

s

G =-

=-

background image

Dla dwóch składników (rozpuszczalnik, substancja
rozpuszczona)
i stałych T, P

1

2

1

2

1

2

1

2

s

s

s

s

n

n

d

d

d

d

d

A

A

s

m

m

m

m

=-

-

=- G

- G

a jest aktywnościa substancji rozpuszczonej

Wtedy,

gdzie

2

2

S

d

d

s

m

=- G

2

ln

d

RTd a

m =

Ostatecznie, ustawiając powierzchnie Gibbsa S tak by

1

1

0

s

dm

G

=

Przekształcając mamy:

1

2

2

1

ln

d

d

RT

d

d a

s

s

m

G =-

=-

Dla silnego elektrolitu o wzorze

A

m

B

n

,

a = [A]

m

[B]

n

Dla nieelektrolitów,

a = C, stężenie wynosi:

Gibbs
Monolayer
Equation

2

1

ln

s

s

G =-

=-

d

C d

RT

RT

d C

dC

background image

Tajima, et al. (1970)

SDS (C12-SO

4

Na

+

), a 1-1 electrolyte

Monowarstwa Gibbsa

C

d

d

RT ln

2

1

1

2

background image

Dane
eksperymentalne

Wartości G

2

dla 25ºC z pomiarów  na

granicy powietrze/woda

SDS0.0035 M

+31.6

50.0

DTAB0.0063

+28.6

50.0

NaCl1.0 M

–1.46

74

Glycine1.0 M

–3.71

72.9

Bulk

Surface

Solute (mol/L) (10

-11

mol/cm

2

)(mN/m)

stężenie

background image

Dla porównania powierzchniowego i objętościowego stężenia
wybieramy typową grubość interfejsu 10 Å
przykład:

8

3

3

2

11 mol

10 Å 10 cm

1

cm

L

NaCl

cm

10Å

1.46 10

0146

s

.

M

��

��

��

��

-

G

= -

=-

Zatem, [NaCl]

s

= 1.0 – .146  0.85 M

Podobnie, [SDS]

s

 1.2 M

(w porównaniu do c=0.0035 M w objętości)

Gibbs
Monolayer
Equation

2

1

ln

s

s

G =-

=-

d

C d

RT

RT

d C

dC

background image

Zachowanie się monowarstw
Gibbsa

Definicja:

ciśnienie powierzchniowe  = 

0

- 

uwaga:

wysokie   nieskie ;

d = –d

n-butanol (C

4

OH)

n-pentanol (C

5

OH)

n-hexanol (C

6

OH)

n-heptanol
(C

7

OH)

n-octanol (C

8

OH)

Posner, et al. (1952)

background image

Surface pressure ()

measured with a PLAWM
trough
(Pockels-Langmuir-Adam-
Wilson-McBain)

Note for dilute solutions (C,  ~ 0),  = bC

Adamson & Gast (1997)

1

PV

RT

=

%

[Compare:

for Ideal Gas]

1

2

1

n

C d

RT

A

dC

A

p

G = = =

%

Thus,

 get à from  vs. C

,

RT

RT

A

bC

~

1

So

b

dC

d

, and thus,

1

~

RT

A

background image

SDS – typowy surfaktant

background image

Proces micelaryzacji

Atkins (1994)

Niskie stężenie
surfaktanata

Wysokie stężenie
surfaktanta

background image

Wysokie stężenia surfaktanta (inne formy micel)

At high surfactant concentrations, the micellar structure can
change to more densely-packed forms.

Key:
(a) Spherical (anionic) micelle
(b) Spherical vesicle (bilayer)
(c) Cylindrical micelles
(d) Lamillar micelles

Shaw (1992)

Vesicle

Adamson & Gast (1997)

background image

Podsumowanie

Substancja rozpuszczona zmienia napięcie
powierzchniwe roztworu.

Organics lower surface tension.

Inorganics raise surface tension

.

Micele powstaja gdy osiągnięte jest stężenie
krytyczne critical micelle concentration (cmc)

silnie zależy od elektrolitu

1

2

2

1

ln

d

d

d

RT d a

s

s

m

G =-

=-

Nadmiar stężenia powierzchniwego

Monowarstwa Gibbsa zachowuje się tak jak gaz 2D

1

~

;

~

~

lim

0

0









RT

A

q

RT

A

RT

A

background image

The End

background image

Overview of Insoluble Monolayers

Spreading

Spreading Coefficients

Dynamics

Langmuir Monolayers

 Experimental Methods

 Compression Isotherms

 Equilibrium Spreading Pressure (ESP)

 Applications

Langmuir-Blodgett Films

Methods

Applications

background image

Langmuir Monolayers

• Molecules are insoluble in the solvent

• Molecules form a monolayer at the interface air-liquid

• The carbon chain possesses at least 12 Carbons

Langmuir Trough

background image

Spreading of Liquid on Liquid

spreading occurs for

A

> 

B

+ 

AB

spreading coefficient

S

B/A

= 

A

– (

B

+ 

AB

)

spreading occurs for

S

B/A

> 0

background image

The Spreading of Insoluble Molecules

Common sense:

Water evaporates

Oil and water don’t mix

Oil floats on water

Not so common sense:

How thin?
What does film look like?

Consider Oil spreading on water

background image

Amphiphilic molecules

background image

Quantifying Insoluble Monolayers:

The Film Balance

background image

The Film Balance

(“Langmuir Trough”)

Insoluble

Film

f

w

f

w

movable

barrier

floating

barrier

(1)

(2)

(3)

Define Surface Pressure:  = 

w

- 

f

background image

Langmuir
trough

background image

liquid

gas

solid

su

rf

a

ce

p

re

ss

u

re

mean molecular area

LE

LC

G

S

 = surface
pressure

= 

0

– 

Phases of Monomolecular Films


Document Outline


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
materialy, Wykorzystanie techniki monowarstw Langmuira w sensoryce

więcej podobnych podstron