WZMACNIACZE MOCY
• Specyficzne problemy
wzmacniaczy mocy
• Odprowadzenie ciepła
z tranzystora mocy
• Klasy pracy
wzmacniaczy
• Wzmacniacze mocy
klasy A
• Wzmacniacz ze
sprzężeniem
transformatorowym
• Przeciwsobne
wzmacniacze klasy
B i AB
• Charakterystyka
przejściowa i
zniekształcenia
nieliniowe
• Rozwiązania
układowe
wzmacniaczy klasy
AB
I
C
I
Cmax
0
P
T
C
C
C
max
(
)
25
0
U
CE
I
B
P
2
Drugie
przebicie
U
CE max
r
CES
(
)
T
C
j
150
0
Rys. 1. Użyteczny obszar charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego we
wzmacniaczu mocy
c
thj
c
j
C
R
T
T
P
max
max
j - złącze (junction)
c - korpus (case)
r - radiator (radiator)
a - otoczenie (ambient)
P
C
T
j
C
thj
R
thj c
C
thc
C
thr
R
thc r
R
thc a
R
thr a
T
c
T
r
T
a
( )
a
( )
r
( )
c
( )
j
Rys. 2. Cieplny schemat zastępczy tranzystora
T
Q
C
P
T
R
th
th
max
max
max
max
C
th
a
j
P
R
T
T
T
C
th
c
thj
a
thc
a
thr
r
thc
C
a
j
P
R
R
R
R
R
P
T
T
||
Rys. 3. Klasy pracy wzmacniaczy
n
k
k
h
h
h
h
h
2
2
..
.
2
4
2
3
2
2
=
1
I
I
h
k
k
Rys. 4. Wzmacniacz z obciążeniem rezystancyjnym w kolektorze:
a) schemat, b) charakterystyka robocza układu
CC
C
CQ
CC
CEQ
U
P
I
U
U
max
2
,
2
Lopt
C
CC
CQ
CC
CQ
CEQ
CQ
CEQ
CC
L
R
P
U
I
U
I
U
I
U
U
R
max
2
4
2
L
cm
L
R
U
P
2
2
CQ
L
Cm
cm
CEQ
CEQ
cm
I
R
U
I
U
U
U
U
min
CES
L
L
CEQ
CEQ
cm
r
R
R
U
U
U
U
min
1
- współczynnik wykorzystania napięcia
2
2
2
max
2
2
max
C
CQ
CEQ
cm
cm
L
P
I
U
I
U
P
max
0
2
2
1
C
CQ
CQ
CEQ
CQ
CC
C
CC
T
D
P
I
I
U
I
U
dt
t
i
U
T
P
4
2
2
2
max
max
2
max
max
C
C
D
L
P
P
P
P
%
25
4
1
2
max
max
max
C
L
P
P
CQ
cm
kI
I
'
1
/
,
max
in
in
CC
cm
U
U
k
U
k
U
2
2
max
4
1
k
P
k
P
k
D
L
Wzmacniacz z obciążeniem transformatorowym: a) schemat, b) charakterystyka robocza
CC
CQ
CC
CEQ
U
I
r
U
U
1
CQ
CEQ
cm
cm
L
I
U
I
U
R
'
L
L
opt
R
R
p
/
'
CQ
CEQ
D
I
U
P
CEQ
CEQ
cm
U
U
U
U
min
CEQ
U
U
/
1
min
CQ
CQ
cm
I
I
I
I
min
CQ
I
I
/
1
min
2
max
max
2
1
D
L
P
P
%
50
max
CQ
CC
cm
cm
L
I
U
I
U
P
2
2
2
2
max
CQ
CC
C
CC
T
D
I
U
dt
t
i
U
T
P
0
1
1
/
max
i
i
U
U
k
CEQ
cm
CQ
'
cm
U
k
k
U
I
k
k
I
,
'
max
2
2
2
2
1
k
k
P
P
k
D
L
1
D
L
D
C
P
P
P
P
CQ
CC
cm
cm
L
I
U
k
I
U
P
2
2
2
2
2
max
CQ
CC
C
CC
T
D
I
U
dt
t
i
U
T
P
0
1
u
i
'
u
i
"
T
1
T
2
U
CC
1
:
2
p
1
:
2
p
R
L
a)
b)
T
1
T
2
R
L
u
i
i
L
U
CC
U
CC
u
o
Uproszczone schematy ideowe przeciwsobnych wzmacniaczy klasy B:
a) transformatorowego, b) beztransformatorowego
Prosta pracy i przebiegi czasowe prądów kolektorów tranzystorów przeciwsobnego
wzmacniacza w klasie B.
CC
CEQ
CEQ
cm
U
U
U
U
U
min
CEQ
U
U
/
1
min
max
max
C
CQ
C
cm
I
I
I
I
max
max
2
1
2
1
C
CEQ
cm
cm
L
I
U
I
U
P
sr
CC
D
I
U
P
2
max
max
max
C
CQ
C
cm
sr
I
I
I
I
I
max
max
max
2
2
C
CC
CQ
C
CC
D
I
U
I
I
U
P
4
max
max
max
D
L
P
P
%
5
,
78
4
max
1
0
k
CEQ
cm
C
cm
U
k
U
kI
I
'
max
'
,
max
2
L
L
P
k
P
max
D
D
kP
P
max
k
k
Zależności mocy
dostarczonej, mocy
wyjściowej, mocy strat i
sprawności
od współczynnika
wystero-wania
wzmacniacza klasy B
max
2
max
L
D
L
D
C
P
k
P
k
P
P
P
2
2
m
k
k
max
2
max
2
max
1
1
C
CC
C
CEQ
C
I
U
I
U
P
Wzmacniacze
klasy D
1
2
3
5
4
Stopień
wyjściowy
klasy D
FDP
4
5
1
2
3
Komp
Idea wzmacniacza klasy D
Stopnie końcowe wzmacniaczy klasy D z reguły
budowane są w oparciu o tranzystory VDMOS, które
wykazują wiele zalet w porównaniu z tranzystorami
bipolarnymi.
Straty mocy w tranzystorach MOSFET stopnia
końcowego składają się głównie z trzech składowych:
- straty mocy w stanie załączenia
(przewodzenia) tranzystorów,
- straty mocy wydzielane w procesach
przełączania tranzystorów,
- straty mocy wydzielone w obwodach
bramek tranzystorów.
GATE
SW
COND
TOTAL
P
P
P
P
COND
P
SW
P
GATE
P
a)
M
1
M
2
Przełączanie prądu
Prąd obciążenia
ZZ
U
ZZ
U
Prąd obciążenia
Przełączanie prądu
M
1
M
2
M
3
M
4
ZZ
U
b)
c)
ZZ
U
O
U
ZZ
U
ZZ
U
d)
ZZ
L
sw
ZZ
ZZ
C
R
f
U
U
8
Stopnie końcowe wzmacniacza klasy D: a) półmostkowy, b)
pełny mostek,
c) klucz tranzystorowy MOSFET, d) napięcie na szynach
zasilających
Napięcia sterujące tranzystorami stopnia
końcowego
Górna gałąź
Dolna gałąź
ON
OFF
ON
OFF
DH
t
DL
t
Czas martwy górnej gałęzi
Czas martwy dolnej gałęzi
GS
u
OUT
P
f
, dla r
óżnych
)
ON
(
DS
R i tych samych strat przełączania
SW
P
Układ półmostkowy:
ZZ
U =35V,
sw
f =395KHz,
in
f =1KHz,
L
R =4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
80%
82%
84%
86%
88%
90%
92%
94%
96%
98%
100%
Pout (W)
E
f
ic
ie
n
c
y
1% THD
10% THD
RDS(on)=51mOhm
RDS(on)=95mOhm
OUT
P
f
N
THD
, dla różnych czasów martwych
D
t i tych
samych
g
Q
Układ mostkowy:
ZZ
U =40V,
sw
f =800KHz,
L
R =8
0,1
1
10
100
Pout (W)
T
H
D
+
N
[
%
]
1% THD
Qg=13nC
3
10
1
30
100
MOSFET Qg = 13nC
Dead Time = 12ns
Dead Time = 4ns
Charakterystyka przejściowa układu z rys.6 b i ilustracja zniekształceń
nielinowych
Rys. 10. Wzmacniacz klasy AB: a) układ wstępnej polaryzacji i stabilizacji
punktów pracy tranzystorów, b) charakterystyka przejściowa wzmacniacza
U
CC
U
CC
u
o
u
i
D
D
R
E
R
E
R
L
T
3
T
2
T
1
I
p
Przeciwsobny wzmacniacz w klasie AB. Zastapienie jednego ze źródeł
prądowych wzmacniaczem w konfiguracji OE
a)
b)
U
CC
U
CC
U
CC
U
CC
I
p
I
p
R
R
R
E
R
E
R
E
R
E
R
L
R
L
D
D
D
D
u
i
u
i
u
o
u
o
T
3
T
3
T
1
T
1
'
T
1
T
1
'
T
2
T
2
'
T
2
'
T
2
R
E3
R
Wzmacniacze mocy klasy AB z układami Darlingtona: a) przeciwstawny,
b) quasi-przeciwstawny
a)
R
1
D
D
2
R
L
u
o
u
i
U
CC
U
CC
T
1
T
2
R
1
b)
D
R
2
R
L
u
o
u
i
R
D
2
U
CC
U
CC
T
2
T
1
T
3
T
1
'
i
o
Przeciwsobny wzmacniacz klasy AB z diodą kluczującą:
a) schemat podstawowy, b) z układem Darlingtona
Układ
polaryzacji
i
sterowania
DD
U
DD
U
Sprzężenie
zwrotne
+
in
i
Przedwzmacniacz
Wzmacniacze klasy AB z tranzystorami VDMOS w stopniu
końcowym
+
U
CC
U
DD
U
DD
U
CC
R
1
R
E
R
L
u
o
u
i
C
1
I
T
3
T
2
T
1
T
4
T
5
Schemat ideowy wzmacniacza mocy w klasie AB z tranzystorami
VDMOS (symetryczny wtórnik źródłowy)
Schemat blokowy wzmacniacza klasy D firmy
International Rectifier
Monolityczne wzmacniacze akustyczne
klasy D LX1710/1711 i MSC-LX1790 należą
do
najnowszych
rozwiązań
firmy
Microsemi-Linfinity. Układ LX1710/1711
jest przeznaczony do zastosowania w
urządzeniach z zasilaniem bateryjnym,
które wymagają wysokiej sprawności.
Układ ZXCD1000, opracowany w firmie
ZETEX, jest przykładem monolitycznego,
akustycznego wzmacniacza klasy D o
wysokich
parametrach
wyjściowych.
Wzmacniacz ten w układzie pełnego
mostka
zapewnia
100Wrms
mocy
wyjściowej,
współczynnik
zawartości
harmonicznych THD jest mniejszy niż 0,2%
w
całym
pasmie
akustycznym
(przy
otwartej pętli sprzężenia zwrotnego) a
sprawnośc jest większa od 90% w całym
zakresie mocy.
Firma National Semiconductor produkuje
trzy monolityczne wzmacniacze klady D
(LM4651, LM4652 i LM4663). Dwa pierwsze
układy tworzą zestaw, który składa się z
kontrolera
klasy
D
(LM4651)
oraz
monolitycznego
stopnia
mocy
(LM4652)
zawierającego cztery tranzystory MOSFET w
układzie
pełnego
mostka.
Tworzą
one
kompletny układ akustycznego wzmacniacza
mocy klasy D z modulacją PWM. Cechą
charakterystyczną
tych
układów
jest
stosunkowo niewielkie pasmo przenoszenia
(10Hz-500kHz). Są one przeznaczone do
zasilania
subniskotonowych
urządzeń
głośnikowych
dużej
mocy
(powyżej
kilkudziesięciu watów.
Na wyróżnienie zasługują hybrydowe rozwiązania
wzmacniaczy
klasy
D
firmy
APEX
Microtechnology.
Produkowane
wzmacniacze
znajdują zastosowania nie tylko do wzmacniania
sygnałów akustycznych, ale przede wszystkim do
sterowania urządzeń dużej mocy (od kilkuset
watów
do
kilku
kilowatów).
Jednym
z
produkowanych układów tej firmy jest układ
SA07, który może dostarczyć ok. 200W ciągłej
mocy przy rezystancji obciążenia 8, nominalnej
sprawności 94% oraz częstotliwości przełączania
sygnału PWM równej ok. 500kHz. Stopień
wyjściowy układu SA07 pracuje w układzie
pełnego mostka, w szerokim zakresie napięć
zasilania 540V.
Innym, bardzo ciekawym rozwiązaniem
wzmacniacza mocy z modulacją szerokości
impulsów firmy APEX jest wzmacniacz SA08.
Wzmacniacz ten dopuszcza szeroki zakres
napięcia zasilającego od 16 do 500V, 20A prądu
obciążenia i 100C temperatury obudowy.
Mostkowy stopień wyjściowy, zbudowany z
tranzystorów IGBT może dostarczyć do
obciążenia mocy 9kW, przy sprawności =98%.
Posiada podobne zabezpieczenia jak układ
SA07. Częstotliwość przełączania wynosi
22,5kHz, dlatego jest to wzmacniacz
przeznaczony do sterowania urządzeń dużej
mocy, takich jak napędy silników elektrycznych,
sonary magnetyczne, zgrzewarki przemysłowe,
autonomiczne kontrolery itp. Umieszczony jest
w hermetycznej obudowie 12-pinowej typu MO-
127, o wymiarach: 59x41x6,8[mm]
Obudowa i opis wyprowadzeń układu SA08 firmy
APEX