background image

Warstwa zwilżająca 
Pb na Si(111)-(77)

 

Sylwia Bilińska 

background image

Plan prezentacji

1.

Modele wzrostu warstw adsorpcyjnych 

2.

Badania Pb/Si(111)-(77) metodą LEED i XPS

3.

Modele warstwy zwilżającej Pb na Si(111)-(77)

4.

Nierównowagowe zachowanie warstwy zwilżającej

5.

Zależność warstwy zwilżającej od szybkości 

parowania Pb na Si(111)-77

6.

Literatura

 

background image

Modele wzrostu

background image

Modele wzrostu

W przypadku warstw ultracienkich z zakresu grubości do kilku monowarstw 

istotnym

czynnikiem jest niedopasowanie stałych sieci podłoża i adsorbatu wyrażane 

jako: 

gdzie: a

pod

 – stała sieci w płaszczyźnie podłoża,          

epi

 - stała sieci w płaszczyźnie warstwy 

naparowywanej.

• ε>0

 występowanie w rosnącej warstwie 

naprężeń rozciągających w płaszczyźnie i 
ściskających w kierunku wzrostu. 

•  

ε<0

 występują naprężenia ściskające w 

płaszczyźnie i rozciągające w kierunku 
wzrostu.

background image

Modele wzrostu

background image

Pb na Si(111)-(77) – obrazy LEED

 

a) czysty Si (111), b) 0.40 ML ołowiu , c) 0.87 ML 
and d) 1.22 ML.

Badanie  metodą LEED,wykonane przez autorkę.

background image

Modele warstwy zwilżającej Pb na Si(111)-(77)

 

background image

 Modele warstwy zwilżającej Pb na Si(111)-(77)

 

background image

Modele warstwy zwilżającej Pb na Si(111)-(77)

 

M. Gramlich ‚X-RAY DIFFRACTION STUDIES ON THE Pb/Si(111) STRUCTURE’,  Praca  
doktorska ,  2011

M. Gramlich ‚X-RAY DIFFRACTION STUDIES ON THE Pb/Si(111) STRUCTURE’,  Praca  
doktorska ,  2011

Pokrycie Pb ∼0.75ML

background image

Nierównowagowe zachowanie warstwy 
zwilżającej Pb na Si(111)-(77)

 

background image

Nierównowagowe zachowanie warstwy 
zwilżającej Pb na Si(111)-(77)

 

background image

Zależność warstwy zwilżającej od szybkości 
strumienia Pb na powierzchnię Si(111)-77

 

LEED patterns of (I) Si(1 1 1)7 × 7 at 75 eV energy, (II) for 0.5 ML Pb at 
flux rate 0.05 ML/min at 75 eV, (III) Si(1 1 1)1 × 1 at 45 eV energy, for 
1 ML lead at flux rate of 0.05 ML/min, (IV) for 1 ML lead at flux rate of 
0.22 ML/min at 63 eV, and (V) Si(1 1 1 )1 × 1 at 45 eV energy, for 2.2 ML 
lead at flux rate of 0.22 ML/min.

background image

Literatura 

1.

Crystal growth for beginners. 2nd edition. Edited by Ivan V 

Markov. World Scientific Press, p. 564. 

2.

S. Mróz, Spektroskopia Elektronów Augera, Wydawnictwo 

Uniwersytetu Wrocławskiego, Wrocław 1992,

3.

Grey, F. et al., Colloq. Phys.1989, 50(C7). 181-187.

4.

E. Ganz  et al.

Surf. Sci. 257 (1991), p. 259

5.

Gramlich M.W. praca doktorska (2011)

6.

Gramlich M.W. et al., Phys. Rev. B 84 (2011), p. 075433 

7.

M. Kesaria et al., App. Surf. Sci, 256, (2009), p. 576

background image

Dziękuję za uwagę


Document Outline