Politechnika Świętokrzyska |
||
Labolatorium Elektronika |
||
Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki
|
||
Ćwiczenie: 1 |
Badanie Diod Półprzewodnikowych |
Data wykonania: 25 X 2012 |
Zespół nr 2 1. Wojciech Popiel 2. Przemysław Janicki 3. Łukasz Pluta 4. Arkadiusz Orliński |
Ocena: |
1. Wstęp:
Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych diod półprzewodnikowych prostowniczych krzemowej, germanowej oraz diody elektroluminescencyjnej w kierunkach przewodzenia i zaporowym, oraz charakterystyki diody Zenera w kierunku zaporowym.
2. Przebieg ćwiczenia – opracowanie wyników:
2.1 Wyznacznie charakterystyk diod w kierunku przewodzenia:
Rys.
1. Układy do pomiaru charakterystyk diod w kierunku przewodzenia.
Lp. |
1N4002 - D3 |
DZG7 - D2 |
L – 53 YD - D6 |
L – 53 MBDL - D7 |
||||
IF [mA] |
UF [V] |
IF [mA] |
UF [mV] |
IF [mA] |
UF [V] |
IF [mA] |
UF [V] |
|
1. |
0,1 |
0,462 |
0,1 |
65,3 |
0,1 |
1,666 |
0,1 |
2,961 |
2. |
1 |
0,557 |
1 |
154,8 |
0,2 |
1,695 |
0,2 |
3,063 |
3. |
2 |
0,590 |
2 |
187,4 |
0,4 |
1,725 |
0,4 |
3,153 |
4. |
4 |
0,623 |
4 |
219,7 |
0,6 |
1,743 |
0,6 |
3,203 |
5. |
6 |
0,642 |
6 |
240,1 |
0,8 |
1,758 |
0,8 |
3,236 |
6. |
8 |
0,656 |
8 |
254,6 |
1 |
1,769 |
1 |
3,264 |
7. |
10 |
0,666 |
10 |
265,7 |
2 |
1,810 |
2 |
3,349 |
8. |
12 |
0,675 |
12 |
275,0 |
3 |
1,836 |
3 |
3,406 |
9. |
14 |
0,682 |
14 |
282,9 |
4 |
1,858 |
4 |
3,452 |
10. |
16 |
0,688 |
16 |
289,9 |
5 |
1,878 |
5 |
3,494 |
11. |
18 |
0,693 |
18 |
295,9 |
6 |
1,894 |
6 |
3,531 |
12. |
20 |
0,698 |
20 |
301,5 |
7 |
1,911 |
7 |
3,565 |
13. |
22 |
0,702 |
22 |
306,6 |
8 |
1,925 |
8 |
3,596 |
14. |
24 |
0,706 |
24 |
311,3 |
9 |
1,940 |
9 |
3,627 |
15. |
26 |
0,710 |
26 |
315,5 |
10 |
1,954 |
10 |
3,657 |
Tabela 1. Pomiary charakterystyk diod prostowniczych i elektroluminescencyjnych w kierunku przewodzenia (wyniki uzyskane w trakcie badania pisane kursywą, wartości, dla których wykonano obliczenia zostały wyróżnione pogrubieniem).
Rezystancje statyczna oraz dynamiczna dla diod kremowej i germanwej w kierunku przewodzenia:
Rezystancję statyczną oblicza się dzieląc napięcie przez prąd dla danego punktu pomiarowego. Przyjęto punkt pomiarowy nr 7, dla którego IF = 10 [mA], a UF = 0,666 [V] (dioda krzemowa) oraz UF = 265,7 [mV] (dioda germanowa).
Dioda krzemowa (punkt nr 7): UF = 0,666 [V], IF = 10 [mA]
Rezystancja statyczna diody krzemowej: rsk = 66,6 [Ω] |
Dioda germanowa (punkt nr 7): UF = 265,7 [mV], IF = 10 [mA]
Rezystancja statyczna diody germanowej: rsg = 26,57 [mΩ] |
Rezystancję dynamiczą oblicza się dzieląc przyrost napięcia przez przyrost prądu. Przyjmując punk pomiarowy nr 7 należy rezystancję dynamiczną obliczyć dzieląc przyrost napięcia od punktu pomiarowego nr 6 do punktu pomiarowego nr 8 przez przyrost prądu miedzy tymi punktami pomiaru. Przyjęto, że przyrosty ΔU oraz ΔI nie są nieskończenie małe (dU, dI), i zawierają się miedzy punktem 6 a punktem 8 pomiarów.
Dioda krzemowa (dla punktu nr 7): UF6 = 0,656 [V], IF6 = 8 [mA] UF8 = 0,675 [V], IF8 = 12 [mA]
Rezystancja dynamiczna diody krzemowej: Rdk = 4,75 [Ω] |
Dioda germanowa (dla punktu nr 7): UF6 = 254,6 [mV], IF6 = 8 [mA] UF8 = 275 [mV], IF8 = 12 [mA]
Rezystancja dynamiczna diody germanowej: Rdg = 5,1 [mΩ] |
Wykresy charakterystyk przewodzenia wykonane na podstawie wyników pomiarów:
2.2 Wyznacznie charakterystyk diod w kierunku zaporowym:
Rys.
2. Układy do pomiaru charakterystyk diod w kierunku zaporowym.
Lp. |
1N4002 - D3 |
DZG7 - D2 |
||
UF [V] |
IF [μA] |
UF [V] |
IF [μA] |
|
1. |
-2 |
0 |
-2 |
-21,3 |
2. |
-4 |
0 |
-4 |
-21,7 |
3. |
-6 |
0 |
-6 |
-22 |
4. |
-8 |
0 |
-8 |
-22,3 |
5. |
-10 |
0 |
-10 |
-22,6 |
6. |
-12 |
0 |
-12 |
-23 |
7. |
-14 |
0 |
-14 |
-23,8 |
8. |
-16 |
0 |
-16 |
-25,2 |
9. |
-18 |
0 |
-18 |
-26,6 |
10. |
-20 |
0 |
-20 |
-29,6 |
11. |
-22 |
0 |
-22 |
-32,6 |
12. |
-24 |
0 |
-24 |
-35,6 |
13. |
-26 |
0 |
-26 |
-38,6 |
14. |
-28 |
0 |
-28 |
45 |
15. |
-30 |
0 |
-30 |
48,8 |
Tabela 2. Pomiary charakterystyk diod prostowniczych i elektroluminescencyjnych w kierunku zaporowym (wyniki uzyskane w trakcie badania pisane kursywą).
Wykresy charakterystyk zaporowych wykonane na podstawie wyników pomiarów:
2.3 Wyznacznie charakterystyk diod Zenera w kierunku zaporowym:
Rys.
3. Układy do pomiaru charakterystyk diod Zenera w kierunku
zaporowym.
Lp. |
5V6 |
7V5 |
8,2V |
10V |
||||
IF [mA] |
UF [V] |
IF [mA] |
UF [V] |
IF [mA] |
UF [V] |
IF [mA] |
UF [V] |
|
1. |
-0,1 |
-5,14 |
-0,1 |
-7,16 |
-0,1 |
-7,99 |
-0,1 |
-9,81 |
2. |
-1 |
-5,51 |
-1 |
-7,17 |
-1 |
-8,00 |
-1 |
-9,89 |
3. |
-2 |
-5,52 |
-2 |
-7,17 |
-2 |
-8,00 |
-2 |
-9,92 |
4. |
-4 |
-5,53 |
-4 |
-7,18 |
-4 |
-8,01 |
-4 |
-9,95 |
5. |
-6 |
-5,53 |
-6 |
-7,18 |
-6 |
-8,01 |
-6 |
-9,97 |
6. |
-8 |
-5,53 |
-8 |
-7,18 |
-8 |
-8,02 |
-8 |
-9,99 |
7. |
-10 |
-5,53 |
-10 |
-7,19 |
-10 |
-8,02 |
-10 |
-10,00 |
8. |
-12 |
-5,54 |
-12 |
-7,19 |
-12 |
-8,03 |
-12 |
-10,01 |
9. |
-14 |
-5,54 |
-14 |
-7,19 |
-14 |
-8,03 |
-14 |
-10,02 |
10. |
-16 |
-5,54 |
-16 |
-7,20 |
-16 |
-8,04 |
-16 |
-10,03 |
11. |
-18 |
-5,54 |
-18 |
-7,20 |
-18 |
-8,04 |
-18 |
-10,04 |
12. |
-20 |
-5,53 |
-20 |
-7,20 |
-20 |
-8,04 |
-20 |
-10,05 |
13. |
-22 |
-5,55 |
-22 |
-7,20 |
-22 |
-8,07 |
-22 |
-10,06 |
14. |
-24 |
-5,55 |
-24 |
-7,20 |
-24 |
-8,06 |
-24 |
-10,07 |
15. |
-26 |
-5,55 |
-26 |
-7,20 |
-26 |
-8,06 |
-26 |
-10,07 |
Tabela 3. Pomiary charakterystyk diod Zenera w kierunku zaporowym. (wyniki uzyskane w trakcie badania pisane kursywą, wartości, dla których wykonano obliczenia zostały wyróżnione pogrubieniem)
Rezystancje statyczna oraz dynamiczna dla diod Zenera w kierunku zaporowym:
Rezystancja statyczna:
Dioda Zenera 5V6 (punkt nr 7): UF = -5,53 [V], IF = -10 [mA]
Rezystancja statyczna diody Zenera 5V6: rsZ5V6 = 553 [Ω] |
Dioda Zenera 7V5 (punkt nr 7): UF = -7,19 [V], IF = -10 [mA]
Rezystancja statyczna diody Zenera 7V5: rsZ7V5 = 719 [mΩ] |
Dioda Zenera 8,2V (punkt nr 7): UF = -8,02 [V], IF = -10 [mA]
Rezystancja statyczna diody Zenera 8,2V: rsZ8,2V = 802 [Ω] |
Dioda Zenera 10V (punkt nr 7): UF = -10,00 [V], IF = -10 [mA]
Rezystancja statyczna diody Zenera 10V: r sZ10V = 1000 [Ω] |
Obliczenia wykonane zostały w taki sam sposób jak te w części 2.1.
Rezystancja dynamicza:
Dioda Zenera 5V6 (dla punktu nr 7): UF6 = -5,53 [V], IF6 = -8 [mA] UF8 = -5,54 [V], IF8 = -12 [mA]
Rezystancja dynamiczna diody krzemowej: RdZ5V6 = 2,5 [Ω] |
Dioda Zenera 7V5 (dla punktu nr 7): UF6 = -7,18 [V], IF6 = -8 [mA] UF8 = -7,19 [V], IF8 = -12 [mA]
Rezystancja dynamiczna diody germanowej: RdZ7V5 = 2,5 [mΩ] |
Dioda Zenera 8,2V (dla punktu nr 7): UF6 = -8,02 [V], IF6 = -8 [mA] UF8 = -8,03 [V], IF8 = -12 [mA]
Rezystancja dynamiczna diody krzemowej: RdZ8,2V = 2,5 [Ω] |
Dioda Zenera 10V (dla punktu nr 7): UF6 = -9,99 [V], IF6 = -8 [mA] UF8 = -10,01 [V], IF8 = -12 [mA]
Rezystancja dynamiczna diody germanowej: RdZ10V = 5 [Ω] |
Obliczenia wykonane zostały w taki sam sposób jak te w części 2.1.
Wykresy charakterystyk zaporowych diod Zenera wykonane na podstawie wyników pomiarów:
3. Wnioski: