Tranzystor bipolarny BJT stanowi połaczenie dwuch półprzewodnikowych

złączy PN wytworzonych w jednej płytce półprzewodnika. W ten sposób

procesy zachodzace w jednym złaczu odziałauja na drugie. Mozliwe jest

dwojakie uszeregowanie obszarów o róznym typie przewodnictwa.

Struktura półprzewodnika tranz jest umieszczona w herytycznie .
Zamknietej obudowie metalowej, ceramicznej lub plastikowej. W trabzystorach

średniej i duzej mocy obudowa umozliwia skuteczne odprowadzanie ciepła.

Zasada działania:przez złacze BE tranzystora NPN przepływaja nosniki

wiekszościowe ładunku, wtym przede wszystkim elektrony swobodne z

emitera do bazy. Również dziury z obszaru bazy przepływaja przez złacze

do emitera. Mniejsza cześc elektronów swobodnych po osiagnieciu obszaru

bazy wypełnia istniejace tam dziury czyli podlega procesom rekombinacji.

Znacznie wieksza cześć elektronu swobodnych po znalezieniu się w obszarze

bazy jest przyciagana przez kolektor. Kolektor posiada wyzszy potencjał od

bazy i elektrony przepływaja przez złacze BC spolaryzowane zaporowo.

Wypływajace z emitera elektrony swobodne tworza prad emietera Ie który

rozdziela się na mały prad Bazy Ib i duzy prad kolektora Ic.