Politechnika Świętokrzyska
Laboratorium Elektronika
Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki
Ćwiczenie: 3	Badanie tranzystorów bipolarnych	Data wykonania: 22 XI 2012
Grupa 13A ; zespół nr 2 1. Przemysław Janicki 2. Łukasz Pluta		Ocena:

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk tranzystora bipolarnego n-p-n.

2. Schematy pomiarowe, parametry H, tabele pomiarowe:

2.1. Układ do pomiaru charakterystyk tranzystora bipolarnego n-p-n:

2.2. Wyznacznie prametrów H:

2.2.1 Wyznaczenie parametrów H_e w układzie WE dla punktu P:

2.2.2 Wyznaczenie parametrów H_b w układzie WE dla punktu P:

2.2.3 Wyznaczenie parametrów H_c w układzie WE dla punktu P:

2.3 Pomiary charakterystyki tranzystora bipolarnego:

Lp.	U_CE	I_B=1μA		I_B=2μA		I_B=4μA		I_B=6μA		I_B=8μA		I_B=10μA		I_B=12μA		I_B=14μA		I_B=16μA		I_B=18μA		I_B=20μA
	U_CE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE	I_C	U_BE
	[V]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]
1.	0,1	0,06	565	0,14	588	0,32	609	0,45	618	0,58	625	0,70	629	0,86	635	0,99	639	1,17	642	1,37	646	1,49	648
2.	0,2	0,15	588	0,36	611	0,75	630	1,21	643	1,61	650	2,0	656	2,50	662	2,90	666	3,27	669	3,72	673	4,08	676
3.	0,4	0,15	588	0,38	612	0,79	631	1,27	644	1,69	651	2,17	658	2,64	663	3,12	668	3,55	671	4,02	674	4,48	677
4.	0,6	0,16	589	0,38	612	0,79	631	1,27	644	1,70	651	2,17	658	2,65	663	3,13	668	3,56	671	4,03	674	4,49	677
5.	0,8	0,16	589	0,38	612	0,79	631	1,27	643	1,70	651	2,18	658	2,65	663	3,14	668	3,57	671	4,04	674	4,51	677
6.	1	0,16	589	0,38	612	0,80	631	1,28	643	1,70	651	2,18	658	2,66	663	3,15	667	3,57	671	4,06	674	4,51	677
7.	2	0,16	589	0,39	612	0,80	631	1,29	643	1,72	651	2,20	657	2,68	662	3,17	667	3,60	670	4,09	673	4,56	676
8.	3	0,16	589	0,39	612	0,81	630	1,30	643	1,73	650	2,22	656	2,70	661	3,20	666	3,64	669	4,13	672	4,61	674
9.	4	0,16	589	0,39	612	0,81	630	1,31	642	1,74	649	2,23	655	2,72	661	3,23	665	3,67	667	4,17	670	4,65	673
10.	5	0,16	589	0,39	612	0,82	630	1,31	642	1,75	649	2,25	655	2,74	659	3,25	663	3,70	666	4,21	669	4,69	671
11.	6	0,16	589	0,39	612	0,82	629	1,32	641	1,76	648	2,26	654	2,76	659	3,28	661	3,73	665	4,24	667	4,74	669
12.	7	0,16	589	0,40	611	0,82	629	1,33	640	1,77	647	2,28	653	2,78	657	3,30	660	3,76	663	4,27	665	4,78	667
13.	8	0,16	589	0,40	611	0,83	629	1,33	640	1,78	646	2,29	652	2,80	656	3,33	659	3,78	661	4,31	663	4,82	665
14.	9	0,16	589	0,40	611	0,83	628	1,34	639	1,80	645	2,31	651	2,82	655	3,35	658	3,82	660	4,35	662	4,86	663
15.	10	0,16	589	0,40	611	0,83	628	1,35	639	1,80	645	2,32	650	2,84	654	3,37	657	3,85	658	4,38	661	4,90	661

Tab. 1 Punkt dla których wykonano obliczenia zaznaczone pogrubieniem i podkreśleniem.

3. Wnioski:

Otrzymane w czasie pomiarów wyniki pozwoliły wykreślić charakterystyki badanych tranzystorów bipolarnych, które były niemal całkowicie zgodne z tymi teoretycznymi. W porównaniu otrzymanych charakterystyk i tych teoretycznych widać pewne różnice, lecz częściowo wynikają one z błędów w odczycie wartości mierników, a takrze z tego, że badane elementy w czasie prcy grzeją się co ma wpływ na ich pracę, co za tym idzie charakterystyki.

4/4