Politechnika Świętokrzyska
Laboratorium Elektronika
Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki
Ćwiczenie: 3	Badanie tranzystorów bipolarnych	Data wykonania: 22 XI 2012
Grupa 13A ; zespół nr 2 1. Przemysław Janicki 2. Łukasz Pluta		Ocena:

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk tranzystora bipolarnego n-p-n.

2. Schematy pomiarowe, parametry H, tabele pomiarowe:

2.1. Układ do pomiaru charakterystyk tranzystora bipolarnego n-p-n:

2.2. Wyznacznie prametrów H:

2.2.1 Wyznaczenie parametrów H_e w układzie WE dla punktu P:

2.2.2 Wyznaczenie parametrów H_b w układzie WE dla punktu P:

2.2.3 Wyznaczenie parametrów H_c w układzie WE dla punktu P:

2.3 Pomiary charakterystyki tranzystora bipolarnego:

Lp.	UCE	IB=1μA		IB=2μA		IB=4μA		IB=6μA		IB=8μA		IB=10μA		IB=12μA		IB=14μA		IB=16μA		IB=18μA		IB=20μA
		IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE	IC	UBE
	[V]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]	[mA]	[mV]
1.	0,1	0,06	565	0,14	588	0,32	609	0,45	618	0,58	625	0,70	629	0,86	635	0,99	639	1,17	642	1,37	646	1,49	648
2.	0,2	0,15	588	0,36	611	0,75	630	1,21	643	1,61	650	2,0	656	2,50	662	2,90	666	3,27	669	3,72	673	4,08	676
3.	0,4	0,15	588	0,38	612	0,79	631	1,27	644	1,69	651	2,17	658	2,64	663	3,12	668	3,55	671	4,02	674	4,48	677
4.	0,6	0,16	589	0,38	612	0,79	631	1,27	644	1,70	651	2,17	658	2,65	663	3,13	668	3,56	671	4,03	674	4,49	677
5.	0,8	0,16	589	0,38	612	0,79	631	1,27	643	1,70	651	2,18	658	2,65	663	3,14	668	3,57	671	4,04	674	4,51	677
6.	1	0,16	589	0,38	612	0,80	631	1,28	643	1,70	651	2,18	658	2,66	663	3,15	667	3,57	671	4,06	674	4,51	677
7.	2	0,16	589	0,39	612	0,80	631	1,29	643	1,72	651	2,20	657	2,68	662	3,17	667	3,60	670	4,09	673	4,56	676
8.	3	0,16	589	0,39	612	0,81	630	1,30	643	1,73	650	2,22	656	2,70	661	3,20	666	3,64	669	4,13	672	4,61	674
9.	4	0,16	589	0,39	612	0,81	630	1,31	642	1,74	649	2,23	655	2,72	661	3,23	665	3,67	667	4,17	670	4,65	673
10.	5	0,16	589	0,39	612	0,82	630	1,31	642	1,75	649	2,25	655	2,74	659	3,25	663	3,70	666	4,21	669	4,69	671
11.	6	0,16	589	0,39	612	0,82	629	1,32	641	1,76	648	2,26	654	2,76	659	3,28	661	3,73	665	4,24	667	4,74	669
12.	7	0,16	589	0,40	611	0,82	629	1,33	640	1,77	647	2,28	653	2,78	657	3,30	660	3,76	663	4,27	665	4,78	667
13.	8	0,16	589	0,40	611	0,83	629	1,33	640	1,78	646	2,29	652	2,80	656	3,33	659	3,78	661	4,31	663	4,82	665
14.	9	0,16	589	0,40	611	0,83	628	1,34	639	1,80	645	2,31	651	2,82	655	3,35	658	3,82	660	4,35	662	4,86	663
15.	10	0,16	589	0,40	611	0,83	628	1,35	639	1,80	645	2,32	650	2,84	654	3,37	657	3,85	658	4,38	661	4,90	661

Tab. 1 Punkt dla których wykonano obliczenia zaznaczone pogrubieniem i podkreśleniem.

3. Wnioski:

Otrzymane w czasie pomiarów wyniki pozwoliły wykreślić charakterystyki badanych tranzystorów bipolarnych, które były niemal całkowicie zgodne z tymi teoretycznymi. W porównaniu otrzymanych charakterystyk i tych teoretycznych widać pewne różnice, lecz częściowo wynikają one z błędów w odczycie wartości mierników, a takrze z tego, że badane elementy w czasie prcy grzeją się co ma wpływ na ich pracę, co za tym idzie charakterystyki.

4/4