POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE |
|||
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI |
Ćwicz. nr 1 |
||
TEMAT: BADANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH TANZYSTORA |
|||
WYKONALI:
|
GRUPA: II |
DATA: 24.04.2016 |
OCENA: |
Celem ćwiczenia jest wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p. w układzie WB i WE. Następnie określenie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych.
1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB.
Pomiary przeprowadza się w układzie przedstawionym na rys.1:
Rys 1. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB
1.1 Charakterystyka wejściowa Ie=f(Ueb) przy Ucb=const.
Charakterystyka przejściowa Ic=f(Ie) przy Ucb=const.
Wyniki pomiarów przedstawia poniższa tabela:
Tabela 1
UCB=9 V |
UCB=7 V |
UCB=5 V |
UCB=3 V |
||||||||
UEB |
IE |
IC |
UEB |
IE |
IC |
UEB |
IE |
IC |
UEB |
IE |
IC |
[V] |
[mA] |
[mA] |
[V] |
[mA] |
[mA] |
[V] |
[mA] |
[mA] |
[V] |
[mA] |
[mA] |
0,23 |
85 |
98 |
0,23 |
84 |
88 |
0,25 |
88 |
92 |
0,25 |
88 |
91 |
0,21 |
80 |
86 |
0,22 |
78 |
80 |
0,23 |
79 |
80 |
0,24 |
78 |
79 |
0,19 |
65 |
70 |
0,20 |
65 |
68 |
0,22 |
65 |
70 |
0,23 |
68 |
70 |
0,18 |
58 |
60 |
0,19 |
58 |
60 |
0,20 |
52 |
58 |
0,21 |
55 |
58 |
0,17 |
48 |
48 |
0,18 |
46 |
49 |
0,20 |
49 |
50 |
0,20 |
45 |
48 |
0,16 |
35 |
40 |
0,17 |
38 |
38 |
0,19 |
39 |
40 |
0,19 |
38 |
40 |
0,15 |
26 |
27 |
0,16 |
29 |
30 |
0,17 |
29 |
29 |
0,17 |
28 |
28 |
0,13 |
18 |
20 |
0,14 |
19 |
19 |
0,15 |
18 |
20 |
0,16 |
20 |
20 |
0,11 |
9 |
9 |
0,12 |
10 |
10 |
0,13 |
9 |
10 |
0,13 |
10 |
10 |
0,09 |
4 |
4 |
0,11 |
5 |
6 |
0,11 |
5 |
6 |
0,12 |
5 |
5 |
0,03 |
0 |
0 |
0,06 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1.2 Charakterystyka wyjściowa IC=f(UCB) przy IE=const.
Charakterystyka oddziaływania wstecznego UEB=f(UCB) przy IE=const
Tabela 2
IE=80 mA |
IE=50 mA |
IE=30 mA |
||||||
UCB |
IC |
UB |
UCB |
IC |
UEB |
UCB |
IC |
UEB |
[V] |
[mA] |
[V] |
[V] |
[mA] |
[V] |
[V] |
[mA] |
[V] |
7,16 |
84 |
0,23 |
7 |
60 |
0,21 |
7 |
32 |
0,18 |
6 |
87 |
0,22 |
6 |
62 |
0,21 |
6 |
32 |
0,18 |
5 |
86 |
0,22 |
5 |
62 |
0,22 |
5 |
32 |
0,18 |
4 |
84 |
0,22 |
4 |
58 |
0,21 |
4 |
31 |
0,18 |
3 |
88 |
0,25 |
3 |
57 |
0,21 |
3 |
30 |
0,18 |
2 |
86 |
0,25 |
2 |
56 |
0,21 |
2 |
29 |
0,18 |
1 |
84 |
0,25 |
1 |
54 |
0,21 |
1 |
28 |
0,18 |
0,5 |
83 |
0,25 |
0 |
52 |
0,23 |
0 |
32 |
0,20 |
0 |
70 |
0,35 |
9 |
50 |
0,20 |
8 |
32 |
0,16 |
8 |
90 |
0,24 |
8 |
50 |
0,19 |
9 |
31 |
0,17 |
9 |
90 |
0,24 |
|
|
|
|
|
|
Na podstawie tabel wykreśliliśmy charakterystyki (patrz rys.3)
Korzystając z rysunku wyznaczyliśmy parametry hybrydowe tranzystora w układzie WB
oporność wejściowa:
współczynnik wzmocnienia prądowego:
admitancja wyjściowa:
oddziaływanie wsteczne:
1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE.
Pomiary przeprowadziliśmy w układzie przedstawionym na poniższym rys.
Rys 1. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE
1.1 Charakterystyka wejściowa Ib=f(Ube) przy Uce=const.
Charakterystyka przejściowa Ic=f(Ib) przy Uce=const.
Wyniki pomiarów przedstawia poniższa tabela:
Tabela 3
Uce=9 V |
Uce=7 V |
Uce=4V |
||||||
UEB |
Ib |
Ic |
UEB |
Ib |
Ic |
UEB |
Ib |
Ic |
[V] |
[A] |
[mA] |
[V] |
[A] |
[mA] |
[V] |
[A] |
[mA] |
0,31 |
0,60 |
80 |
0,22 |
0,65 |
90 |
0,24 |
0,75 |
90 |
0,20 |
0,50 |
79 |
0,21 |
0,60 |
80 |
0,23 |
0,63 |
78 |
0,18 |
0,40 |
60 |
0,20 |
0,50 |
71 |
0,21 |
0,50 |
63 |
0,17 |
0,33 |
50 |
0,19 |
0,43 |
60 |
0,20 |
0,38 |
46 |
0,16 |
0,25 |
38 |
0,18 |
0,35 |
50 |
0,17 |
0,25 |
30 |
0,14 |
0,15 |
26 |
0,17 |
0,25 |
39 |
0,16 |
0,15 |
20 |
0,13 |
0,13 |
18 |
0,15 |
0,20 |
28 |
0,13 |
0,10 |
10 |
0,11 |
0,05 |
10 |
0,14 |
0,15 |
19 |
0,10 |
0,05 |
4 |
0,09 |
0,03 |
2 |
0,12 |
0,05 |
10 |
0,07 |
0,03 |
1 |
0,06 |
0 |
1 |
0,10 |
0,03 |
1,5 |
0,04 |
0 |
0 |
0,04 |
0 |
0 |
0,08 |
0,02 |
1 |
|
|
|
|
|
|
0,06 |
0 |
0 |
|
|
|
2,2 Charakterystyka wyjściowa IC=f(UCB) przy IE=const.
Charakterystyka oddziaływania wstecznego UEB=f(UCB) przy IE=const
Tabela 2
IE=0,55 mA |
IE=0,45 mA |
IE=0,25 mA |
||||||
UCE |
IC |
UBE |
UCE |
IC |
UBE |
UCE |
IC |
UBE |
[V] |
[mA] |
[V] |
[V] |
[mA] |
[V] |
[V] |
[mA] |
[V] |
9 |
86 |
0,20 |
9 |
60 |
0,20 |
9 |
32 |
0,18 |
7 |
82 |
0,20 |
6,5 |
61 |
0,20 |
6,5 |
31 |
0,17 |
5 |
78 |
0,20 |
4 |
57 |
0,20 |
5 |
30 |
0,18 |
3 |
69 |
0,20 |
3 |
56 |
0,20 |
3,5 |
28 |
0,18 |
1 |
68 |
0,21 |
2 |
54 |
0,20 |
2 |
26 |
0,18 |
0,8 |
68 |
0,21 |
1 |
54 |
0,21 |
1 |
26 |
0,18 |
0,6 |
66 |
0,21 |
0,7 |
52 |
0,21 |
0,70 |
25 |
0,18 |
0,4 |
64 |
0,21 |
0,5 |
50 |
0,21 |
0,50 |
24 |
0,18 |
0,2 |
40 |
0,19 |
0,3 |
48 |
0,21 |
0,40 |
24 |
0,18 |
0,3 |
52 |
0,21 |
0,2 |
32 |
0,20 |
0,30 |
23 |
0,18 |
0,1 |
18 |
0,18 |
0,1 |
16 |
0,18 |
0,20 |
20 |
0,18 |
0 |
0 |
0,14 |
0 |
0 |
0,14 |
0,10 |
9 |
0,16 |
|
|
|
|
|
|
0,15 |
15 |
0,17 |
|
|
|
|
|
|
0,08 |
8 |
0,15 |
|
|
|
|
|
|
0,07 |
6 |
0,15 |
|
|
|
|
|
|
0,04 |
4 |
0,14 |
|
|
|
|
|
|
0,02 |
2 |
0,13 |
|
|
|
|
|
|
0 |
0 |
0,13 |
Na podstawie tabel wykreśliliśmy charakterystyki (patrz rys.4
Korzystając z rysunku wyznaczyliśmy parametry hybrydowe tranzystora w układzie WE
oporność wejściowa:
współczynnik wzmocnienia prądowego:
admitancja wyjściowa:
oddziaływanie wsteczne:
Wnioski
Z parametrów hybrydowych możemy odczytać podstawowe własności tranzystorów. Widzimy tu, że tranzystor w układzie WB ma impedancję wejściową niż tranzystor w układzie WE. Posiada natomiast mniejszy współczynnik wzmocnienia prądowego. Tranzystor w układzie WB posiada duży współczynnik oddziaływania wstecznego.
Rys. 3 Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WB
Rys.4 Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WE.