POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI			Ćwicz. nr 1
TEMAT: BADANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH TANZYSTORA
WYKONALI:	GRUPA: II	DATA: 24.04.2016	OCENA:

Celem ćwiczenia jest wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p. w układzie WB i WE. Następnie określenie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych.

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB.

Pomiary przeprowadza się w układzie przedstawionym na rys.1:

Rys 1. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

1.1 Charakterystyka wejściowa I_e=f(U_eb) przy U_cb=const.

Charakterystyka przejściowa I_c=f(I_e) przy U_cb=const.

Wyniki pomiarów przedstawia poniższa tabela:

Tabela 1

UCB=9 V			UCB=7 V			UCB=5 V			UCB=3 V
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]
0,23	85	98	0,23	84	88	0,25	88	92	0,25	88	91
0,21	80	86	0,22	78	80	0,23	79	80	0,24	78	79
0,19	65	70	0,20	65	68	0,22	65	70	0,23	68	70
0,18	58	60	0,19	58	60	0,20	52	58	0,21	55	58
0,17	48	48	0,18	46	49	0,20	49	50	0,20	45	48
0,16	35	40	0,17	38	38	0,19	39	40	0,19	38	40
0,15	26	27	0,16	29	30	0,17	29	29	0,17	28	28
0,13	18	20	0,14	19	19	0,15	18	20	0,16	20	20
0,11	9	9	0,12	10	10	0,13	9	10	0,13	10	10
0,09	4	4	0,11	5	6	0,11	5	6	0,12	5	5
0,03	0	0	0,06	0	1	0	0	0	0	0	0
0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0

1.2 Charakterystyka wyjściowa I_C=f(U_CB) przy I_E=const.

Charakterystyka oddziaływania wstecznego U_EB=f(U_CB) przy I_E=const

Tabela 2

IE=80 mA			IE=50 mA			IE=30 mA
UCB	IC	UB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
7,16	84	0,23	7	60	0,21	7	32	0,18
6	87	0,22	6	62	0,21	6	32	0,18
5	86	0,22	5	62	0,22	5	32	0,18
4	84	0,22	4	58	0,21	4	31	0,18
3	88	0,25	3	57	0,21	3	30	0,18
2	86	0,25	2	56	0,21	2	29	0,18
1	84	0,25	1	54	0,21	1	28	0,18
0,5	83	0,25	0	52	0,23	0	32	0,20
0	70	0,35	9	50	0,20	8	32	0,16
8	90	0,24	8	50	0,19	9	31	0,17
9	90	0,24

Na podstawie tabel wykreśliliśmy charakterystyki (patrz rys.3)

Korzystając z rysunku wyznaczyliśmy parametry hybrydowe tranzystora w układzie WB

oporność wejściowa:

współczynnik wzmocnienia prądowego:

admitancja wyjściowa:

oddziaływanie wsteczne:

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE.

Pomiary przeprowadziliśmy w układzie przedstawionym na poniższym rys.

Rys 1. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

1.1 Charakterystyka wejściowa I_b=f(U_be) przy U_ce=const.

Charakterystyka przejściowa I_c=f(I_b) przy U_ce=const.

Wyniki pomiarów przedstawia poniższa tabela:

Tabela 3

Uce=9 V			Uce=7 V			Uce=4V
UEB	Ib	Ic	UEB	Ib	Ic	UEB	Ib	Ic
[V]	[A]	[mA]	[V]	[A]	[mA]	[V]	[A]	[mA]
0,31	0,60	80	0,22	0,65	90	0,24	0,75	90
0,20	0,50	79	0,21	0,60	80	0,23	0,63	78
0,18	0,40	60	0,20	0,50	71	0,21	0,50	63
0,17	0,33	50	0,19	0,43	60	0,20	0,38	46
0,16	0,25	38	0,18	0,35	50	0,17	0,25	30
0,14	0,15	26	0,17	0,25	39	0,16	0,15	20
0,13	0,13	18	0,15	0,20	28	0,13	0,10	10
0,11	0,05	10	0,14	0,15	19	0,10	0,05	4
0,09	0,03	2	0,12	0,05	10	0,07	0,03	1
0,06	0	1	0,10	0,03	1,5	0,04	0	0
0,04	0	0	0,08	0,02	1
			0,06	0	0

2,2 Charakterystyka wyjściowa I_C=f(U_CB) przy I_E=const.

Charakterystyka oddziaływania wstecznego U_EB=f(U_CB) przy I_E=const

Tabela 2

IE=0,55 mA			IE=0,45 mA			IE=0,25 mA
UCE	IC	UBE	UCE	IC	UBE	UCE	IC	UBE
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
9	86	0,20	9	60	0,20	9	32	0,18
7	82	0,20	6,5	61	0,20	6,5	31	0,17
5	78	0,20	4	57	0,20	5	30	0,18
3	69	0,20	3	56	0,20	3,5	28	0,18
1	68	0,21	2	54	0,20	2	26	0,18
0,8	68	0,21	1	54	0,21	1	26	0,18
0,6	66	0,21	0,7	52	0,21	0,70	25	0,18
0,4	64	0,21	0,5	50	0,21	0,50	24	0,18
0,2	40	0,19	0,3	48	0,21	0,40	24	0,18
0,3	52	0,21	0,2	32	0,20	0,30	23	0,18
0,1	18	0,18	0,1	16	0,18	0,20	20	0,18
0	0	0,14	0	0	0,14	0,10	9	0,16
						0,15	15	0,17
						0,08	8	0,15
						0,07	6	0,15
						0,04	4	0,14
						0,02	2	0,13
						0	0	0,13

Na podstawie tabel wykreśliliśmy charakterystyki (patrz rys.4

Korzystając z rysunku wyznaczyliśmy parametry hybrydowe tranzystora w układzie WE

oporność wejściowa:

współczynnik wzmocnienia prądowego:

admitancja wyjściowa:

oddziaływanie wsteczne:

Wnioski

Z parametrów hybrydowych możemy odczytać podstawowe własności tranzystorów. Widzimy tu, że tranzystor w układzie WB ma impedancję wejściową niż tranzystor w układzie WE. Posiada natomiast mniejszy współczynnik wzmocnienia prądowego. Tranzystor w układzie WB posiada duży współczynnik oddziaływania wstecznego.

Rys. 3 Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WB

Rys.4 Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WE.

---