AKADEMIA TECHNICZNO-ROLNICZA W BYDGOSZCZY INSTYTUT TELEKOMUNIKACJI I ELEKTROTECHNIKI
ZAKŁAD PODSTAW ELEKTRONIKI	IMIĘ I NAZWISKO
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI I ENERGOELEKTRONIKI	1. Marek Mokwa 2. Adam Perkowski 3. Piotr Wnukiewicz
TEMAT: Wzmacniacz RC	Grupa: B Semestr: III
Data wyk. ćw. Data oddania spr. Ocena: 18.11.2004 r.	Instytut: TELEKOMUNIKACJI I ELEKTROTECHNIKI

Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami wzmacniacza RC

1. Schemat układu pomiarowego

2. Przyrządy pomiarowe:

• zasilacz stabilizowany

• generator przebiegu sinusoidalnego

• woltomierz kl. 1,5; o zakresach: 1,5mV-500V

• Tabele wyników pomiarów i obliczeń charakterystyki K_u=F(f) wzmacniacza dla następujących parametrów




2. C_S1= 68 nF,
   C_e1= 20 μF

f [kHz]	U0 [V]	KU [dB]
1,35	0,45	43,522
2	0,56	45,421
3	0,57	45,575
4	0,59	45,875
5	0,60	46,021
6	0,60	46,021
11	0,63	46,444
100	0,67	46,979
180	0,66	46,848
220	0,57	45,575
300	0,47	43,900
400	0,36	41,584
500	0,30	40,000
600	0,24	38,062
800	0,18	35,563
1000	0,12	32,041

3. C_S1= 68 nF,
   C_e2= 0,33 μF

f [kHz]	U0 [V]	KU [dB]
1	0,06	26,021
10	0,15	33,979
30	0,36	41,584
50	0,51	44,609
80	0,60	46,021
110	0,60	46,021
180	0,51	44,609
240	0,44	43,327
360	0,30	40,000
640	0,15	33,979
700	0,12	32,041
800	0,11	31,285
1000	0,08	28,519
1100	0,06	26,021

4. C_S2= 20 nF,
   C_e1= 20 μF

f [kHz]	U0 [V]	KU [dB]
0,1	0,15	33,979
0,2	0,27	39,085
0,4	0,39	42,279
0,8	0,51	44,609
1	0,57	45,575
4	0,60	46,021
6	0,60	46,021
20	0,60	46,021
70	0,59	45,875
100	0,57	45,575
200	0,51	44,609
400	0,33	40,828
700	0,21	36,902
1000	0,15	33,979




5. C_S2= 20 nF, C_e1= 20 μF R_o1= 5,2 kΩ

f [kHz]	U0 [V]	KU [dB]
0,1	0,09	29,542
0,4	0,24	38,062
1	0,33	40,828
30	0,36	41,584
70	0,36	41,584
100	0,33	40,828
300	0,29	39,706
500	0,21	36,902
700	0,17	35,067
800	0,15	33,979
900	0,12	32,041
1000	0,06	26,021

6. C_S2= 20 nF, C_e1= 20 μF, R_o2= 15 kΩ

f [kHz]	U0 [V]	KU [dB]
0,1	0,15	33,979
0,2	0,24	38,062
0,3	0,27	39,085
0,4	0,33	40,828
0,5	0,36	41,584
0,6	0,39	42,279
0,8	0,42	42,923
1	0,51	44,609
2	0,51	44,609
5	0,51	44,609
10	0,51	44,609
70	0,48	44,082
90	0,47	43,900
100	0,45	43,522
200	0,39	42,279
300	0,33	40,828
400	0,21	36,902
500	0,18	35,563
800	0,09	29,542
1000	0,075	27,959




4. Wzory oraz przykładowe obliczenia do tabeli




5. Obliczenia przybliżonych pól wzmocnienia

1. C_S1= 68 nF, C_e1= 20 μF




2. C_S1= 68 nF, C_e2= 0,33 μF




3. C_S2= 20 nF, C_e1= 20 μF




4. C_S2= 20 nF, C_e1= 20 μF R_o1= 5,2 kΩ




5. C_S2= 20 nF, C_e1= 20 μF, R_o2= 15 kΩ




6. Obliczenia dolnych częstotliwości

1. C_S1= 68 nF, C_e1= 20 μF

Dla tranzystora BC109:








stąd:


Wartość zmierzona:


2. C_S1= 68 nF, C_e2= 0,33 μF







stąd:


Wartość zmierzona:


3. C_S2= 20 nF, C_e1= 20 μF







stąd:


Wartość zmierzona:


7. Wnioski z przeprowadzonego doświadczenia:

• Z porównania charakterystyk układów A i B widać, że po zamianie kondensatora C_e1 na C_e2 przesunęło się pasmo przenoszenia w stronę wyższych częstotliwości.

• Przypuszczam, że charakterystyka układu B zostało zmierzona z dużym błędem, ponieważ, na wykresie można z łatwością zauważyć dużą różnicę pomiędzy polem wzmocnienia układu A i B.

• Układ B ma charakterystykę zbliżoną do wzmacniacza selektywnego.

• Z porównania charakterystyk A i C widać, że po zamianie kondensatora C_S1 na C_S2 następuje przesunięcie pasma przenoszenia w stronę niższych częstotliwości.

• Dla układu A uzyskaliśmy największe wzmocnienie napięciowe.

• Z porównania charakterystyk D i E widać, że przy wzroście obciążenia wzmocnienie napięciowe rośnie, ale dzieje się to kosztem zmniejszenia szerokości pasma przenoszenia.

8. Charakterystyki przedstawiam na trzech dołączonych kartkach.

4