II kolokwium - pytania przykładowe
Zdefiniować zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego dla prądów stałych oraz określić od jakich czynników zależy jego wartość.
Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego pnp w układzie OE.
Podać budowę oraz wymienić zalety tranzystora bipolarnego z niejednorodną bazą
Podać równanie oraz model Ebersa - Molla oraz zakres jego stosowania.
Narysować charakterystyki statyczne i budowę tranzystora polowego złączowego z kanałem N.
Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał P normalnie wyłączony.
Podać budowę, rozkład koncentracji domieszek i właściwości tranzystora epiplanarnego.
Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego pnp w układzie OB.
Wyjaśnić mechanizm wyłączania tranzystora bipolarnego przy pracy impulsowej.
Narysować schemat zastępczy tranzystora rzeczywistego z parametrami h, określić zakres stosowania oraz zdefiniować parametry.
Od jakich czynników i jak zależy częstotliwość graniczna tranzystorów FET.
Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał P normalnie załączony.
Wyjaśnić mechanizm przepływu nośników w bazie w tranzystorze z niejednorodną i jednorodną bazą.
Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego npn w układzie OB.
Wyjaśnić mechanizm włączania tranzystora bipolarnego przy pracy impulsowej.
Narysować schemat zastępczy tranzystora rzeczywistego z parametrami h, określić zakres stosowania oraz zdefiniować parametry.
Narysować charakterystyki statyczne i budowę tranzystora polowego złączowego z kanałem P.
Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał N normalnie załączony.
Narysować charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w zakresie przebicia oraz wyjaśnić dlaczego napięcie przebicia w OE jest niższe niż w OB.
Narysować układ pracy, oznaczyć biegunowość napięć oraz podać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego npn w układzie OE.
Podać definicje prądów zerowych oraz sposób ich pomiarów dla tranzystorów npn.
Zdefiniować częstotliwości graniczne f i fT oraz określić jakie czynniki mają wpływ na ich wartości.
Podać budowę oraz określić właściwości tranzystorów MESFET.
Podać budowę, charakterystyki statyczne i opisać zasadę działania tranzystora MOS kanał N normalnie wyłączony.