ZAWADZ1 DOC

*Politechnika Świętokrzyska w Kielcach*
*Laboratorium elektroniki*
Ćwicenie nr 4	Temat: Badanie tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką.			Zespół: 1)Kozieł Tomasz 2)Małaczek Mariusz
Data wykonania ćwiczenia: 14.11.1996 r.		Data oddania sprawozdania:	Ocena:

1) Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami tranzystora SMY-50 (ID =ID (UDS ) oraz ID =ID (UGS )),oraz wyznaczenie podstawowych parametrów tego tranzystora.

2)Schemat pomiarowy:

3)Tabele pomiarowe:

a)bez polaryzacji złącza UBS =0[V]

dla UGS =7[V]

UDS	[V]	0.09	0.45	0.7	0.84	1.2	1.52	1.9	2.7	3.1
ID	[mA]	0.16	0.6	0.83	0.95	1.18	1.27	1.43	1.58	1.7
UDS	[V]	4.8	6.4	8.3	10.6	13	14.5	17.8	19.6
ID	[mA]	1.82	2	2.1	2.2	2.4	2.5	3.0	3.6

dla UDS =-10[V]

UGS	[V]	5	5.7	6.3	6.6	7	7.7	8.8	10	11.4	12.4	13.5	15.4	17.8
ID	[mA]	0.05	0.43	1	1.5	2.4	3.8	6.4	9.8	14.4	17.5	21.6	28	36

b)z polaryzacą złącza UBS =5[V]:

UGS =10[V]

UDS	[V]	0.07	0.12	0.17	0.27	0.4	0.55	0.77	0.93	1.02	1.3
ID	[mA]	0.2	0.36	0.5	0.8	1.16	1.61	2.2	2.57	2.8	3.4
UDS	[V]	1.52	1.8	2	2.73	3.8	4.4	5.3	6.3	7.6	8.7
ID	[mA]	3.9	4.45	4.76	5.8	6.7	7	7.35	7.6	7.9	8.1
UDS	[V]	9.4	10.9	11.7	13.3	15.7	18	20	22	25
ID	[mA]	8.3	8.6	8.7	8.96	9.3	9.7	10	10.2	10.6

UGS =15[V]

UDS	[V]	0.07	0.2	0.31	0.46	0.62	0.81	1	1.24	1.46	1.9	2.18	2.56
ID	[mA]	0.34	1	1.6	2.37	3.21	4.14	5.12	6.2	7.2	9.25	10.38	11.9
UDS	[V]	3.1	3.63	4	5	6.9	7.9	9.2	11.3	13.9	16	20	24
ID	[mA]	13.95	15.6	16.9	19.7	23	24	24.8	25.5	26	26.4	27	27.2

dla UDS =-3[V]

UGS	[V]	6	6.4	6.6	6.9	7.2	7.8	8.6	9.2	10	11.6	13.2	14.6	17	19.5
ID	[mA]	0.09	0.24	0.41	0.62	1.09	2	3.5	4.5	5.9	8.8	11.4	13.2	16.1	18.5

dla UDS =-10[V]

UGS	[V]	4.4	6.3	6.6	7.1	7.6	8.9	9.7	11	12.7	13.5	14	16.5	19.3
ID	[mA]	0	0.48	0.75	1.54	2.5	5.27	7.9	11.09	16.8	20.3	21.8	30	40

4)Wzory i podstawowe obliczenia:

a)obliczanie transkonduktancji

b)obliczanie rezystancji drenu

5)Uwagi i wnioski:

Charakterystyki wykreślone na podstawie wyników pomiarów są zbliżone do charakterystyk spotykanych w literaturze.Obliczone przez nas wartości rezystancji drenu i transkonduktancji są zbliżone do rzeczywistych.

W zależności od wartości napięcia UGS -przy zwiększaniu tego napięcia charakterystyki przesuwają się w górę w kierunku wzrostu prądu ID .Przy pierwszej charakterystyce możemy zaobserwować niestandardowe kolanko występujące po stanie nasycenia tranzystora-przypuszczamy,że jest ono spowodowane zjawiskiem lawinowego powielania elektronów i zbliżaniem się wartości przebicia tranzystora.

Przy charakterystyce ID =ID (UGS ) tranzystor w zależności od polaryzacji podłoża-przy zwiększaniu wartości napięcia UDS ,punkt załączenia tranzystora przesuwa się w kierunku wzrostu napięcia UGS .Przy braku polaryzacji podłoża możemy zaobserwować wyraźną różnicę w położeniu tych charakterystyk.

Transkonduktancja wyznaczona przez nas wynosi 1.58 ,natomiast rezystancja drenu rd =3[Ω].