POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA
LABORATORIUM PODSTAW Elektroniki
Numer ćwiczenia: 6	Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza zbudowanego w oparciu o tranzystor unipolarny (IFET).	Zespół: 1.Marcin Zuchowicz 2.Marcin Pawlak 3.Mariusz Nartowski
Data wykonania: 12.11.1997	Data oddania do sprawdzenia: 19.11.1997	Ocena:

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia było zaprojektowanie i zbadanie wzmacniacza zbudowanego na tranzystorze unipolarnym, w układzie potencjometrycznym układu wspólnego źródła.

2. Schemat pomiarowy.

Rys. 1. Układ do pomiaru wzmacniacza w układzie OS z tranzystorem unipolarnym (IFET).

Spis elementów: R₁ = 220 kW, R₂ = 560 kW, R_d = 2,2 kW, R_s = 10 W, C = 100 nF, C_s = 470 mF,

U_we =0,8 V.

3.Wyniki pomiarów:

a)bez kondensatora Cs b)z kondensatorem Cs

f	ku	Uwy		f	Uwy	ku
Hz	V/V	V		Hz	V	V/V
10	2,8	1,4		10	1,24	2,47
20	3	1,5		20	1,5	3
30	3,5	1,75		30	1,7	3,4
40	4	2		40	1,75	3,5
50	4	2		50	1,75	3,5
60	4	2		60	1,75	3,5
70	4	2		70	1,75	3,5
80	4	2		80	1,75	3,5
100	4	2		100	1,75	3,5
200	4	2		200	1,75	3,5
400	4	2		400	1,75	3,5
600	4	2		600	1,75	3,5
800	4	2		800	1,75	3,5
1000	4	2		1000	1,75	3,5
5000	3,8	1,9		5000	1,75	3,5
10000	3,6	1,8		10000	1,75	3,5
100000	3,5	1,75		100000	1,75	3,5
200000	3,4	1,7		200000	1,75	3,5
300000	3,3	1,65		300000	1,7	3,4
400000	3,2	1,6		400000	1,6	3,2
500000	3	1,5		500000	1,45	2,9
600000	2,8	1,4		600000	1,35	2,7

ku-wzmocnienie napięciowe (ku=Uwy/Uwe)

Uwe-napięcie wejściowe (bramka-żródło)

Uwy-napięcie wyjściowe (dren-żródło)

4. Wnioski.

Wzmacniacz zbudowano w układzie OS w oparciu o tranzystor unipolarny. Dla badanego wzmacniacza zmierzono następujące parametry i charakterystyki:

4.1. Charakterystykę częstotliwościową K_U(f), na podstawie charakterystyki wyznaczyliśmy:

* wzmocnienie napięciowe, które dla układu bez kondensatora C_s wyniosło 3.5 V/V , natomiast dla układu z pojemnością C_s 4 V/V .

Zmiana ta spowodowana jest faktem, że w układzie bez kondensatora C_s nawet niewielki wzrost napięcia wejściowego pociąga za sobą wzrost napięcia na rezystorze R_s (rośnie I_B a zarazem I_d). Wzrost napięcia na R_s powoduje spadek napięcia między bramką a źródłem co z kolei jest przyczyną chwilowej zmiany punktu pracy tranzystora. Powstaniu takiej sytuacji zapobiega kondensator C_s, który składową zmienną napięcia na rezystorze R_s zwiera do masy.

* pasmo przenoszenia wzmacniacza, w zaprojektowanym wzmacniaczu w zasadzie nie zależy od dołączonego kondensatora sprzęgającego .

W naszym układzie zastosowano kondensator 100 nF, spowodowało to ustalenie dolnej częstotliwości granicznej na f_d = 10 Hz, natomiast górnej nie udało się ustalić z powodu zbyt wcześnie przerwanego prowadzenia pomiarów. Wielkość tę można jedynie oszacować na podstawie przebiegu charakterystyki i wynosi ona około f_g = 700 kHz. Pasmo to wyznaczono przy 3 dB spadku wzmocnienia napięciowego. Dla układu z kondensatorem C_s dolna częstotliwość graniczna wyniosła około 10 Hz natomiast górna około 600 kHz.

4.2. Przesunięcie fazowe między napięciem wyjściowym i wejściowym nie wyznaczyliśmy ze względu na uszkodzony jeden kanał oscyloskopu. Mimo próby `przepięcia' kanału nie zawsze mogliśmy otrzymac stały przebieg (mimo regulacji podstawy czasowej).

---