Wzmacniacz na tranzystorze unipolarnym doc


0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zaprojektowanie i zbadanie wzmacniacza zbudowanego na tranzystorze unipolarnym BF 245 o ządanych wartościach napięcia zasilania i wzmocnienia oraz wykreśleniu charakterystyki amplitudowej w zależności od częstotliwości i wzmocnienia , a także zbadac prace układu wzmacniającego z obciążeniem i sprzężeniem.

2. Schemat pomiarowy.

0x01 graphic

2. Projektowanie wzmacniacza.

Naszym zadaniem było zaprojektowanie wzmacniacza małych częstotliwości na tranzystorze polowym

przy napięciu drenu

ED = 15 V

oraz korzystając z charakterystyk tranzystora polowego BF 245.

Część parametrów została dobrane laboratoryjnie.

0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

3.Pomiary.

f

ku

Uwy

Uwe

Hz

V/V

V

V

1

2,2

2,2

1

2

2,66

4

1,5

3

2,7

5,4

2

4

2,72

6

2,2

5

2,73

6,2

2,3

8

2,75

6,6

2,4

10

2,9

7

2,5

50

2,8

7,1

2,6

100

2,57

7,2

2,8

1000

2,55

7,4

2,9

120000

2,42

6,8

2,8

200000

2,14

6

2,8

300000

1,92

5,4

2,8

Bocznik CS=470 F

f=1000Hz

kU=7,8 V/V

Obciążenie Robc=4,7k

f=100Hz

kU=1,095 V/V

4.Wykres ku(f).

0x01 graphic

5.Wnioski

Zbocznikowanie pojemnością CS=470 F spowodowało znaczny wzrost wzmocnienia napięciowego

przy f=1000Hz kU=7,8 V/V dzieje się tak poniewarz dołączenie pojemności CS powoduje praktycznie

zwarcie rezystora RS dla średnich częstotliwości .

Obciążenie wzmacniacza rezystancją Robc=4,7 k spowodowało spadek wartości wzmocnienia

napięciowego o blisko połowę przy f=100Hz kU=1,095 V/V , dołączenie obciążenia powoduje

zmniejszenie wzmocnienia układu i zmniejszenie kąta przesunięcia fazowego między napięciem

wejściowym a wyjściowym.W naszym układzie zastosowano kondensatory CS=2,2 F, spowodowało

to ustalenie dolnej częstotliwości granicznej na fd = 10 Hz, natomiast górnej na około fd = 300000 Hz .

Pasmo to wyznaczono przy 3 dB spadku wzmocnienia napięciowego.

Politechnika Świetokrzyska

Laboratorium Elektroniki

Ćwiczenie Temat ćwiczenia: Zespół Nr 4 gr 23 B

Nr 6

Projektowanie i badanie wzmacniacza

na tranzystorze polowym 1. Jedynak Katarzyna

2. Maj Anna

3. Justyniarski Tomasz

Data wykonania ćwiczenia : Data oddania sprawozdania : Ocena :
16.11.2000

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Wzmacniacz w ukladzie ze wspolnym zrodlem na tranzystorze unipolarnym
Badanie wzmacniacz na tr unipolarnym 5
wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
dokumentajca, Wzmacniacz na tranzystorach HEXFET o mocy 400W/4W ; 200W/8W Sinus z opóźnionym włączan
Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET1
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET2
Generator relaksacyjna na tranzystorze jednozłączowym DOC
Porównanie własności pojedynczych stopni wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych
wzmacniacz na tranzystorze polowym tabelki
sprawozdanie wzmacniacz na tranzystorze polowym ćw5 elektronika
,elementy i układy elektroniczne I P, WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY OPARTY NA TRANZYSTORZE?847B
Tranzystory bipolarny i unipolarny2 doc
Wzmacniacz napięciowy tranzystorowy doc
Tranzystory bipolarny i unipolarny doc
Tranzystor bipolarny i unipolarny 3 doc
Wzmacniacz tranzystorowy napięciowy doc

więcej podobnych podstron