Wydział Mechaniczny Rok akad. 2006/2007

Studium Transport

Semestr czwarty

Grupa T1/

Sprawozdanie z ćwiczenia

w Laboratorium Elektroniki

Ćwiczenie nr 5

Temat : Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych

Imię i nazwisko	Ocena kolokwium	Ocena sprawozdania	Uwagi
Jakub Bojarski
Tomasz Kościelniak
Łukasz Olczyk
Zbyszko Tadej

1. Charakterystyki przejściowe I_D=f(U_GS) przy U_DS=const

1. tranzystor nr 1 <BFW 11>

UDS = 2V		UDS = 6V		UDS = 12V
UGS [V]	JD [mA]	UGS [V]	JD [mA]	UGS [V]	JD [mA]
0,7	9,16	0,7	13,18	0,7	13,03
0,5	8,28	0,5	11,67	0,5	11,67
0,2	7,18	0,2	9,77	0,2	9,82
0	6,48	0	8,67	0	8,62
-0,2	5,79	-0,2	7,51	-0,2	7,61
-0,4	5,1	-0,4	6,45	-0,4	6,57
-0,6	4,4	-0,6	5,42	-0,6	5,58
-0,8	3,7	-0,8	4,51	-0,8	4,62
-1	3,01	-1	3,58	-1	3,75
-1,2	2,228	-1,2	2,78	-1,2	2,93
-1,4	1,68	-1,4	2,04	-1,4	2,16
-1,6	1,11	-1,6	1,37	-1,6	1,51
-1,8	0,64	-1,8	0,78	-1,8	0,92
-2	0,27	-2	0,36	-2	0,49
-2,2	0,06	-2,2	0,11	-2,2	0,14
-2,39	0	-2,47	0	-2,5	0

U_p = -2,39 V U_p = -2,47 V U_p = -2,5 V

2. tranzystor nr 2

UDS = -2V		UDS = -6V		UDS = -12V
UGS [V]	JD [mA]	UGS [V]	JD [mA]	UGS [V]	JD [mA]
-0,63	-1,64	-0,63	-2,39	-0,63	-2,56
-0,5	-1,5	-0,5	-2,13	-0,5	-2,29
-0,3	-1,29	-0,3	-1,81	-0,3	-1,91
-0,1	-1,09	-0,1	-1,46	-0,1	-1,58
0	-1	0	-1,31	0	-1,41
0,2	-0,79	0,2	-1,01	0,2	-1,12
0,4	-0,58	0,4	-0,75	0,4	-0,86
0,6	-0,41	0,6	-0,54	0,6	-0,61
0,8	-0,26	0,8	-0,34	0,8	-0,38
1	-0,13	1	-0,18	1	-0,24
1,2	-0,05	1,2	-0,07	1,2	-0,1
1,4	-0,01	1,4	-0,02	1,4	-0,03
1,45	0	1,5	0	1,58	0

U_p = 1,45 V U_p = 1,5 V U_p = 1,58 V

2. Charakterystyki wyjściowe I_D = f(U_DS) przy U_GS = const

1. tranzystor nr 1 <BFW 11>

UGS = 0V		UGS = -1V		UGS = -2V
UDS [V]	ID [mA]	UDS [V]	ID [mA]	UDS [V]	ID [mA]
0	0	0	0	0	0
0,5	2,11	0,5	1,2	0,1	0,05
1	3,88	1	2,01	0,2	0,09
1,5	5,20	1,5	2,51	0,3	0,12
2	6,22	2	2,82	0,4	0,13
2,5	6,94	2,5	2,98	0,5	0,15
3	7,41	3	3,16	0,6	0,16
3,5	7,74	4	3,31	0,7	0,19
4	8,03	5	3,36	0,8	0,2
5	8,23	6	3,36	0,9	0,21
6	8,38	7	3,5	1	0,22
7	8,44	8	3,57	2	0,28
8	8,45	9	3,61	3	0,32
9	8,49	12	3,67	4	0,33
10	8,51	16	3,72	5	0,35
12	8,5			7	0,35
14	8,49			10	0,4

I_DSS = 8,38 mA I_DSS = 3,31 mA I_DSS =0,19 mA

b) tranzystor nr 2

UGS = 0V		UGS = 0,7V		UGS = 1V
UDS [V]	ID [mA]	UDS [V]	ID [mA]	UDS [V]	ID [mA]
0	0	0	0	0	0
-0,5	-0,36	-0,5	-0,17	-0,5	-0,08
-1	-0,65	-1	-0,27	-1	-011
-1,5	-0,86	-1,5	-0,32	-1,5	-0,13
-2	-1	-2	-0,35	-2	-0,15
-2,5	-1,07	-2,5	-0,36	-2,5	-0,16
-3	-1,13	-3	-0,4	-3	-0,16
-4	-1,26	-4	-0,42	-4	-0,17
-5	-1,28	-5	-0,44	-5	-0,18
-6	-1,33	-6	-0,44	-6	-0,19
-7	-1,33	-7	-0,47	-7	-0,19
-9	-1,36	-9	-0,49	-9	-0,22
-12	-1,41	-12	-0,52	-12	-024
-15	-1,45	-15	-0,54	-15	-0,26
-18	-1,48	-18	-0,58	-18	-0,29
-20	-1,5	-20	-0,58	-20	-0,3

I_DSS = -1,28 mA I_DSS = -0,35 mA I_DSS = -0,15 mA

Wnioski z wykonanego ćwiczenia :

Charakterystyki przejściowe jak i wyjściowe badanych tranzystorów polowych są zbliżone do charakterystyk teoretycznych. Jeżeli chodzi o charakterystyki przejściowe to zaobserwowaliśmy, że zmiana napięcia U_DS powoduje zmianę napięcia odcięcia U_D. Wraz ze wzrostem napięcia U_DS rośnie wartość U_D. Podobną zależność zauważyliśmy przy charakterystykach wyjściowych. Wraz ze wzrostem napięcia U_GS rośnie wartość prądu nasycenia drenu I_DSS.

3

---