ĆW 8 POMIAR DIODY ZE ZŁĄCZEM PN doc


SPRAWOZDANIE

ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

0x01 graphic

ĆW 8: POMIAR DIODY ZE ZŁĄCZEM PN

DATA WYKONANIA WICZENIA: 29.11.2006

DATA ODDANIA SPRAWOZDANIA: 13.12.2006

Wykonali:

Sylwester Mielewczyk

Piotr Olszewski

1 Wyznaczanie wartości elementów L oraz CS.

1.1 CS wyznaczamy przy pomocy wzoru:

0x01 graphic

gdzie:

fr=442,5 kHz gdy C2=100pF,

f1=283,44 kHz gdy C1=0

Obliczenia :

0x01 graphic

1.2 Indukcyjność cewki L wyliczamy z następującej zależności:

0x01 graphic

Korzystając z wartości Cs obliczonej powyżej oraz ze zmierzonej częstotliwości fr

można obliczy wartość indukcyjności cewki L.

0x01 graphic

2 Wyznaczanie wartości wykładnika potęgowego m dla zmierzonych

elementów:

Wartości wykładników potęgowych m dla badanych elementów wyznaczaliśmy na podstawie wzoru:

0x01 graphic

W obliczeniach przyjęliśmy, że wartość napięcia dyfuzyjnego wynosi UD=0,7 V,

natomiast wartość pojemności Cj0 odpowiada napięciu u=0. Wartość napięcia u1

przyjmowana do obliczeń to u1 -2 V.

2.1 Obliczanie wykładników potęgowych m dla poszczególnych elementów:

Przykładowe obliczenia:

Dioda D01-10-02:

Cj0 = 0,239 pF , u1= -2 V , C(u1) = 0,165 pF

0x01 graphic

Cj0

u1

C(u1)

m

[pF]

[V]

[pF]

[-]

D01-10-02

0,239

-2

0,165

0,096

IRL-530-A

0,734

-2

2,407

-0,307

BC-211

92,83 nF

-2

83,75 nF

0,027

2.2 Wnioski.

Wyznaczony parametr m dla mierzonych elementów jest bliskie wartości 0,5. W jednym

przypadkach dla tranzystora IRL 530-A m jest ujemne co świadczy o tym, i

prawdopodobnie użyty wzór jest błędny dla tego tranzystora. Tranzystor IRL 530 to

tranzystor typu MOS, a w tranzystorze MOS zależność pojemności od napięcia nie jest

analogiczna jak dla diody PN i do jej wyznaczenia nie można posłużyć się stosowanym

wcześniej wzorem. Tranzystory te nie posiadaj pojemności złączowej.

3 Wyznaczanie charakterystyk C(u) w zakresie zaporowym

pomierzonych elementów oraz wyznaczanie tych charakterystyk

na podstawie wartości parametrów modelu C(u).

Charakterystyki C(u) w zakresie zaporowym zmierzonych elementów, wynikające z

pomiarów wyznaczyliśmy na podstawie zależności:

0x01 graphic

gdzie:

CS=69 pF

L=1,9 mH

Natomiast charakterystyki C(u) zmierzonych elementów, wynikające z obliczeń

wyznaczyliśmy na podstawie zależności:

0x01 graphic

gdzie:

UD=0,7[V]

m - parametr wyznaczony dla elementów w punkcie drugim sprawozdania

Cj0 - pojemność przy, której wartość napięcia wynosi zero.

Przykładowe obliczenia dla diody D01-10-02:

Dane: u=2,51V, f=293,5kHz

0x01 graphic
= 0x01 graphic
=154,85 nF

0x01 graphic
= 0x01 graphic
= 0.206 F ????????????

Poniżej zostały przedstawione wyniki oblicze wykonanych na podstawie powyższych

wzorów oraz porównanie charakterystyki C(u) uzyskanej na podstawie pomiaru i

wyznaczonej przy pomocy parametrów modelu C(u) dla poszczególnych elementów.

D01-10-02:

f [kHz]

U [V]

C zmierzone(u) [nF]

C obliczone(u) [nF]

236,1

0

0,23940

0,23940

284

1,53

0,16545

0,16477

293,5

2,51

0,15492

0,14651

298.5

3,23

0,14977

0,13726

305,5

4,51

0,14299

0,12533

311,94

6,1

0,13714

0,11502

318,57

8,21

0,13149

0,10542

323,16

10

0,12778

0,09937

326,58

11,53

0,12512

0,09518

0x01 graphic

Komentarz:

Na wykresie przedstawiającym charakterystyki C(u) zmierzoną i obliczoną dla diody D01-10-02 wystąpiły nieznaczne rozbieżności od charakterystyki zmierzonej. Podczas dokonywania pomiarów przy wzroście napięcia obserwowaliśmy wzrost częstotliwości.

IRL-530-A:

f [kHz]

U [V]

C zmierzone(u) [pF]

C obliczone(u) [pF]

134,8

0

0,734425

-

117,25

1,09

0,970737

-

87,43

1,37

1,74585

-

76,79

1,72

2,26317

-

75,2

2,21

2,35989

-

74,86

2,53

2,38137

-

74,46

3,23

2,40703

-

74,14

4,61

2,42785

-

73,97

6,03

2,43902

-

73,85

8,18

2,44696

-

73,78

10,07

2,4516

-

0x01 graphic

Komentarz:

Na wykresie i w tabeli można zaobserwować, że nie została obliczona charakterystyka diody C(u). Wartość wykładnika m (niezbędnego do obliczenia ch-ki C(u)) dla tranzystora IRL 530A wyszła ujemna, co jest sprzeczne z teorią. Stwierdziliśmy (w punkcie 2 sprawozdania) że jest to tranzystor typu nMOS. Tranzystor nMOS nie posiada pojemności złączowej, dlatego też nie obliczono ch-ki C(u) i tym samym nie widnieje ona na wykresie.

Na charakterystyce zmierzonej widnieją pewne odchylenia, można przez to stwierdzić że nie wszystkie pomiary zostały dokładnie wykonane.

BC-211:

f [kHz]

U [V]

C zmierzone(u) [nF]

C obliczone(u) [nF]

379,14

0

92,8385

92,8385

389,25

0,89

88,0785

88,4389

394,59

1,77

85,7107

86,1635

395,62

2,1

85,2650

85,5264

399,17

3,2

83,7551

83,8657

400,57

3,7

83,1707

83,2692

występuje przebicie

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0x01 graphic

Komentarz:

Na powyższym wykresie nie wystąpiły rozbieżności charakterystyk obliczonej i zmierzonej.

3.1 Wnioski

Różnice w charakterystykach pomierzonych i charakterystykach obliczonych mogą

wynika z uproszczenia jakim jest przyjęcie we wzorze na współczynnik m wartości

UD=0,7[V], w rzeczywistości warto wahać może się w przedziale 0,6-0,8 [V]. Inną

przyczyn mogą być przyjęte uproszczenia związane z wartością u1=-2 [V]. Wartości

pojemności są rzędu [pF] więc nawet małe niedokładności przy odczycie napięcia lub częstotliwości mogą wpłynąć na obliczone wartości pojemności.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Ćw 8 Pojemność diody ze złączem pn
3 Dioda ze złączem pn (zadania)
3 Dioda ze złączem pn (zadania)
Ćw 1 Pomiar temperatury druk doc
Ćw 1 Pomiar temperatury zrobione doc
Ćw 2 Pomiar ciśnienia zrobione doc
Ćw 1 Pomiar temperatury teoria doc
ćw 2 Pomiary przemieszczeń liniowych i grubości
ćw 6 Pomiar natężenia oświetlenia i luminancji
Cw 7 Pomiary Podstawowych wielkości w polu elektromagnetycznym
cw 9 Pomiar mocy w obwodach trójfazo
Ćw 1 Pomiar strumienia objętości i masy płynu przy użyciu rurek spiętrzających
Ćw 6 Pomiary oporu aerodynamicznego
zlacze pn
Ćw 2 Pomiar przemieszczeń liniowych i kątowych
ćw 7 usuwanie fosforu ze ścieków
cw 2 pomiary rezystywnosci skrośnej i powierzchniowej materiałów elektroizolacyjnyc stałychx
Ćw 4 Pomiary prędkości obrotowej
cw 2 pomiary rezystywnosci skrośnej i powierzchniowej materiałów elektroizolacyjnyc stałych

więcej podobnych podstron