Michał Saks

Katarzyna Wudarczyk

SPRAWOZDANIE:

Ćwiczenie 4.

Diody i tranzystory.

Celem ćwiczenia było zapoznanie się z właściwościami diod i tranzystorów.

1. Opracowanie wstępne (w domu)

- wyznaczyć i narysować asymptotyczną charakterystykę statyczną U₀=f(E) układu kluczującego aproksymując ją odcinkami liniowymi: odcięcie, obszar aktywny, nasycenie. Katalogowa wartość współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora BC 109 wynosi β=110-850. Odcinek charakterystyki U₀=f(E) odpowiadający obszarowi aktywnemu narysować dla skrajnych wartości β.

więc:

gdzie:

2. Charakterystyka tranzystora:

E[V]	0,20	0,40	0,55	0,60	0,65	0,70	0,75	0,80
U[V]	14,38	14,38	14,27	14,09	14,63	12,68	11,55	10,23

E[V]	0,85	0,90	0,95	1,00	1,05	1,10	1,15	1,20
U[V]	8,75	7,32	5,97	4,60	3,25	1,93	0,92	0,22

3. Charakterystyka diody złączowej:

U[V]	-8	-7	-6	-5	-4	-3	-2	-1	0,0	0,2
I[mA]	-0,39	-0,34	-0,29	-0,24	-0,18	-0,13	-0,08	-0,03	0,0	0,0

U[V]	0,4	0,58	0,6	0,62	0,64	0,66	0,68	0,70	0,72	0,74	0,745
I[mA]	0,0	0,45	0,74	1,12	1,74	2,67	4,01	5,97	8,72	12,41	13,47

4. Charakterystyka diody Zenera:

U[V]	0,0	0,5	1,0	1,5	2,0	2,1	2,2	2,3	2,4	2,5
I[mA]	0,0	0,0	0,01	0,05	0,21	0,29	0,39	0,53	0,72	0,99

U[V]	2,6	2,7	2,8	2,9	3,0	3,1	3,2	3,3	3,35
I[mA]	1,30	1,76	2,28	3,00	3,88	5,10	6,41	8,09	9,15

5. Dioda elektroluminescencyjna (LED).

Dla diody elektroluminescencyjnej wyznaczaliśmy napięcie progowe w kierunku przewodzenia i wyniosło ono 1,8V.

6. Obliczenia.

- rezystancja dynamiczna diody złączowej:

- rezystancja dynamiczna diody Zenera:

- współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora:

Obliczam wykorzystując równanie regresji liniowej y=-24,079+28,884, z której
, wiec
.

---