UTK sprawdzian praktyczny RAMY

DIP ( Dual In-line Package) w elektronice rodzaj obudowy elementów elektronicznych, głównie układów scalonych o małej i średniej skali integracji, a także elementów takich jak transoptory optotriaki

Wyprowadzenia elementu umieszczone są w równej linii

na dwóch dłuższych bokach prostokątnej obudowy.

 Dwurzędowa podstawka pod układ scalony lub

obudowa układu scalonego.


Rozpoznanie:

Jedna kostka po 8

Pionów wyprowadzeń

Z każdej strony




SIPP (Single Inline Pin Package) - jest drugą generacją pamięci DRAM, która powstała w wyniku zapotrzebowania na rynku na łatwy w montażu na płycie głównej rodzaj pamięci RAM. SIPP zrewolucjonizował sposób, w jaki komputery osobiste używały pamięci RAM, ponieważ znacznie szybciej można go było zmienić na inny model.



Rozpoznanie:

Pamięć SIPP używała 30 pinów wzdłuż obrzeża i wyeliminowała potrzebę montażu każdego chipu RAM-u osobno.



SIMM (Single Inline Memory Module) to pojedynczy moduł pamięci liniowej. Jest to następna po SIPP generacja pamięci DRAM.

Moduły SIMM można podzielić na:

starsze 30-pinowe (8 lub 9 bitowe): 256KB, 1MB, 4MB, 8MB, 16MB

nowsze 72-pinowe (32 lub 36 bitowe): 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB








 SDR SDRAM ( Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) - chronologicznie i technologicznie najwcześniejsza odmiana pamięci SDRAM. Przedrostek SDR (Single Data Rate) oznacza, że dane przesyłane są na każdej wznoszącej się krawędzi sygnału zegarowego (w odróżnieniu od DDR w których przesył danych odbywa się na krawędzi wznoszącej oraz opadającej).





RIMM ( Rambus Inline Memory Module) – rodzaj modułów pamięci komputerowej, na których umieszczone są układy scalone z pamięciami typu RDRAM. Moduły RIMM pojawiły się w 1996 roku na mocy umów patentowych pomiędzy firmami Rambus i Intel.

326-pinowa, stosowane RIMM 64-bitowe





DDR SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) – rodzaj pamięci typu RAM stosowana w komputerach jako pamięć operacyjna oraz jako pamięć kart graficznych.
Pamięci te budowane są w obudowach TSOP jak i BGA i mogą wytrzymać temperaturę do 70°C. Kości przeznaczone dla płyt głównych zawierające moduły DDR SDRAM posiadają 184 styki kontaktowe i jeden przedział.
W pamięci typu DDR SDRAM dane przesyłane są w czasie trwania zarówno rosnącego jak i opadającego zbocza zegara, przez co uzyskana została dwa razy większa przepustowość. Kości zasilane są napięciem 2,5 V, co wraz ze zmniejszeniem pojemności wewnątrz układów pamięci, powoduje znaczące ograniczenie poboru mocy. 





DDR2 SDRAM (ang. Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory) – kolejny po DDR standard pamięci RAM typu SDRAM, stosowany w komputerach jako pamięć operacyjna.
Pamięć DDR2 charakteryzuje się wyższą efektywną częstotliwością taktowania (533, 667, 800, 1066 MHz) oraz niższym poborem prądu. Podobnie jak DDR, pamięć DDR2 wykorzystuje do przesyłania danych wznoszące i opadające zbocze sygnału zegarowego, czego nie należy mylić z technologią dual channel.

Pamięci DDR2 budowane są w obudowach FBGA (ang. Fine-pitch Ball Grid Array). Mogą pracować w temperaturze do 70°C.
Moduły pamięci DDR2 nie są kompatybilne z modułami DDR. Obecnie DDR2 obsługiwane są zarówno przez procesory firmy Intel jak i AMD.







DDR3 SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (ver. 3)) – nowy standard pamięci RAM typu SDRAM, będący rozwinięciem pamięci DDR i DDR2, stosowanych w komputerach jako pamięć operacyjna.
Pamięć DDR3 wykonana jest w technologii 90 nm, która umożliwia zastosowanie niższego napięcia (1,5 V w porównaniu z 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR). Dzięki temu pamięć DDR3 charakteryzuje się zmniejszonym poborem mocy o około 40% w stosunku do pamięci DDR2 oraz większą przepustowością w porównaniu do DDR2 i DDR. Pamięci DDR3 nie są kompatybilne wstecz, tzn. nie współpracują z chipsetami obsługującymi DDR i DDR2. Posiadają także przesunięte wcięcie w prawą stronę w stosunku do DDR2 (w DDR2 wcięcie znajduje się prawie na środku kości).
Obsługa pamięci DDR3 przez procesory została wprowadzona w 2007 roku w chipsetach płyt głównych przeznaczonych dla procesorów Intel oraz w 2009 roku w procesorach firmy AMD.








Wyszukiwarka

Podobne podstrony:

więcej podobnych podstron