G r. ćw 1, II MDT Stalowa Wola

Zespół A

Białek Andrzej

Folta Jakub

Sienica Robert

Tranzystory polowe JFET i MOSFET

Badany element to tranzystor polowy JFET z kanałem typu n. Oznaczenie elementu to BF245B

Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest dokonanie pomiarów i wykonanie na ich podstawie charakterystyk statycznych: przejściową I_D=F(U_GS)_UDS=par , wyjściową I_D=F(U_DS)_UGS=par oraz wyznaczyć prąd nasycenia I_DSS

Stanowisko pomiarowe

Stanowisko pomiarowe jest wyposażone w amperomierz, 2 woltomierze, 2 zasilacze stabilizowane oraz badany element- tranzystor JFET. Układ pomiarowy został zbudowany według poniższego schematu.

Wyniki pomiarów

UDS 2V
ID [mA]	UGS [V]
6,85	0,1
6,56	0,2
6,25	0,3
5,95	0,4
5,35	0,6
4,77	0,8
4,18	1
3,61	1,2
3,0	1,4
2,6	1,6

UDS 3,5V
ID [mA]	UGS [V]
7,97	0,1
7,6	0,2
7,19	0,3
6,81	0,4
6,04	0,6
5,27	0,8
4,61	1
4,0	1,2
3,35	1,4
2,77	1,6
UDS 5V
ID [mA]	UGS [V]
8,3	0,1
7,84	0,2
7,39	0,3
7,0	0,4
6,17	0,6
5,46	0,8
4,5	1
4,07	1,2
3,44	1,4
2,84	1,6

Id=f(Ugs)|_UDS=par

UDS 0V
ID [mA]	UDS [V]
4,84	1,0
7,23	2,0
6,23	1,5
7,85	2,5
8,27	3,0
8,45	3,5
8,59	4,0
8,69	4,5
8,73	5,0
9,77	5,5

UDS -1V
ID [mA]	UDS [V]
2,94	1,0
3,72	2,0
4,16	1,5
4,36	2,5
4,48	3,0
4,57	3,5
4,62	4,0
4,66	4,5
4,69	5,0
4,71	5,5
UDS -2V
ID [mA]	UDS [V]
1,56	1,0
1,55	2,0
1,63	1,5
1,68	2,5
1,71	3,0
1,73	3,5
1,75	4,0
1,77	4,5
1,78	5,0
1,8	5,5

I_D=f(U_DS)|_UGS=par

U_p=-3,5V

I_DSS=8,8mA

Parametry badanego tranzystora JFET
Wartość	Założenia	Max parametry
VDS		max ±30V
VDSoff	ID=10nA VDS=15V	Min -0,25V max -8V
VGSO		-30V
IDSS	VDS=15V VGS=0	min -6mA max 15mA
PTOT		300mA

Wnioski

Z obu charakterystyk wyjściowych widać, że dla małych wartości U_DS, tranzystory zachowują się jak rezystory o rezystancji sterowanej napięciem (charakterystyka liniowa). Dla tranzystora JFET zakres tych napięć wynosi 0¸1V.

Na charakterystyce przejściowej tranzystora zauważamy, że przy wzroście napięcia U_DS najpierw następują duże skoki prądu drenu, żeby przy wyższych napięciach U_DS jego wpływ na zmianę prądu I_D malał.

Natomiast wpływ parametru jakim jest napięcie U_GS na charakterystykę wyjściową jest równomierny, tzn. jednakowy przyrost wartości parametru powoduje jednakowy wzrost prądu drenu.

Tranzystor JFET ma zastosowania w układach wzmacniających małej i dużej częstotliwości i dużej impedancji wejściowej.