Politechnika Lubelska	Laboratorium podstaw elektroniki
w Lublinie	Ćwiczenie nr 2
Guzowski Krzysztof		Semestr IV	Grupa: ED4.4	Rok akademicki: 1996/97
Temat ćwiczenia: Badanie właściwości impulsowych tranzystora.			Data wykonania: 26.02.1997	Ocena:

1.Wyznaczniewartości prądu bazy na granicy nasycenia.

Dla napięcia na wejściu układu U_we= 0V wartość napięci U_{CE odc}=10.5V

Dla napięcia U_CE=0.5V wartość prądu bazy I_Bmin=0.1mA

Układ pomiarowy dla punktu 1

2.Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których wsp. przesterowania osiąga założone wartości.

Układ pomiarowy taki jak w punkcie pierwszym

KF	IB	UZ
-	mA	V
1	0.1	0,5
2	0.2	0,76
4	0.4	1,40
8	0.8	2,68
16	1.6	5,21

3.Praca tranzystora w układzie przełącznika.

Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.

KF	UZ	td	tn	tp	to
-	V	ms	ms	ms	ms
1	0,5	0	45	10	45
2	0,76	0	30	20	55
4	1,40	0	15	40	70
8	2,68	0	10	50	80
16	5,21	0	5	75	120

.

.

Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym

Badania wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełączenia tranzystora

CB	KF	td	tn	tp	to
pF	-	ms	ms	ms	ms
	1	4	15	10	25
	2	4	8	10	20
100	4	4	5	15	10
	8	4	5	15	10
	16	4	0	10	20
	1	4	15	5	25
	2	4	8	5	20
500	4	4	8	5	10
	8	4	5	10	10
	16	4	5	5	10

Charakterystyki dla pojemności 100pF

Charakterystyki dla pojemności 500pF

Wnioski:

W ćwiczeniu badano pracę tranzystora w układzie przełącznika oraz wpływ pojemności dodatkowej na zachowanie się układu.

Wraz ze wzrostem przesterowania czas narastania spadał natomiast przeciągania i opadania rósł. Czasu opóźnienia ze względu na zastosowany oscyloskop nie dało się zmierzyć.

Otrzymane wyniki (z pewną niedokładnością) potwierdzają założenia teoretyczne dotyczące zachowania się tych czasów w zależności od współczynnika k_f.

W układach z pojemnościami przyspieszającymi nastąpiło skrócenie czasów narastania

i opadania, co potwierdza celowość zastosowania dodatkowej pojemności w celu przyspieszenia reakcji układu na zmiany impulsu wejściowego.

---